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Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caso	Número básico do produto	Tipo de entrada	Tecnologia	Potência - Máx.	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Tipo FET	Condição de teste	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)	Tipo IGBT	Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)	Atual - Coletor (Ic) (Máx.)	Corrente - Coletor Pulsado (Icm)	Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic	Trocando Energia	Taxa de portão	Td (ligado/desligado) @ 25°C	Atual - Corte do Coletor (Máx.)	Tipo de transistor	Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic	Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequência - Transição
DICA 48	-	Solicitação de cotação	4707	Corporação Harris	-	Volume	Ativo	150°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3				2W	PARA-220-3	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido	EAR99	8541.29.0095	1														300V	1A						1mA	NPN	1V a 200mA, 1A	30 @ 300mA, 10V	10MHz
BD244C	0,7300	Solicitação de cotação	5211	Corporação Harris	-	Volume	Obsoleto	150°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3				65W	PARA-220AB	download	RoHS não compatível			EAR99	8541.29.0095	200														100V	6A						700µA	PNP	1,5V a 1A, 6A	15 @ 3A, 4V	-
IRFPG42	2.2700	Solicitação de cotação	2	Corporação Harris	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3			MOSFET (óxido metálico)		PARA-247	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido	EAR99	8541.29.0095	1	Canal N		1000V	3,9A(Tc)	10V	4,2 Ohm @ 2,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	120 nC @ 10 V	±20V		-	150W (Tc)
IRF351	2.0000	Solicitação de cotação	1	Corporação Harris	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	TO-204AA, TO-3			MOSFET (óxido metálico)		PARA-3	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido	EAR99	8541.29.0095	1	Canal N		350V	15A (Tc)	10V	300mOhm @ 8A, 10V	4 V a 250 µA	120 nC @ 10 V	±20V	2.000 pF a 25 V	-	150W (Tc)
IRFP251	1.8700	Solicitação de cotação	265	Corporação Harris	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3			MOSFET (óxido metálico)		PARA-247	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido	EAR99	8541.29.0095	1	Canal N		150 V	33A (Tc)	10V	85mOhm @ 17A, 10V	4 V a 250 µA	120 nC @ 10 V	±20V	2.000 pF a 25 V	-	180W (Tc)
BUX32	-	Solicitação de cotação	2583	Corporação Harris	-	Volume	Ativo	-65°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	TO-204AA, TO-3				150 W	PARA-3	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido	EAR99	8541.29.0075	3														800 V	8A						200µA	NPN	2V @ 2A, 8A	8 @ 6A, 3V	60MHz
2N3440	12.5600	Solicitação de cotação	15	Corporação Harris	-	Volume	Ativo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Através do furo	TO-205AD, TO-39-3 Lata de metal	2N34			800 mW	TO-39 (TO-205AD)	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido	EAR99	8541.21.0095	24														250 V	1A						2µA	NPN	500mV @ 4mA, 50mA	40 @ 20mA, 10V	15MHz
RFD14N06	0,5700	Solicitação de cotação	3	Corporação Harris	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA			MOSFET (óxido metálico)		I-PAK	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido	EAR99	8541.29.0095	1	Canal N		60 V	14A (Tc)	10V	100mOhm @ 14A, 10V	4 V a 250 µA	40 nC @ 20 V	±20V	570 pF a 25 V	-	48W (Tc)
IRFF9132	0,9900	Solicitação de cotação	1666	Corporação Harris	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	Lata de metal TO-205AF			MOSFET (óxido metálico)		TO-205AF (TO-39)	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido	EAR99	8541.29.0095	19	Canal P		100V	5,5A (Tc)	10V	400mOhm @ 3A, 10V	4 V a 250 µA	45 nC @ 10 V	±20V	500 pF a 25 V	-	25W (Tc)
IRFD122	0,4400	Solicitação de cotação	2599	Corporação Harris	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	4-DIP (0,300", 7,62 mm)			MOSFET (óxido metálico)		4-DIP, Hexdip	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido	EAR99	8541.29.0095	196	Canal N		100V	1.1A (Tc)	10V	400mOhm @ 600mA, 10V	4 V a 250 µA	15 nC @ 10 V	±20V	450 pF a 25 V	-	1W (Tc)
HGT1S15N120C3	3.7100	Solicitação de cotação	4	Corporação Harris	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA		padrão		164 W	I2PAK (TO-262)	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido	EAR99	8541.29.0095	1		-											-	1200 V	35A	120A	3,5V a 15V, 15A	-	100nC	-
RF1S23N06LE	0,7100	Solicitação de cotação	2	Corporação Harris	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (óxido metálico)		I2PAK (TO-262)	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH afetado	EAR99	0000.00.0000	1	Canal N		60 V	23A (Tc)	5V	65mOhm @ 23A, 5V	2V @ 250µA	48 nC @ 10 V	±10V	850 pF a 25 V	-	75W (Tc)
RFD16N05SM9AS2480	0,5300	Solicitação de cotação	975	Corporação Harris	*	Volume	Ativo				RFD16		-			-	Não aplicável	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido			1											-
IRFR91209AR3603	-	Solicitação de cotação	6928	Corporação Harris	*	Volume	Ativo				IRFR9120		-			-	Não aplicável	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido	EAR99	8542.39.0001	499											-
IRF820	0,6000	Solicitação de cotação	3	Corporação Harris	PowerMESH™II	Volume	Ativo	150°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3	IRF8		MOSFET (óxido metálico)		PARA-220AB	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido	EAR99	0000.00.0000	1	Canal N		500 V	4A (Tc)	10V	3 Ohm @ 1,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	17 nC @ 10 V	±30V	315 pF a 25 V	-	80W (Tc)
IRFP244	-	Solicitação de cotação	5094	Corporação Harris	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3			MOSFET (óxido metálico)		TO-247AC	download	RoHS não compatível			EAR99	8541.29.0095	500	Canal N		250 V	15A (Tc)	10V	280mOhm @ 9A, 10V	4 V a 250 µA	63 nC @ 10 V	±20V	1400 pF a 25 V	-	150W (Tc)
RFP45N03L	0,6700	Solicitação de cotação	41	Corporação Harris	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3			MOSFET (óxido metálico)		PARA-220-3	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido	EAR99	8541.29.0095	1	Canal N		30 V	45A (Tc)	5V	22mOhm a 45A, 5V	2V @ 250µA	60 nC @ 10 V	±10V	1650 pF a 25 V	-	90W (Tc)
RFP2N10	0,2900	Solicitação de cotação	1	Corporação Harris	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3			MOSFET (óxido metálico)		PARA-220	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido	EAR99	8541.29.0095	1	Canal N		100V	2A (Tc)	10V	1,05Ohm a 2A, 5V	4 V a 250 µA		±20V	200 pF a 25 V	-	25W (Tc)
IRF9542	1.7800	Solicitação de cotação	497	Corporação Harris	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3			MOSFET (óxido metálico)		PARA-220-3	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido	EAR99	8541.29.0095	169	Canal P		100V	15A (Tc)	10V	300mOhm @ 10A, 10V	4 V a 250 µA	90 nC @ 10 V	±20V	1100 pF a 25 V	-	150W (Tc)
RFP2NO8L	0,2300	Solicitação de cotação	1	Corporação Harris	*	Volume	Ativo									-	Não aplicável	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido	EAR99	8542.39.0001	1
IRFPC42	1.4100	Solicitação de cotação	5	Corporação Harris	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3			MOSFET (óxido metálico)		TO-247AC (TO-3P)	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido	EAR99	8542.39.0001	1	Canal N		600 V	5,9A (Tc)	10V	1,6 Ohm a 3,7 A, 10 V	4 V a 250 µA	60 nC @ 10 V	±20V	1300 pF a 25 V	-	150W (Tc)
CA3083M96	0,5200	Solicitação de cotação	6	Corporação Harris	-	Volume	Ativo	150°C (TJ)	Montagem em superfície	16-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)	CA3083			500mW	16-SOIC	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH afetado	EAR99	0000.00.0000	579														15V	100mA						10µA	5NPN	700mV @ 5mA, 50mA	40 @ 50mA, 3V	450MHz
HGTB12N60D1C	3.6200	Solicitação de cotação	598	Corporação Harris	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-5		padrão		75 W	PARA-220-5	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido	EAR99	8541.29.0095	1		-											-	600 V	12A	40A	2,7V a 15V, 10A	-		-
RF1S17N06L	0,6700	Solicitação de cotação	4	Corporação Harris	*	Volume	Ativo				RF1S		-			-	Não aplicável	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido	EAR99	8541.29.0095	1											-
D45C9	-	Solicitação de cotação	5042	Corporação Harris	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3				30W	PARA-220	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH afetado	EAR99	8541.29.0075	36														60 V	4A						10µA	PNP	500mV @ 50mA, 1A	40 @ 200mA, 1V	40MHz
IRF740R	-	Solicitação de cotação	8783	Corporação Harris	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3			MOSFET (óxido metálico)		PARA-220	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido	EAR99	8541.29.0095	46	Canal N		400 V	10A (Tc)	10V	550mOhm @ 5,2A, 10V	4 V a 250 µA	63 nC @ 10 V	±20V	1250 pF a 25 V	-	125W (Tc)
HGTP6N40E1D	0,6600	Solicitação de cotação	1	Corporação Harris	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3		padrão		75 W	PARA-220	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido	EAR99	8541.29.0095	1		-											-	400 V	7,5A	7,5A	2,5V a 10V, 3A	-	6,9nC	-
IRFD320	1.9400	Solicitação de cotação	812	Corporação Harris	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	4-DIP (0,300", 7,62 mm)			MOSFET (óxido metálico)		4-HVMDIP	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	0000.00.0000	1	Canal N		400 V	490mA (Ta)		1,8 Ohm a 210 mA, 10 V	4 V a 250 µA	20 nC @ 10 V	±20V	410 pF a 25 V	-	1W (Ta)
HGTG2ON60C3DR	3.2100	Solicitação de cotação	302	Corporação Harris	*	Volume	Ativo									-	Não aplicável	3 (168 horas)	Fornecedor indefinido	EAR99	8542.39.0001	1
IRFD323	1.4000	Solicitação de cotação	982	Corporação Harris	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	4-DIP (0,300", 7,62 mm)			MOSFET (óxido metálico)		4-DIP, Hexdip	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido	EAR99	8541.29.0095	1	Canal N		350V	400mA (Tc)	10V	2,5 Ohm a 250 mA, 10 V	4 V a 250 µA	15 nC @ 10 V	±20V	455 pF a 25 V	-	1W (Tc)