SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO TIPO DE FET Condição de teste Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Figura de Ruído (dB typ @ f)
IRF523 Harris Corporation IRF523 0,3300
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 80 v 8a (TC) 10V 360mohm @ 5.6a, 10V 4V A 250µA 15 nc @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 60W (TC)
HUF75307D3ST Harris Corporation HUF75307D3ST 0,3700
RFQ
ECAD 1977 0,00000000 Harris Corporation Ultrafet ™ Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) - ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 55 v 15a (TC) 90mohm @ 13a, 10V 4V A 250µA 20 NC @ 20 V ± 20V 250 pf @ 25 V - 45W (TC)
RFP6N50 Harris Corporation RFP6N50 1.8800
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 500 v 6a (TC) 10V 1.25OHM @ 3A, 10V 4V @ 1MA ± 20V 1500 pf @ 25 V - 75W (TC)
RFL1N12 Harris Corporation Rfl1n12 0,8800
RFQ
ECAD 845 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AF METAL CAN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-205AF (TO-39) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 120 v 1a (TC) 10V 1.9OHM @ 1A, 10V 4V A 250µA ± 20V 200 pf @ 25 V - 8.33W (TC)
RF1S45N06LESM9A Harris Corporation RF1S45N06LESM9A 0,9500
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 317
RF1S30P05 Harris Corporation RF1S30P05 0,8100
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo RF1S - - Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 0000.00.0000 1 -
IGTH20N50 Harris Corporation IGTH20N50 2.7500
RFQ
ECAD 269 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo - Através do buraco Taba isolada isolada to-218-3, to-218ac Padrão TO-218 ISOLADO download Não Aplicável 3 (168 Horas) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1 - - 500 v 20 a - - -
RFIS30P06 Harris Corporation RFIS30P06 1.5000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo RFIS30 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1 -
IRF232 Harris Corporation IRF232 -
RFQ
ECAD 2234 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-204AA, TO-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 201 N-canal 200 v 8a (TC) 10V 600MOHM @ 5A, 10V 4V A 250µA 30 NC a 10 V ± 20V 600 pf @ 25 V - 75W (TC)
IRF730 Harris Corporation IRF730 1.1400
RFQ
ECAD 24 0,00000000 Harris Corporation PowerMesh ™ II Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IRF7 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 400 v 5.5a (TC) 10V 1OHM @ 3A, 10V 4V A 250µA 24 nc @ 10 V ± 20V 530 pf @ 25 V - 100w (TC)
IRF712R Harris Corporation IRF712R -
RFQ
ECAD 2447 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 350 N-canal 400 v 1.7a (TC) 10V 5OHM @1.1A, 10V 4V A 250µA 12 nc @ 10 V ± 20V 135 pf @ 25 V - 36W (TC)
IRF642R Harris Corporation IRF642R 0,8100
RFQ
ECAD 500 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 200 v 16a (TC) 10V 220mohm @ 10a, 10V 4V A 250µA 64 nc @ 10 V ± 20V 1275 pf @ 25 V - 125W (TC)
RF1S15N06SM Harris Corporation RF1S15N06SM 0,5100
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo - Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-263AB download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 60 v 15a - - - - - -
IGT7E20CS Harris Corporation IGT7E20CS 4.3200
RFQ
ECAD 334 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo - Através do buraco TO-218-5 Padrão TO-218-5 download Não Aplicável 3 (168 Horas) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1 - - 500 v 25 a - - -
D72F5T2 Harris Corporation D72F5T2 0,4100
RFQ
ECAD 159 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 1 w TO-252-3 (DPAK) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 50 v 5 a 1µA (ICBO) Npn 400mv a 150mA, 3a 70 @ 1A, 1V -
HGTP10N40F1D Harris Corporation HGTP10N40F1D 0,9600
RFQ
ECAD 806 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Padrão 75 w To-220 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 - - 400 v 12 a 12 a 2.5V @ 10V, 5A - 13.4 NC -
HFA3096B96 Harris Corporation HFA3096B96 2.1900
RFQ
ECAD 19 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) 150mW 16-SOIC download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 2.500 - 8V 65mA 3 npn + 2 pnp 40 @ 10MA, 2V, 20 @ 10Ma, 2V 8GHz, 5,5 GHz 3.5dB @ 1GHz
HGTG24N60D1D Harris Corporation HGTG24N60D1D 9.6000
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 125 w To-247 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 - 60 ns - 600 v 40 a 96 a 2.3V @ 15V, 24a - 155 NC -
BUZ32 Harris Corporation Buz32 0,5600
RFQ
ECAD 1690 0,00000000 Harris Corporation - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 480 N-canal 200 v 9.5a (TC) 400mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 2000 pf @ 25 V - 75W (TC)
HGTP10N40EID Harris Corporation HGTP10N40EID 1.5800
RFQ
ECAD 225 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 3 (168 Horas) Fornecedor indefinido 225
HFA3128B96 Harris Corporation HFA3128B96 2.4200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo HFA3128 download Fornecedor indefinido ALCANCE AFETADO 2156-HFA3128B96-600026 Ear99 8541.21.0095 1
HGTD3N60B3S9A Harris Corporation HGTD3N60B3S9A 0,5200
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Padrão 33.3 w TO-252-3 (DPAK) download Rohs Não Compatível 3 (168 Horas) Fornecedor indefinido Ear99 0000.00.0000 1 480V, 3.5A, 82OHM, 15V 16 ns - 600 v 7 a 20 a 2.1V @ 15V, 3.5a 66µJ (ON), 88µJ (Off) 21 NC 18ns/105ns
RFP15P05 Harris Corporation RFP15P05 1.3600
RFQ
ECAD 90 0,00000000 Harris Corporation - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 50 Canal P. 50 v 15a (TC) 10V 150mohm @ 15a, 10V 4V A 250µA 150 nc @ 20 V ± 20V 1150 pf @ 25 V - 80W (TC)
D44Q3121 Harris Corporation D44Q3121 0,6900
RFQ
ECAD 586 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 1
2N6767 Harris Corporation 2N6767 4.1400
RFQ
ECAD 3274 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-204AA, TO-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 9 N-canal 350 v 12a (TC) 10V 400mohm @ 7.75a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 3000 pf @ 25 V - 150W (TC)
RFP3N45 Harris Corporation Rfp3n45 1.0000
RFQ
ECAD 5311 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 450 v 3a (TC) 10V 3ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 750 pf @ 25 V - 60W (TC)
IRFF111 Harris Corporation IRFF111 3.0000
RFQ
ECAD 176 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AF METAL CAN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-205AF (TO-39) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 80 v 3.5a (TC) 10V 600mohm @ 1.5a, 10V 4V A 250µA 7,5 nc @ 10 V ± 20V 135 pf @ 25 V - 15W (TC)
HFA1212IP Harris Corporation HFA1212IP 2.4600
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo download Fornecedor indefinido ALCANCE AFETADO 2156-HFA1212IP-600026 1
RFD16N03LSM Harris Corporation RFD16N03LSM 1.1300
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo - Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252-3 (DPAK) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 30 v 16a - - - - - -
RFP40N10LE Harris Corporation RFP40N10LE 1.0000
RFQ
ECAD 9740 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo download Fornecedor indefinido ALCANCE AFETADO 2156-RFP40N10LE-600026 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque