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Transistores(2)

Imagem	Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Ecad	Quantidade disponível	Peso (Kg)	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caso	Número básico do produto	Tecnologia	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Tipo FET	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)
	XR46000ESE	-	Solicitação de cotação		9006	0,00000000	MaxLinear, Inc.	-	Volume	Obsoleto	150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-261-4, TO-261AA		MOSFET (óxido metálico)	SOT-223-3	download		1 (ilimitado)	EAR99	8541.29.0095	1	Canal N	600 V	1,5A (Tc)	10V	8Ohm a 750mA, 10V	4 V a 250 µA	7,5 nC a 10 V	±30V	170 pF a 25 V	-	20W (Tc)
	XR46000ESETR	-	Solicitação de cotação		3215	0,00000000	MaxLinear, Inc.	-	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-261-4, TO-261AA	XR46000	MOSFET (óxido metálico)	SOT-223-3	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)	EAR99	8541.29.0095	2.500	Canal N	600 V	1,5A (Tc)	10V	8Ohm a 750mA, 10V	4 V a 250 µA	7,5 nC a 10 V	±30V	170 pF a 25 V	-	20W (Tc)