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Transistores (181)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Aplicações | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | Tipo de transistor |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ALD110904SAL | 4.2288 |  | 7289 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | Epad® | Tubo | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | ALD110904 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1014-1037 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N-Canal (Duplo) par correspondente | 10.6V | 12mA, 3mA | 500OHM @ 4.4V | 420MV @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD110900SAL | 5.0300 | | 386 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | Tubo | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | ALD110900 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1014-1033 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N-Canal (Duplo) par correspondente | 10.6V | - | 500OHM @ 4V | 20mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
 | ALD810024SCL | 4.7958 | | 8235 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | SAB ™ | Tubo | Ativo | 10.6V | Supercapacitor Balancemento Autométrico | Montagem na Superfície | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | ALD810024 | 16-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1014-1258-5 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4 n-canal | ||||||||||||
| ALD910023SAL | 5.0400 | | 51 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | SAB ™ | Tubo | Ativo | 10.6V | Supercapacitor Balancemento Autométrico | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | ALD910023 | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1014-1263-5 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 2 canal n (Duplo) | ||||||||||||
| ALD111933SAL | 5.1400 | | 250 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | Epad® | Tubo | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | ALD111933 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N-Canal (Duplo) par correspondente | 10.6V | - | 500OHM @ 5.9V | 3.35V @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | ||||||
| ALD810020SCL | 4.7958 | | 2200 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | SAB ™ | Tubo | Ativo | 10.6V | Supercapacitor Balancemento Autométrico | Montagem na Superfície | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | ALD810020 | 16-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1014-1273-5 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4 n-canal | ||||||||||||
| ALD210808SCL | 5.8118 | | 8523 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | Tubo | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | ALD210808 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | 16-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n-canal, par correspondente | 10.6V | 80mA | - | 20mv @ 10µA | - | - | Portão de Nível Lógico | ||||||
 | ALD212908PAL | 5.6826 | | 7632 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | Tubo | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Através do buraco | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | ALD212908 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | 8-PDIP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N-Canal (Duplo) par correspondente | 10.6V | 80mA | - | 20mv @ 10µA | - | - | Portão de Nível Lógico | ||||||
 | ALD310704SCL | 6.0054 | | 9339 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | Tubo | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C. | Montagem na Superfície | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | ALD310704 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | 16-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1014-1295 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 canal p, par correspondente | 8V | - | - | 380mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
 | ALD210814PCL | 6.3498 | | 4240 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | Tubo | Ativo | - | Através do buraco | 16-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | ALD210814 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | - | 16-PDIP | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 4 n-canal, par correspondente | 10.6V | 80mA | - | 20mv @ 10µA | - | - | Portão de Nível Lógico | ||||||
 | ALD111933MAL | - | | 8828 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | Epad® | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP, 8 msop (0,118 ", 3,00 mm de largura) | ALD111933 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | 8 msop | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1014-1050 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N-Canal (Duplo) par correspondente | 10.6V | - | 500OHM @ 5.9V | 3.35V @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD310704ASCL | 7.4692 | | 5036 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | Tubo | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C. | Montagem na Superfície | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | ALD310704 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | 16-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1014-1294 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 canal p, par correspondente | 8V | - | - | 380mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD212914SAL | 6.6728 | | 4033 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | Tubo | Ativo | - | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | ALD212914 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | 8-SOIC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N-Canal (Duplo) par correspondente | 10.6V | 80mA | - | 20mv @ 10µA | - | - | Portão de Nível Lógico | ||||||
 | ALD1106PBL | 6.6500 | | 634 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | - | Tubo | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Através do buraco | 14-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | ALD1106 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | 14-PDIP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1014-1012 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n-canal, par correspondente | 10.6V | - | 500OHM @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3pf @ 5V | - | |||||
| ALD110908ASAL | 6.3400 | | 2357 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | Epad® | Tubo | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | ALD110908 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1014-1039 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N-Canal (Duplo) par correspondente | 10.6V | 12mA, 3mA | 500OHM @ 4.8V | 810MV @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD212902PAL | 5.6826 | | 5658 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | Tubo | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Através do buraco | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | ALD212902 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | 8-PDIP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N-Canal (Duplo) par correspondente | 10.6V | 80mA | - | 20mv @ 10µA | - | - | Portão de Nível Lógico | ||||||
 | ALD111910PAL | - | | 4901 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | - | Tubo | Obsoleto | - | - | - | ALD111910 | - | - | - | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1014-1220 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||
| ALD212908SAL | 5.6228 | | 5921 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | Tubo | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | ALD212908 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N-Canal (Duplo) par correspondente | 10.6V | 80mA | - | 20mv @ 10µA | - | - | Portão de Nível Lógico | ||||||
| ALD110900PAL | 6.4900 | | 53 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | Tubo | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Através do buraco | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | ALD110900 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | 8-PDIP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1014-1032 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N-Canal (Duplo) par correspondente | 10.6V | - | 500OHM @ 4V | 20mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD110908PAL | 5.7472 | | 9978 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | Epad® | Tubo | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Através do buraco | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | ALD110908 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | 8-PDIP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1014-1040 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N-Canal (Duplo) par correspondente | 10.6V | 12mA, 3mA | 500OHM @ 4.8V | 820mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD110808APCL | 9.9446 | | 5951 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | Epad® | Tubo | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Através do buraco | 16-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | ALD110808 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | 16-PDIP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1014-1024 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n-canal, par correspondente | 10.6V | 12mA, 3mA | 500OHM @ 4.8V | 810MV @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD210814SCL | 5.7256 | | 8896 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | Tubo | Ativo | - | Montagem na Superfície | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | ALD210814 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | 16-SOIC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n-canal, par correspondente | 10.6V | 80mA | - | 20mv @ 10µA | - | - | Portão de Nível Lógico | ||||||
| ALD310708SCL | 6.9700 | | 72 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | Tubo | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C. | Montagem na Superfície | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | ALD310708 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | 16-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1014-1299 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 canal p, par correspondente | 8V | - | - | 780mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD110804PCL | 6.5006 | | 6154 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | Epad® | Tubo | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Através do buraco | 16-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | ALD110804 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | 16-PDIP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1014-1022 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n-canal, par correspondente | 10.6V | 12mA, 3mA | 500OHM @ 4.4V | 420MV @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
 | ALD212900APAL | 7.9200 | | 1494 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | Tubo | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Através do buraco | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | ALD212900 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | 8-PDIP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1014-1215 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N-Canal (Duplo) par correspondente | 10.6V | 80mA | 14ohm | 10MV @ 20µA | - | 30pf @ 5V | Portão de Nível Lógico | |||||
| ALD212900SAL | 5.6228 | | 7016 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | Tubo | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | ALD212900 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1014-1209 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N-Canal (Duplo) par correspondente | 10.6V | 80mA | 14ohm | 20MV @ 20µA | - | 30pf @ 5V | Portão de Nível Lógico | |||||
| ALD1117SAL | 4.2600 | | 574 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | - | Tubo | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | ALD1117 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1014-1049 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 Par de Canais P (Duplo) | 10.6V | - | 1800OHM @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3pf @ 5V | - | |||||
| ALD111910SAL | - | | 9116 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | - | Tubo | Obsoleto | - | - | - | ALD111910 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | - | - | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1014-1221 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||
| ALD110914PAL | 5.7472 | | 7987 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | Epad® | Tubo | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Através do buraco | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | ALD110914 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | 8-PDIP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1014-1042 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N-Canal (Duplo) par correspondente | 10.6V | 12mA, 3mA | 500OHM @ 5.4V | 1.42V @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
 | ALD1106SBL | 6.0100 | | 1 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | - | Tubo | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | ALD1106 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | 14-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1014-1013 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n-canal, par correspondente | 10.6V | - | 500OHM @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3pf @ 5V | - |
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