SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Tensão - Nominal Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caso Número básico do produto Frequência Tecnologia Potência - Máx. Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Estado do REACH Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Configuração Tipo FET Classificação atual (amperes) Atual - Teste Potência - Saída Ganho Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs Vgs(th) (máx.) @ ID Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs Vgs (máx.) Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds Recurso FET Dissipação de energia (máx.) Figura de ruído Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) Atual - Coletor (Ic) (Máx.) Tensão - Teste Atual - Corte do Coletor (Máx.) Tipo de transistor Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequência - Transição Resistor - Base (R1) Resistor - Emissor Base (R2)
PDTC124EM,315 NXP Semiconductors PDTC124EM,315 0,0300
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ECAD 1 0,00000000 Semicondutores NXP * Volume Ativo download 1 (ilimitado) REACH não afetado 2156-PDTC124EM,315-954 15.000
A2T27S007NT1 NXP Semiconductors A2T27S007NT1 7.5100
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ECAD 984 0,00000000 Semicondutores NXP - Volume Obsoleto 65 V Almofada exposta 16-VDFN 400 MHz ~ 2,7 GHz LDMOS 16-DFN (4x6) download RoHS não compatível Fornecedor indefinido 2156-A2T27S007NT1 EAR99 8542.33.0001 1 10µA 60 mA 28,8dBm 18,9dB - 28 V
AFT20P060-4NR3 NXP Semiconductors AFT20P060-4NR3 51.9900
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ECAD 2 0,00000000 Semicondutores NXP - Volume Obsoleto 65 V Montagem em superfície OM-780-4L 2,17GHz LDMOS (duplo) OM-780-4L - 2156-AFT20P060-4NR3 6 2 canaisN - 450 mA 60W 18,9dB - 28 V
PBSS304PD,115 NXP Semiconductors PBSS304PD,115 0,1100
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ECAD 21 0,00000000 Semicondutores NXP - Volume Ativo 150°C (TJ) Montagem em superfície SC-74, SOT-457 1,1 W 6-TSOP download 1 (ilimitado) REACH não afetado 2156-PBSS304PD,115-954 1 80 V 1A 100nA PNP 540mV @ 500mA, 5A 155 @ 500mA, 2V 110MHz
PHP20NQ20T,127 NXP Semiconductors PHP20NQ20T,127 0,9500
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ECAD 8 0,00000000 Semicondutores NXP TrincheiraMOS™ Volume Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 MOSFET (óxido metálico) PARA-220AB download Não aplicável REACH não afetado 2156-PHP20NQ20T,127-954 0000.00.0000 341 Canal N 200 V 20A (Tc) 10V 130mOhm @ 10A, 10V 4V @ 1mA 65 nC @ 10 V ±20V 2.470 pF a 25 V - 150W (Tc)
BSR16/DG/B4215 NXP Semiconductors BSR16/DG/B4215 0,0700
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ECAD 9 0,00000000 Semicondutores NXP * Volume Ativo download Fornecedor indefinido REACH não afetado 2156-BSR16/DG/B4215-954 1
A3G35H100-04SR3 NXP Semiconductors A3G35H100-04SR3 95.6100
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ECAD 137 0,00000000 Semicondutores NXP - Volume Ativo 125 V Montagem em superfície NI-780S-4L 3,4 GHz ~ 3,6 GHz GaN NI-780S-4L - 2156-A3G35H100-04SR3 4 2 canaisN - 80 mA 14W 14dB a 3,6 GHz - 48 V
BCW30,215 NXP Semiconductors BCW30.215 -
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ECAD 2289 0,00000000 Semicondutores NXP Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 mW SOT-23 - 0000.00.0000 1 32 V 100 mA 100nA (ICBO) PNP 150 mV a 2,5 mA, 50 mA 215 @ 2mA, 5V 100MHz
PMV40UN2R NXP Semiconductors PMV40UN2R -
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ECAD 2975 0,00000000 Semicondutores NXP * Volume Ativo download EAR99 8541.29.0095 1
MRFX600GSR5 NXP Semiconductors MRFX600GSR5 139.9300
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ECAD 100 0,00000000 Semicondutores NXP - Volume Ativo 179 V Montagem em superfície NI-780GS-4L 1,8 MHz ~ 400 MHz LDMOS (duplo) NI-780GS-4L - 2156-MRFX600GSR5 3 2 canaisN 10µA 100 mA 600W 26,4 dB a 230 MHz - 65 V
PMZB1200UPEYL NXP Semiconductors PMZB1200UPEYL 0,0400
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ECAD 604 0,00000000 Semicondutores NXP - Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 3-XFDFN MOSFET (óxido metálico) DFN1006B-3 download 1 (ilimitado) REACH não afetado 2156-PMZB1200UPEYL-954 EAR99 8541.21.0095 1 Canal P 30 V 410mA (Ta) 1,5 V, 4,5 V 1,4 Ohm a 410 mA, 4,5 V 950mV @ 250µA 1,2 nC a 4,5 V ±8V 43,2 pF a 15 V - 310mW (Ta), 1,67W (Tc)
PH4030DLV115 NXP Semiconductors PH4030DLV115 -
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ECAD 7942 0,00000000 Semicondutores NXP * Volume Ativo download Fornecedor indefinido REACH não afetado 2156-PH4030DLV115-954 1
BCV61C,215 NXP Semiconductors BCV61C,215 0,1300
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ECAD 354 0,00000000 Semicondutores NXP * Volume Ativo download 1 (ilimitado) REACH não afetado 2156-BCV61C,215-954 1
BUK7508-55A,127 NXP Semiconductors BUK7508-55A,127 0,9300
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ECAD 10 0,00000000 Semicondutores NXP Automotivo, AEC-Q101, TrenchMOS™ Volume Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 MOSFET (óxido metálico) PARA-220AB download Fornecedor indefinido REACH não afetado 2156-BUK7508-55A,127-954 EAR99 0000.00.0000 1 Canal N 55V 75A (Ta) 8mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 76 nC @ 0 V ±20V 4352 pF a 25 V - 254W (Ta)
PMN40UPE,115 NXP Semiconductors PMN40UPE,115 0,1900
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ECAD 2939 0,00000000 Semicondutores NXP * Volume Ativo download Fornecedor indefinido REACH não afetado 2156-PMN40UPE,115-954 1
PDTC123EU,115 NXP Semiconductors PDTC123EU,115 -
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ECAD 4024 0,00000000 Semicondutores NXP PDTC123E Volume Ativo Montagem em superfície SC-70, SOT-323 200 mW SC-70 - RoHS não compatível Fornecedor indefinido 2156-PDTC123EU,115-954 1 50 V 100 mA 1µA NPN - Pré-tendencioso 150mV @ 500µA, 10mA 30 @ 20mA, 5V 2,2 kOhms 2,2 kOhms
BC847BMB,315 NXP Semiconductors BC847BMB,315 -
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ECAD 7811 0,00000000 Semicondutores NXP Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo 150°C (TJ) Montagem em superfície SC-101, SOT-883 250 mW DFN1006B-3 download 0000.00.0000 1 45V 100 mA 15nA (ICBO) NPN 400mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2mA, 5V 100MHz
PQMD2147 NXP Semiconductors PQMD2147 0,0300
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ECAD 13 0,00000000 Semicondutores NXP * Volume Ativo PQMD2 download Fornecedor indefinido Fornecedor indefinido 2156-PQMD2147-954 1
BF570,215 NXP Semiconductors BF570.215 0,0500
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ECAD 55 0,00000000 Semicondutores NXP Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 mW TO-236AB download 1 (ilimitado) REACH não afetado 2156-BF570,215-954 1 15V 100 mA 400nA (ICBO) NPN - 40 @ 10mA, 1V 490MHz
MRF6VP2600HR5,178 NXP Semiconductors MRF6VP2600HR5.178 -
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ECAD 3283 0,00000000 Semicondutores NXP * Volume Ativo MRF6VP2600 - download Não aplicável 1 (ilimitado) Fornecedor indefinido 1 -
PUMH9/ZL165 NXP Semiconductors PUMH9/ZL165 -
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ECAD 1482 0,00000000 Semicondutores NXP - Volume Obsoleto Montagem em superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 200mW 6-TSSOP - 2156-PUMH9/ZL165 1 50V 100mA 100nA doisNPN - Pré-tendencioso 100mV a 250µA, 5mA 100 @ 5mA, 5V 230MHz 10kOhms 47kOhm
CLF1G0035S-100 NXP Semiconductors CLF1G0035S-100 -
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ECAD 2110 0,00000000 Semicondutores NXP * Volume Ativo download Fornecedor indefinido REACH não afetado 2156-CLF1G0035S-100-954 1
PSMN6R0-30YLB,115 NXP Semiconductors PSMN6R0-30YLB,115 -
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ECAD 9157 0,00000000 Semicondutores NXP - Volume Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície SC-100, SOT-669 MOSFET (óxido metálico) LFPAK56, Potência-SO8 download 1 (ilimitado) REACH não afetado 2156-PSMN6R0-30YLB,115-954 EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 30 V 71A (Tc) 4,5V, 10V 6,5mOhm a 20A, 10V 1,95V a 1mA 19 nC @ 10 V ±20V 1088 pF a 15 V - 58W (Tc)
NX2301P,215 NXP Semiconductors NX2301P,215 1.0000
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ECAD 2299 0,00000000 Semicondutores NXP Automotivo, AEC-Q101, TrenchMOS™ Volume Ativo 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (óxido metálico) SOT-23 download EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 20 V 2A (Ta) 2,5 V, 4,5 V 120mOhm @ 1A, 4,5V 1,1 V a 250 µA 6 nC @ 4,5 V ±8V 380 pF a 6 V - 400mW (Ta), 2,8W (Tc)
PMZB600UNEL315 NXP Semiconductors PMZB600UNEL315 0,0400
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ECAD 150 0,00000000 Semicondutores NXP * Volume Ativo download Fornecedor indefinido Fornecedor indefinido 2156-PMZB600UNEL315-954 1
PEMD19,115 NXP Semiconductors PEMD19.115 0,0400
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ECAD 12 0,00000000 Semicondutores NXP * Volume Ativo download 1 (ilimitado) REACH não afetado 2156-PEMD19,115-954 1
PSMN085-150K,518 NXP Semiconductors PSMN085-150K,518 0,3300
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ECAD 9 0,00000000 Semicondutores NXP TrincheiraMOS™ Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) MOSFET (óxido metálico) 8-SO download Fornecedor indefinido REACH não afetado 2156-PSMN085-150K,518-954 1 Canal N 150 V 3,5A (Tc) 10V 85mOhm @ 3,5A, 10V 4V @ 1mA 40 nC @ 10 V ±20V 1310 pF a 25 V - 3,5W (Tc)
PSMN8R5-100PSFQ NXP Semiconductors PSMN8R5-100PSFQ -
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ECAD 3291 0,00000000 Semicondutores NXP - Volume Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 MOSFET (óxido metálico) PARA-220AB download Fornecedor indefinido REACH não afetado 2156-PSMN8R5-100PSFQ-954 1 Canal N 100V 98A (Ta) 7V, 10V 8,7mOhm a 25A, 10V 4V @ 1mA 44,5 nC a 10 V ±20V 3181 pF a 50 V - 183W (Ta)
BUK7107-55AIE,118 NXP Semiconductors BUK7107-55AIE,118 1.7400
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ECAD 2 0,00000000 Semicondutores NXP Automotivo, AEC-Q101, TrenchMOS™ Volume Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-5, D²Pak (4 derivações + guia), TO-263BB MOSFET (óxido metálico) D2PAK download Fornecedor indefinido REACH não afetado 2156-BUK7107-55AIE,118-954 1 Canal N 55V 75A (Tc) 10V 7mOhm @ 50A, 10V 4V @ 1mA 116 nC @ 10 V ±20V 4500 pF a 25 V Detecção atual 272W (Tc)
PEMB18,115 NXP Semiconductors PEMB18.115 0,0400
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ECAD 12 0,00000000 Semicondutores NXP * Volume Ativo download 1 (ilimitado) REACH não afetado 2156-PEMB18,115-954 1
  • Daily average RFQ Volume

    2.000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque