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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tensão - Nominal | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Número básico do produto | Frequência | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Classificação atual (amperes) | Atual - Teste | Potência - Saída | Ganho | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Figura de ruído | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Tensão - Teste | Atual - Corte do Coletor (Máx.) | Tipo de transistor | Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic | Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequência - Transição | Figura de ruído (dB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PHP20N06T,127 | 0,4800 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Semicondutores NXP | TrincheiraMOS™ | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Não aplicável | REACH não afetado | 2156-PHP20N06T,127-954 | 671 | Canal N | 55V | 20,3A(Tc) | 10V | 75mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 1mA | 11 nC @ 10 V | ±20V | 483 pF a 25 V | - | 62W (Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | AFT21S140W02SR3 | 150.2600 | ![]() | 500 | 0,00000000 | Semicondutores NXP | - | Volume | Obsoleto | 65V | Montagem em superfície | NI-780S | 2,11 GHz ~ 2,17 GHz | LDMOS | NI-780S | - | 2156-AFT21S140W02SR3 | 2 | Canal N | - | 800 mA | 32W | 19,3 dB a 2,14 GHz | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2PA1774SM,315 | 0,0200 | ![]() | 149 | 0,00000000 | Semicondutores NXP | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SC-101, SOT-883 | 430 mW | SOT-883 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 2156-2PA1774SM,315-954 | 1 | 40 V | 100 mA | 100nA (ICBO) | PNP | 200mV @ 5mA, 50mA | 270 @ 1mA, 6V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857B,215 | 0,0200 | ![]() | 7760 | 0,00000000 | Semicondutores NXP | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 250 mW | TO-236AB | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 2156-BC857B,215-954 | 900 | 45V | 100 mA | 15nA (ICBO) | PNP | 650mV @ 5mA, 100mA | 220 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFT09MP055NR1 | 21.6700 | ![]() | 351 | 0,00000000 | Semicondutores NXP | - | Volume | Ativo | 40 V | Montagem em superfície | TO-270AB | 764 MHz ~ 941 MHz | LDMOS (duplo) | TO-270 WB-4 | - | 2156-AFT09MP055NR1 | 14 | 2 canaisN | - | 550 mA | 57W | 15,7 dB a 870 MHz | - | 12,5 V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK769R6-80E,118 | 0,8600 | ![]() | 486 | 0,00000000 | Semicondutores NXP | Automotivo, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 2156-BUK769R6-80E,118-954 | EAR99 | 8541.29.0095 | 348 | Canal N | 80 V | 75A (Tc) | 10V | 9,6mOhm a 20A, 10V | 4V @ 1mA | 59,8 nC a 10 V | ±20V | 4682 pF a 25 V | - | 182W (Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | PEMB2.115 | - | ![]() | 2804 | 0,00000000 | Semicondutores NXP | * | Volume | Ativo | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 2156-PEMB2,115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMH18.115 | - | ![]() | 1354 | 0,00000000 | Semicondutores NXP | * | Volume | Ativo | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 2156-PEMH18,115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX70J,215 | - | ![]() | 8888 | 0,00000000 | Semicondutores NXP | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 mW | TO-236AB | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 2156-BCX70J,215-954 | 1 | 45V | 100 mA | 20nA (ICBO) | NPN | 550 mV a 1,25 mA, 50 mA | 250 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCV65.215 | 0,0800 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semicondutores NXP | * | Volume | Ativo | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 2156-BCV65,215-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS5112PAP,115 | 0,1400 | ![]() | 34 | 0,00000000 | Semicondutores NXP | * | Volume | Ativo | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 2156-PBSS5112PAP,115-954 | 2.166 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMPB100XPEA,115 | 1.0000 | ![]() | 9040 | 0,00000000 | Semicondutores NXP | * | Volume | Ativo | PMPB100 | download | Fornecedor indefinido | REACH não afetado | 2156-PMPB100XPEA,115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFU520XRR | 0,1200 | ![]() | 51 | 0,00000000 | Semicondutores NXP | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOT-143R | 450mW | SOT-143R | - | 2156-BFU520XRR | 2.515 | 17,5dB | 12V | 30mA | NPN | 60 @ 5mA, 8V | 10GHz | 0,65 dB a 900 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7575-55A,127 | 0,3600 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Semicondutores NXP | TrincheiraMOS™ | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Fornecedor indefinido | REACH não afetado | 2156-BUK7575-55A,127-954 | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 55V | 20,3A(Tc) | 10V | 75mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 1mA | ±20V | 483 pF a 25 V | - | 62W (Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | PMZ950UPEYL | 0,0400 | ![]() | 356 | 0,00000000 | Semicondutores NXP | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SC-101, SOT-883 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-883 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 2156-PMZ950UPEYL-954 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P | 20 V | 500mA (Ta) | 1,2 V, 4,5 V | 1,4 Ohm a 500 mA, 4,5 V | 950mV @ 250µA | 2,1 nC a 4,5 V | ±8V | 43 pF a 10 V | - | 360mW (Ta), 2,7W (Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | BCX54.115 | 0,0700 | ![]() | 132 | 0,00000000 | Semicondutores NXP | - | Volume | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-243AA | 1,25W | SOT-89 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 2156-BCX54,115-954 | 1 | 45V | 1A | 100nA (ICBO) | NPN | 500mV @ 50mA, 500mA | 63 @ 150mA, 2V | 180MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTD113ZT,215 | 0,0300 | ![]() | 39 | 0,00000000 | Semicondutores NXP | * | Volume | Ativo | PDTD113 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 2156-PDTD113ZT,215-954 | EAR99 | 8541.21.0095 | 10.764 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS5230QAZ | 0,0600 | ![]() | 554 | 0,00000000 | Semicondutores NXP | - | Volume | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | Almofada exposta 3-XDFN | 325 mW | DFN1010D-3 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 2156-PBSS5230QAZ-954 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 30 V | 2A | 100nA (ICBO) | PNP | 210mV a 50mA, 1A | 60 @ 2A, 2V | 170MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN9R5-30YLC,115 | - | ![]() | 6015 | 0,00000000 | Semicondutores NXP | * | Volume | Ativo | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 2156-PSMN9R5-30YLC,115-954 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMST5550.135 | 0,0300 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Semicondutores NXP | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SC-70, SOT-323 | 200 mW | SOT-323 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 2156-PMST5550,135-954 | 1 | 140 V | 300 mA | 100nA (ICBO) | NPN | 250mV @ 5mA, 50mA | 60 @ 10mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK762R6-40E,118 | - | ![]() | 8816 | 0,00000000 | Semicondutores NXP | Automotivo, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 2156-BUK762R6-40E,118-954 | 1 | Canal N | 40 V | 100A (Tc) | 10V | 2,6mOhm a 25A, 10V | 4V @ 1mA | 91 nC @ 10 V | ±20V | 7130 pF a 25 V | - | 263W (Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | PDTD123YT/APGR | - | ![]() | 5108 | 0,00000000 | Semicondutores NXP | * | Volume | Obsoleto | - | RoHS não compatível | Fornecedor indefinido | 2156-PDTD123YT/APGR-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NX7002AK2.215 | - | ![]() | 3433 | 0,00000000 | Semicondutores NXP | * | Volume | Ativo | download | Fornecedor indefinido | REACH não afetado | 2156-NX7002AK2.215-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCM847BV,315 | - | ![]() | 2044 | 0,00000000 | Semicondutores NXP | - | Volume | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOT-563, SOT-666 | BCM847 | 300mW | SOT-666 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 2156-BCM847BV,315-954 | 1 | 45V | 100mA | 15nA (ICBO) | 2 pares combinados NPN (duplo) | 400mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC869.115 | 0,1000 | ![]() | 43 | 0,00000000 | Semicondutores NXP | - | Volume | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-243AA | 1,2 W | SOT-89 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 2156-BC869,115-954 | 1 | 20 V | 1A | 100nA (ICBO) | PNP | 500mV a 100mA, 1A | 85 @ 500mA, 1V | 140MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMV33UPE,215 | - | ![]() | 7551 | 0,00000000 | Semicondutores NXP | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23 | download | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | Canal P | 20 V | 4,4A (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 36mOhm @ 3A, 4,5V | 950mV @ 250µA | 22,1 nC a 4,5 V | ±8V | 1820 pF a 10 V | - | 490 mW (Ta) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS5350T,215 | 1.0000 | ![]() | 4318 | 0,00000000 | Semicondutores NXP | - | Volume | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 mW | SOT-23 | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 2A | 100nA (ICBO) | PNP | 390mV @ 300mA, 3A | 200 @ 1A, 2V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PMCM6501UNE023 | 0,1800 | ![]() | 90 | 0,00000000 | Semicondutores NXP | * | Volume | Ativo | download | Fornecedor indefinido | Fornecedor indefinido | 2156-PMCM6501UNE023-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRFG35003N6AT1 | 14.4900 | ![]() | 699 | 0,00000000 | Semicondutores NXP | - | Volume | Obsoleto | 8V | Montagem em superfície | PLD-1.5 | 500 MHz ~ 5 GHz | pHEMT FET | PLD-1.5 | - | 2156-MRFG35003N6AT1 | 21 | Canal N | 2.9A | 180 mA | 450mW | 10 dB a 3,55 GHz | - | 6V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PQMD13147 | - | ![]() | 5836 | 0,00000000 | Semicondutores NXP | - | Volume | Ativo | - | 2156-PQMD13147 | 1 |

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