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Transistores (506)

Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Tensão - Nominal	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caso	Número básico do produto	Frequência	Tecnologia	Potência - Máx.	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Configuração	Tipo FET	Classificação atual (amperes)	Atual - Teste	Potência - Saída	Ganho	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)	Figura de ruído	Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)	Atual - Coletor (Ic) (Máx.)	Tensão - Teste	Atual - Corte do Coletor (Máx.)	Tipo de transistor	Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic	Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequência - Transição	Resistor - Base (R1)	Resistor - Emissor Base (R2)
BUK7509-55A,127	0,5600	Solicitação de cotação	3	Semicondutores NXP	Automotivo, AEC-Q101, TrenchMOS™	Volume	Ativo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3			MOSFET (óxido metálico)		PARA-220AB	download		Fornecedor indefinido	REACH não afetado	2156-BUK7509-55A,127-954	EAR99	8541.29.0095	1		Canal N					55V	75A (Tc)	10V	9mOhm a 25A, 10V	4V @ 1mA	62 nC @ 0 V	±20V	3271 pF a 25 V	-	211W (Tc)
PBSS5520X,135	-	Solicitação de cotação	7885	Semicondutores NXP	-	Volume	Ativo		150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-243AA				2,5W	SOT-89	-				2156-PBSS5520X,135			1																		20 V	5A		100nA (ICBO)	PNP	270mV a 500mA, 5A	300 @ 500mA, 2V	100MHz
AFV10700HR5	537.6400	Solicitação de cotação	27	Semicondutores NXP	-	Volume	Ativo	105 V		Montagem em chassi	NI-780-4		960 MHz ~ 1.215 GHz	LDMOS (duplo)		NI-780-4	-				2156-AFV10700HR5			1	2 canaisN		1µA	100 mA	700W	19,2 dB a 1,03 GHz											-			52V
MMRF1304NR1	25.6700	Solicitação de cotação	410	Semicondutores NXP	-	Volume	Obsoleto	133V		Montagem em superfície	PARA-270AA		1,8 MHz ~ 2 GHz	LDMOS		PARA-270-2	download	RoHS não compatível		Fornecedor indefinido	2156-MMRF1304NR1	EAR99	8541.29.0075	1			7µA	10 mA	25W	25,4dB											-			50 V
PBLS4003D,115	0,0700	Solicitação de cotação	66	Semicondutores NXP	*	Volume	Ativo					PBLS4003					download		1 (ilimitado)	REACH não afetado	2156-PBLS4003D,115-954			4.473
BC69-16PA,115	1.0000	Solicitação de cotação	8221	Semicondutores NXP	-	Volume	Ativo		150°C (TJ)	Montagem em superfície	3-PowerUDFN	AC69			420 mW	3-HUSON (2x2)	download						0000.00.0000	1																		20 V	2A		100nA (ICBO)	PNP	600mV a 200mA, 2A	100 @ 500mA, 1V	140MHz
PMCXB900UEZ	0,0800	Solicitação de cotação	1	Semicondutores NXP	TrincheiraFET®	Volume	Ativo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	Almofada exposta 6-XFDFN	PMCXB900		MOSFET (óxido metálico)	265mW	DFN1010B-6	download					EAR99	8541.21.0095	3.557	Canais N e P Complementares						20V	600ma, 500ma		620mOhm @ 600mA, 4,5V	950mV @ 250µA	0,7nC a 4,5V		21,3pF a 10V	Portão de nível lógico
MRF1517NT1	4.3100	Solicitação de cotação	5	Semicondutores NXP	-	Volume	Obsoleto	25 V		Montagem em superfície	PLD-1.5		-	LDMOS		PLD-1.5	-				2156-MRF1517NT1			70	Canal N		4A	150 mA	8W	14dB a 520MHz											-			7,5 V
NMBT3906VL	0,0200	Solicitação de cotação	400	Semicondutores NXP	*	Volume	Ativo										download		Fornecedor indefinido	REACH não afetado	2156-NMBT3906VL-954			1
2PD601ASL,235	-	Solicitação de cotação	7114	Semicondutores NXP	Automotivo, AEC-Q101	Volume	Ativo		150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2PD601			250 mW	TO-236AB	download					EAR99	8541.21.0075	1																		50 V	100 mA		10nA (ICBO)	NPN	250mV a 10mA, 100mA	290 @ 2mA, 10V	100MHz
PHPT60410NYX	0,1900	Solicitação de cotação	118	Semicondutores NXP	-	Volume	Ativo		175°C (TJ)	Montagem em superfície	SC-100, SOT-669				1,3W	LFPAK56, Potência-SO8	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado	2156-PHPT60410NYX-954	EAR99	8541.29.0075	1.550																		40 V	10A		100nA	NPN	460mV a 500mA, 10A	230 @ 500mA, 2V	128MHz
PBSS4021PX,115	1.0000	Solicitação de cotação	1763	Semicondutores NXP	-	Volume	Ativo		150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-243AA				2,5W	SOT-89	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado	2156-PBSS4021PX,115-954	EAR99	8541.21.0095	1																		20 V	6.2A		100nA	PNP	265mV a 345mA, 6,9A	150 @ 4A, 2V	105 MHz
BC54PAS115	0,0600	Solicitação de cotação	15	Semicondutores NXP	*	Volume	Ativo										download		Fornecedor indefinido	REACH não afetado	2156-BC54PAS115-954			1
PRMH9147	-	Solicitação de cotação	8150	Semicondutores NXP	Automotivo, AEC-Q101	Volume	Ativo			Montagem em superfície	Almofada exposta 6-XFDFN				325mW	DFN1412-6	-				2156-PRMH9147			1																		50V	100mA		1µA	doisNPN - Pré-tendencioso	100mV a 250µA, 5mA	100 @ 5mA, 5V	230MHz	10kOhms	-
PDTA123TT,215	0,0200	Solicitação de cotação	108	Semicondutores NXP	*	Volume	Ativo										download		1 (ilimitado)	REACH não afetado	2156-PDTA123TT,215-954			1
PBSS5160QAZ	-	Solicitação de cotação	6848	Semicondutores NXP	-	Volume	Obsoleto		150°C (TJ)	Montagem em superfície	Almofada exposta 3-XDFN				325 mW	DFN1010D-3	download	RoHS não compatível		Fornecedor indefinido	2156-PBSS5160QAZ	EAR99	8541.29.0075	1																		60 V	1A		100nA	PNP	460mV a 50mA, 1A	160 @ 100mA, 2V	150MHz
BUK7M21-40E,115	1.0000	Solicitação de cotação	6146	Semicondutores NXP	*	Volume	Ativo										-						0000.00.0000	1
BC51PA,115	-	Solicitação de cotação	5795	Semicondutores NXP	-	Volume	Ativo		150°C (TJ)	Montagem em superfície	3-PowerUDFN				420 mW	3-HUSON (2x2)	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado	2156-BC51PA,115-954			1																		45V	1A		100nA (ICBO)	PNP	500mV @ 50mA, 500mA	63 @ 150mA, 2V	145MHz
A2I22D050NR1	51.7500	Solicitação de cotação	2	Semicondutores NXP	-	Volume	Obsoleto	65 V		Montagem em superfície	PARA-270WB-15		1,8 GHz ~ 2,2 GHz	LDMOS (duplo)		PARA-270WB-15	-				2156-A2I22D050NR1			6	2 canaisN		10µA	520 mA	5,3W	31,1 dB a 1,88 GHz											-			28 V
PHK12NQ03LT,518	0,3000	Solicitação de cotação	6	Semicondutores NXP	TrincheiraMOS™	Volume	Ativo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)			MOSFET (óxido metálico)		8-SO	download		Fornecedor indefinido	REACH não afetado	2156-PHK12NQ03LT,518-954			1		Canal N					30 V	11,8A (Tj)	4,5V, 10V	10,5mOhm @ 12A, 10V	2V @ 250µA	17,6 nC a 5 V	±20V	1335 pF a 16 V	-	2,5W (Ta)
BUK7C10-75AITE,118	1.4100	Solicitação de cotação	5	Semicondutores NXP	Automotivo, AEC-Q101, TrenchMOS™	Volume	Ativo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-7, D²Pak (6 derivações + guia)			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK-7	download		Fornecedor indefinido	REACH não afetado	2156-BUK7C10-75AITE,118-954			1		Canal N					75V	75A (Tc)	10V	10mOhm a 50A, 10V	4V @ 1mA	121 nC @ 10 V	±20V	4700 pF a 25 V	Detecção atual	272W (Tc)
PBSS4032PD,115	0,1500	Solicitação de cotação	2	Semicondutores NXP	-	Volume	Ativo		150°C (TJ)	Montagem em superfície	SC-74, SOT-457				1W	6-TSOP	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado	2156-PBSS4032PD,115-954			2.031																		30 V	2,7A		100nA	PNP	395mV @ 300mA, 3A	200 @ 1A, 2V	104MHz
PBSS306NZ,135	-	Solicitação de cotação	3248	Semicondutores NXP	-	Volume	Ativo		150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-261-4, TO-261AA				700 mW	SOT-223	-				2156-PBSS306NZ,135			1																		100V	5.1A		100nA (ICBO)	NPN	300mV a 255mA, 5,1A	200 @ 500mA, 2V	110MHz
BUK7225-55A,118	0,2700	Solicitação de cotação	9	Semicondutores NXP	-	Volume	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)		DPAK	download	RoHS não compatível		Fornecedor indefinido	2156-BUK7225-55A,118	EAR99	8541.29.0075	1		Canal N					55V	43A (Ta)	10V	25mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA		±20V	1310 pF a 25 V	-	94W (Ta)
BUK7Y59-60EX	-	Solicitação de cotação	7909	Semicondutores NXP	TrincheiraMOS™	Volume	Ativo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	SC-100, SOT-669			MOSFET (óxido metálico)		LFPAK56, Potência-SO8	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado	2156-BUK7Y59-60EX-954	EAR99	8541.29.0095	1		Canal N					60 V	17A (Tc)	10V	59mOhm @ 5A, 10V	4V @ 1mA	7,8 nC a 10 V	±20V	494 pF a 25 V	-	37W (Tc)
2PB709BRL,215	0,0300	Solicitação de cotação	184	Semicondutores NXP	Automotivo, AEC-Q101	Volume	Ativo		150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 mW	TO-236AB	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado	2156-2PB709BRL,215-954			1																		50 V	200 mA		10nA (ICBO)	PNP	250mV a 10mA, 100mA	210 @ 2mA, 10V	200MHz
BC859BW,115	-	Solicitação de cotação	4466	Semicondutores NXP	Automotivo, AEC-Q101	Volume	Ativo		150°C (TJ)	Montagem em superfície	SC-70, SOT-323				200 mW	SOT-323	download		Fornecedor indefinido	REACH não afetado	2156-BC859BW,115-954			1																		30 V	100 mA		15nA (ICBO)	PNP	650mV @ 5mA, 100mA	220 @ 2mA, 5V	100MHz
2N7002BKM/V,315	-	Solicitação de cotação	9930	Semicondutores NXP	*	Volume	Ativo					2N7002					download		Fornecedor indefinido	REACH não afetado	2156-2N7002BKM/V,315-954			1
BC846AW,115	0,0200	Solicitação de cotação	535	Semicondutores NXP	-	Volume	Ativo		150°C (TJ)	Montagem em superfície	SC-70, SOT-323				200 mW	SOT-323	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado	2156-BC846AW,115-954			1																		65 V	100 mA		15nA (ICBO)	NPN	400mV @ 5mA, 100mA	110 @ 2mA, 5V	100MHz
PDTB143EU115	0,0400	Solicitação de cotação	11	Semicondutores NXP	*	Volume	Ativo										download					EAR99	8541.21.0075	1

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