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Transistores(181)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tensão - Nominal | Temperatura operacional | Aplicativos | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Classificação atual (amperes) | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Tipo de transistor |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ALD310700PCL | 7.1248 |  | 8207 | 0,00000000 | Dispositivos lineares avançados Inc. | EPAD®, Limiar Zero™ | Tubo | Ativo | 0°C ~ 70°C | Através do furo | 16 DIP (0,300", 7,62 mm) | ALD310700 | MOSFET (óxido metálico) | 500mW | 16-PDIP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1014-1285 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 canais P, por combinado | 8V | - | - | 20mV @ 1µA | - | 2,5pF a 5V | - | |||||
 | ALD212904SAL | 5.6228 | | 1634 | 0,00000000 | Dispositivos lineares avançados Inc. | EPAD®, Limiar Zero™ | Tubo | Ativo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | ALD212904 | MOSFET (óxido metálico) | 500mW | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Par correspondente de 2 canais N (duplo) | 10,6V | 80mA | - | 20mV @ 10µA | - | - | Portão de nível lógico | ||||||
| ALD310708APCL | 10.1814 | | 2890 | 0,00000000 | Dispositivos lineares avançados Inc. | EPAD®, Limiar Zero™ | Tubo | Ativo | 0°C ~ 70°C | Através do furo | 16 DIP (0,300", 7,62 mm) | ALD310708 | MOSFET (óxido metálico) | 500mW | 16-PDIP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1014-1296 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 canais P, por combinado | 8V | - | - | 780mV @ 1µA | - | 2,5pF a 5V | - | |||||
 | ALD110900APAL | 8.1500 | | 34 | 0,00000000 | Dispositivos lineares avançados Inc. | EPAD®, Limiar Zero™ | Tubo | Ativo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | ALD110900 | MOSFET (óxido metálico) | 500mW | 8-PDIP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1014-1030 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Par correspondente de 2 canais N (duplo) | 10,6V | - | 500Ohm @ 4V | 10mV @ 1µA | - | 2,5pF a 5V | - | |||||
| ALD110914SAL | 4.7014 | | 9699 | 0,00000000 | Dispositivos lineares avançados Inc. | EPAD® | Tubo | Ativo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | ALD110914 | MOSFET (óxido metálico) | 500mW | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1014-1043 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Par correspondente de 2 canais N (duplo) | 10,6V | 12ma, 3ma | 500 Ohm @ 5,4 V | 1,42V a 1µA | - | 2,5pF a 5V | - | |||||
| ALD110908APAL | 7.8996 | | 4117 | 0,00000000 | Dispositivos lineares avançados Inc. | EPAD® | Tubo | Ativo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | ALD110908 | MOSFET (óxido metálico) | 500mW | 8-PDIP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1014-1038 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Par correspondente de 2 canais N (duplo) | 10,6V | 12ma, 3ma | 500 Ohm @ 4,8 V | 810mV @ 1µA | - | 2,5pF a 5V | - | |||||
 | ALD210800SCL | 7.2700 | | 48 | 0,00000000 | Dispositivos lineares avançados Inc. | EPAD®, Limiar Zero™ | Tubo | Ativo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Montagem em superfície | 16-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | ALD210800 | MOSFET (óxido metálico) | 500mW | 16-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1014-1210 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 canais N, por combinado | 10,6V | 80mA | 25Ohm | 20mV @ 10µA | - | 15pF a 5V | Portão de nível lógico | |||||
| ALD110800APCL | 9.6400 | | 38 | 0,00000000 | Dispositivos lineares avançados Inc. | EPAD®, Limiar Zero™ | Tubo | Ativo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Através do furo | 16 DIP (0,300", 7,62 mm) | ALD110800 | MOSFET (óxido metálico) | 500mW | 16-PDIP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1014-1016 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 canais N, por combinado | 10,6V | - | 500Ohm @ 4V | 10mV @ 1µA | - | 2,5pF a 5V | - | |||||
| ALD110902PAL | 5.6464 | | 9379 | 0,00000000 | Dispositivos lineares avançados Inc. | EPAD® | Tubo | Ativo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | ALD110902 | MOSFET (óxido metálico) | 500mW | 8-PDIP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1014-1034 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Par correspondente de 2 canais N (duplo) | 10,6V | - | 500 Ohm @ 4,2 V | 220mV @ 1µA | - | 2,5pF a 5V | - | |||||
 | ALD1107PBL | 6.6500 | | 323 | 0,00000000 | Dispositivos lineares avançados Inc. | - | Tubo | Ativo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Através do furo | 14 DIP (0,300", 7,62 mm) | ALD1107 | MOSFET (óxido metálico) | 500mW | 14-PDIP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1014-1014 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 canais P, por combinado | 10,6V | - | 1800Ohm a 5V | 1V @ 1µA | - | 3pF a 5V | - | |||||
| ALD1101BSAL | 6.6082 | | 5829 | 0,00000000 | Dispositivos lineares avançados Inc. | - | Tubo | Ativo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | ALD1101 | MOSFET (óxido metálico) | 500mW | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1014-1217 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Par correspondente de 2 canais N (duplo) | 10,6V | 40mA | - | - | - | - | - | |||||
| ALD114904SAL | 5.1500 | | 29 | 0,00000000 | Dispositivos lineares avançados Inc. | EPAD® | Tubo | Ativo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | ALD114904 | MOSFET (óxido metálico) | 500mW | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1014-1064 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Par correspondente de 2 canais N (duplo) | 10,6V | 12ma, 3ma | 500 Ohm @ 3,6 V | 360mV @ 1µA | - | 2,5pF a 5V | Modo de esgotamento | |||||
 | ALD1115MAL | - | | 4197 | 0,00000000 | Dispositivos lineares avançados Inc. | - | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", 3,00 mm de largura) | ALD1115 | MOSFET (óxido metálico) | 500mW | 8-MSOP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Canais N e P Complementares | 10,6V | - | 1800Ohm a 5V | 1V @ 1µA | - | 3pF a 5V | - | ||||||
 | ALD310700SCL | 6.0054 | | 8142 | 0,00000000 | Dispositivos lineares avançados Inc. | EPAD®, Limiar Zero™ | Tubo | Ativo | 0°C ~ 70°C | Montagem em superfície | 16-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | ALD310700 | MOSFET (óxido metálico) | 500mW | 16-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1014-1287 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 canais P, por combinado | 8V | - | - | 20mV @ 1µA | - | 2,5pF a 5V | - | |||||
| ALD1101BPAL | 8.8038 | | 6794 | 0,00000000 | Dispositivos lineares avançados Inc. | - | Tubo | Ativo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | ALD1101 | MOSFET (óxido metálico) | 500mW | 8-PDIP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Par correspondente de 2 canais N (duplo) | 10,6V | - | 75Ohm @ 5V | 1V @ 10µA | - | - | - | ||||||
| ALD310700ASCL | 7.4692 | | 7722 | 0,00000000 | Dispositivos lineares avançados Inc. | EPAD®, Limiar Zero™ | Tubo | Ativo | 0°C ~ 70°C | Montagem em superfície | 16-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | ALD310700 | MOSFET (óxido metálico) | 500mW | 16-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1014-1286 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 canais P, por combinado | 8V | - | - | 20mV @ 1µA | - | 2,5pF a 5V | - | |||||
| ALD1105PBL | 6.6500 | | 76 | 0,00000000 | Dispositivos lineares avançados Inc. | - | Tubo | Ativo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Através do furo | 14 DIP (0,300", 7,62 mm) | ALD1105 | MOSFET (óxido metálico) | 500mW | 14-PDIP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1014-1010 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Par combinado de 2 canais N e 2 canais P | 10,6V | - | 500Ohm @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3pF a 5V | - | |||||
| ALD114904PAL | 5.8118 | | 4355 | 0,00000000 | Dispositivos lineares avançados Inc. | EPAD® | Tubo | Ativo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | ALD114904 | MOSFET (óxido metálico) | 500mW | 8-PDIP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1014-1063 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Par correspondente de 2 canais N (duplo) | 10,6V | 12ma, 3ma | 500 Ohm @ 3,6 V | 360mV @ 1µA | - | 2,5pF a 5V | Modo de esgotamento | |||||
| ALD114913PAL | 5.4888 | | 6588 | 0,00000000 | Dispositivos lineares avançados Inc. | EPAD® | Tubo | Ativo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | ALD114913 | MOSFET (óxido metálico) | 500mW | 8-PDIP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1014-1065 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Par correspondente de 2 canais N (duplo) | 10,6V | 12ma, 3ma | 500 Ohm @ 2,7 V | 1,26V a 1µA | - | 2,5pF a 5V | Modo de esgotamento | |||||
| ALD810027SCLI | 5.8548 | | 2419 | 0,00000000 | Dispositivos lineares avançados Inc. | SAB® | Tubo | Ativo | 10,6V | Balanceamento automático de supercapacitor | Montagem em superfície | 16-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | ALD810027 | 16-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4 canaisN | |||||||||||||
| ALD1101APAL | 9.8096 | | 3107 | 0,00000000 | Dispositivos lineares avançados Inc. | - | Tubo | Ativo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | ALD1101 | MOSFET (óxido metálico) | 500mW | 8-PDIP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1014-1000 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Par correspondente de 2 canais N (duplo) | 10,6V | - | 75Ohm @ 5V | 1V @ 10µA | - | 10pF a 5V | - | |||||
| ALD310704PCL | 8.6100 | | 7235 | 0,00000000 | Dispositivos lineares avançados Inc. | EPAD®, Limiar Zero™ | Tubo | Ativo | 0°C ~ 70°C | Através do furo | 16 DIP (0,300", 7,62 mm) | ALD310704 | MOSFET (óxido metálico) | 500mW | 16-PDIP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1014-1293 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 canais P, por combinado | 8V | - | - | 380mV @ 1µA | - | 2,5pF a 5V | - | |||||
| ALD1101PAL | 8.2700 | | 100 | 0,00000000 | Dispositivos lineares avançados Inc. | - | Tubo | Ativo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | ALD1101 | MOSFET (óxido metálico) | 500mW | 8-PDIP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1014-1002 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Par correspondente de 2 canais N (duplo) | 10,6V | - | 75Ohm @ 5V | 1V @ 10µA | - | - | - | |||||
 | ALD810030SCLI | 6.8000 | | 34 | 0,00000000 | Dispositivos lineares avançados Inc. | SAB® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | - | Balanceamento automático de supercapacitor | Montagem em superfície | 16-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | ALD810030 | 16-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 80mA | 4 canaisN | |||||||||||||
| ALD210800APCL | 9.7600 | | 56 | 0,00000000 | Dispositivos lineares avançados Inc. | EPAD®, Limiar Zero™ | Tubo | Ativo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Através do furo | 16 DIP (0,300", 7,62 mm) | ALD210800 | MOSFET (óxido metálico) | 500mW | 16-PDIP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1014-1216 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 canais N, por combinado | 10,6V | 80mA | 25Ohm | 10mV @ 10µA | - | 15pF a 5V | Portão de nível lógico | |||||
| ALD212908ASAL | 7.7706 | | 7134 | 0,00000000 | Dispositivos lineares avançados Inc. | EPAD®, Limiar Zero™ | Tubo | Ativo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | ALD212908 | MOSFET (óxido metálico) | 500mW | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Par correspondente de 2 canais N (duplo) | 10,6V | 80mA | - | 20mV @ 10µA | - | - | Portão de nível lógico | ||||||
| ALD1101ASAL | 9.4700 | | 46 | 0,00000000 | Dispositivos lineares avançados Inc. | - | Tubo | Ativo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | ALD1101 | MOSFET (óxido metálico) | 500mW | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1014-1001 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Par correspondente de 2 canais N (duplo) | 10,6V | - | 75Ohm @ 5V | 1V @ 10µA | - | - | - | |||||
| ALD910026SAL | 5.5900 | | 111 | 0,00000000 | Dispositivos lineares avançados Inc. | SAB® | Tubo | Ativo | 10,6V | Balanceamento automático de supercapacitor | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | ALD910026 | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 2 canais N (duplo) | |||||||||||||
| ALD910026SALI | 5.3812 | | 1253 | 0,00000000 | Dispositivos lineares avançados Inc. | SAB® | Tubo | Ativo | 10,6V | Balanceamento automático de supercapacitor | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | ALD910026 | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 2 canais N (duplo) | |||||||||||||
| ALD110904PAL | 5.6464 | | 5212 | 0,00000000 | Dispositivos lineares avançados Inc. | EPAD® | Tubo | Ativo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | ALD110904 | MOSFET (óxido metálico) | 500mW | 8-PDIP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1014-1036 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Par correspondente de 2 canais N (duplo) | 10,6V | 12ma, 3ma | 500 Ohm @ 4,4 V | 420mV @ 1µA | - | 2,5pF a 5V | - |
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