SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
HUF75345P3 Harris Corporation HUF75345P3 -
RFQ
ECAD 1337 0,00000000 Harris Corporation Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 119 N-canal 55 v 75a (TC) 10V 7mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 275 NC @ 20 V ± 20V 4000 pf @ 25 V - 325W (TC)
HGTG20N60B3 Harris Corporation HGTG20N60B3 3.3100
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 165 w To-247 download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 450 480V, 20A, 10OHM, 15V - 600 v 40 a 160 a 2V @ 15V, 20A 475µJ (ON), 1,05MJ (OFF) 80 nc -
TIP117 Harris Corporation Tip117 -
RFQ
ECAD 9187 0,00000000 Harris Corporation - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 2 w To-220-3 download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 50 100 v 2 a 2m PNP - Darlington 2.5V @ 8MA, 2A 1000 @ 1A, 4V -
IRF351 Harris Corporation IRF351 2.0000
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ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-204AA, TO-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 350 v 15a (TC) 10V 300mohm @ 8a, 10V 4V A 250µA 120 nc @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 150W (TC)
HUF75309D3 Harris Corporation HUF75309D3 -
RFQ
ECAD 7897 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 975 N-canal 55 v 17a (TC) - 70mohm @ 17a, 10V 4V A 250µA 24 nc @ 20 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 45W (TC)
RF1S530SM9A Harris Corporation RF1S530SM9A 0,8800
RFQ
ECAD 800 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo download Fornecedor indefinido ALCANCE AFETADO 2156-RF1S530SM9A-600026 1
RF1K4909096 Harris Corporation RF1K4909096 0,5700
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-RF1K4909096-600026 1
IRF640S2470 Harris Corporation IRF640S2470 1.0000
RFQ
ECAD 2957 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo IRF640 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1 -
HGTG20N100D2 Harris Corporation HGTG20N100D2 9.2800
RFQ
ECAD 539 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 150 w To-247 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 - - 1000 v 34 a 100 a 4.1V @ 10V, 20A - 163 NC -
HGTH12N40E1D Harris Corporation HGTH12N40E1D -
RFQ
ECAD 5438 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Taba isolada isolada to-218-3, to-218ac Padrão 75 w TO-218 ISOLADO download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 109 - 100 ns - 400 v 12 a 17.5 a 3.2V @ 20V, 17.5a - 19 NC -
HRF3205 Harris Corporation HRF3205 1.4600
RFQ
ECAD 6230 0,00000000 Harris Corporation - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 - Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 55 v 100a (TC) 10V 8mohm @ 59a, 10V 4V A 250µA 170 nc @ 10 V ± 20V 4000 pf @ 25 V - 175W (TC)
RFH75N05 Harris Corporation RFH75N05 4.1100
RFQ
ECAD 80 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo - Através do buraco Taba isolada isolada to-218-3, to-218ac MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-218 ISOLADO download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 80 N-canal 50 v - - - - - - -
HGTP3N60B3 Harris Corporation HGTP3N60B3 0,5200
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Padrão 33.3 w To-220 download Rohs Não Compatível 3 (168 Horas) Fornecedor indefinido Ear99 0000.00.0000 1 480V, 3.5A, 82OHM, 15V 16 ns - 600 v 7 a 20 a 2.1V @ 15V, 3.5a 66µJ (ON), 88µJ (Off) 21 NC 18ns/105ns
BDX33CP2 Harris Corporation BDX33CP2 0,5900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1
RFP2NO8L Harris Corporation Rfp2no8l 0,2300
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1
HGTP14N0FVLR4600 Harris Corporation HGTP14N0FVLR4600 -
RFQ
ECAD 9929 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 3 (168 Horas) Fornecedor indefinido 1
IGTH20N40AD Harris Corporation IGTH20N40AD 3.3600
RFQ
ECAD 444 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo - Através do buraco Taba isolada isolada to-218-3, to-218ac Padrão TO-218 ISOLADO download Não Aplicável 3 (168 Horas) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1 - - 400 v 20 a - - -
IRFPC42 Harris Corporation IRFPC42 1.4100
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Harris Corporation HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-247AC (TO-3P) download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 600 v 5.9a (TC) 10V 1.6ohm @ 3.7a, 10V 4V A 250µA 60 nc @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 150W (TC)
HGTH20N50EID Harris Corporation HGTH20N50EID 3.4000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1
IGTH20N40D Harris Corporation IGTH20N40D 3.2600
RFQ
ECAD 248 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo - Através do buraco Taba isolada isolada to-218-3, to-218ac Padrão TO-218 ISOLADO download Não Aplicável 3 (168 Horas) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1 - - 400 v 20 a - - -
HUF76122P3 Harris Corporation HUF76122P3 1.0000
RFQ
ECAD 1950 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 3 (168 Horas) Fornecedor indefinido 1
IRF830 Harris Corporation IRF830 1.4600
RFQ
ECAD 329 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 500 v 4.5a (TC) 1.5OHM @ 2.5a, 10V 4V A 250µA 32 NC @ 10 V ± 20V 600 pf @ 25 V - 75W (TC)
IRFR91209AR3603 Harris Corporation IRFR91209AR3603 -
RFQ
ECAD 6928 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo IRFR9120 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 499 -
HGTP20N35F3ULR3935 Harris Corporation HGTP20N35F3ULR3935 1.9200
RFQ
ECAD 800 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 3 (168 Horas) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1
TIP47 Harris Corporation Tip47 -
RFQ
ECAD 4518 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 2 w To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 250 v 1 a 1Ma Npn 1V @ 200Ma, 1A 30 @ 300mA, 10V 10MHz
HGTP20N35F3VL Harris Corporation HGTP20N35F3VL 1.9200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 3 (168 Horas) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1
RFP2N12 Harris Corporation RFP2N12 0,4600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 120 v 2a (TC) 10V 1.75OHM @ 2A, 10V 4V A 250µA ± 20V 200 pf @ 25 V - 25W (TC)
IRFD111 Harris Corporation IRFD111 -
RFQ
ECAD 5736 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 4-DIP, HEXDIP download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 108 N-canal 80 v 1a (TC) 10V 600MOHM @ 800MA, 10V 4V A 250µA 7 nc @ 10 V ± 20V 135 pf @ 25 V - 1W (TC)
2N6487 Harris Corporation 2N6487 0,9600
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 2N6487 1,8 w TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 314 60 v 15 a 1Ma Npn 3.5V @ 5A, 15A 20 @ 5A, 4V 5MHz
IRF121-0001 Harris Corporation IRF121-0001 0,7900
RFQ
ECAD 500 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque