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Transistores (506)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Tensão - Teste | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão | Resistor - Base (R1) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PDTA123TT, 215 | 0,0200 |  | 108 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PDTA123TT, 215-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC144VU, 115 | 0,0200 | | 14 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PDTC144VU, 115-954 | 14.990 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PQMH11147 | - | | 1700 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | - | 2156-PQMH11147 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Smmun2116Lt1g | - | | 2695 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 246 MW | SOT-23-3 (TO-236) | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-SMMUN2116LT1G-954 | 1 | 50 v | 100 ma | 500na | PNP - Pré -tendencioso | 250mv @ 1Ma, 10ma | 160 @ 5MA, 10V | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
| PMSTA56.115 | 0,0200 | | 9148 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PMSTA56,115-954 | 1.000 | 80 v | 500 MA | 100na (ICBO) | Pnp | 250mv @ 10ma, 100mA | 100 @ 100mA, 1V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||
| 2pb1219as, 115 | - | | 6663 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-2pb1219as, 115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk7219-55a, 118 | 0,5400 | | 1712 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DPAK | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-BUK7219-55A, 118-954 | 1 | N-canal | 55 v | 55a (TC) | 10V | 19mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 2108 pf @ 25 V | - | 114W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| AFT21H350W03SR6 | 199.4800 | | 150 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Obsoleto | 65 v | Montagem na Superfície | NI-1230-4S | 2,11 GHz ~ 2,17 GHz | LDMOS | NI-1230-4S | - | 2156-AFT21H350W03SR6 | 2 | N-canal | 10µA | 763 MA | 63W | 16.4db @ 2.11GHz | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||
 | PMV50EEA215 | - | | 4345 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | PMV50 | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN2R0-60PS, 127 | 1.0000 | | 5598 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | PSMN2R0 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 2156-PSMN2R0-60PS, 127-954 | 1 | N-canal | 60 v | 120A (TC) | 10V | 2.2mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 137 NC @ 10 V | ± 20V | 9997 PF @ 30 V | - | 338W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | PBSS4130QAZ | 0,0700 | | 243 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-XDFN PAD EXPOSTO | 325 MW | DFN1010D-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PBSS4130QAZ-954 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 30 v | 1 a | 100na (ICBO) | Npn | 245mv @ 50ma, 1a | 180 @ 1A, 2V | 190MHz | |||||||||||||||||||||||||
| BC807-25 | - | | 2139 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT23-3 (TO-236) | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BC807-25-954 | 1 | 45 v | 500 MA | 100na (ICBO) | Pnp | 700mv @ 50Ma, 500mA | 160 @ 100MA, 1V | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS4032pd, 115 | 0,1500 | | 2 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-74, SOT-457 | 1 w | 6-TSOP | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PBSS4032pd, 115-954 | 2.031 | 30 v | 2.7 a | 100na | Pnp | 395mv @ 300Ma, 3a | 200 @ 1A, 2V | 104MHz | |||||||||||||||||||||||||||
| BLS7G2729L-350P, 11 | - | | 1733 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | - | 2156-BLS7G2729L-350P, 11 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK662R5-30C, 118 | 0,5200 | | 927 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-BUK662R5-30C, 118-954 | 1 | N-canal | 30 v | 100a (TC) | 10V | 2.8mohm @ 25a, 10V | 2.8V @ 1MA | 114 NC @ 10 V | ± 16V | 6960 PF @ 25 V | - | 204W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| PHPT610030PKX | - | | 9811 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-1205, 8-LFPAK56 | PHPT610030 | 1.25W | LFPAK56D | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-FPT610030PKX | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 100V | 3a | 100na | 2 PNP (DUPLO) | 360MV @ 200Ma, 2A | 150 @ 500MA, 10V | 125MHz | ||||||||||||||||||||||||
 | BC857CMB, 315 | 0,0200 | | 178 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-xfdfn | BC857 | 250 MW | DFN1006B-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BC857CMB, 315-954 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Pnp | 300mv @ 500µA, 10MA | 420 @ 2MA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||
| BF820,235 | - | | 3735 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BF820,235-954 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 300 v | 50 MA | 10na (ICBO) | Npn | 600mV @ 5MA, 30MA | 50 @ 25MA, 20V | 60MHz | |||||||||||||||||||||||||
| PMDXB550UNE/S500Z | - | | 8839 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-XFDFN PAD EXPOSTO | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 285mW (TA), 4,03W (TC) | DFN1010B-6 | - | 2156-PMDXB550UNE/S500Z | 1 | 2 n-canal | 30V | 590mA (TA) | 670mohm @ 590mA, 4.5V | 0,95V a 250µA | 1.05NC @ 4.5V | 30.3pf @ 15V | Padrão | |||||||||||||||||||||||||||
| BCW61B, 215 | 0,0200 | | 17 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BCW61B, 215-954 | 1 | 32 v | 100 ma | 20na (ICBO) | Pnp | 550mv a 1,25mA, 50mA | 180 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||
| BCM847DS, 115 | 0,0700 | | 6217 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | BCM847 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BCM847DS, 115-954 | 1.750 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pumb24,115 | 0,0200 | | 365 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | Pumb24 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-Pumb24,115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTC123EM, 315 | 0,0300 | | 25 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | PDTC123 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PDTC123EM, 315-954 | 15.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTA115EU, 115 | 0,0200 | | 284 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PDTA115EU, 115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS4021px, 115 | 1.0000 | | 1763 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-243AA | 2,5 w | SOT-89 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PBSS4021px, 115-954 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 20 v | 6.2 a | 100na | Pnp | 265mv @ 345mA, 6.9a | 150 @ 4A, 2V | 105MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | PEMF21,115 | 0,1500 | | 124 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-PEMF21,115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA114EK115 | 0,0300 | | 30 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | Fornecedor indefinido | ALCANCE AFETADO | 2156-PDTA114EK115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Buk7M21-40E, 115 | 1.0000 | | 6146 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMCM6501VPEZ | 0,2000 | | 7 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-XFBGA, WLCSP | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-WLCSP (1.48x0,98) | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.528 | Canal P. | 12 v | 6.2a (ta) | 1.8V, 4.5V | 25mohm @ 3a, 4.5V | 900MV A 250µA | 29,4 NC a 4,5 V | ± 8V | 1400 pf @ 6 V | - | 556MW (TA), 12,5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | PBSS5160PAP, 115 | - | | 7374 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-UFDFN PAD EXPOSTO | PBSS5160 | 510MW | 6-Huson (2x2) | download | 0000.00.0000 | 1 | 60V | 1a | 100na (ICBO) | 2 PNP (DUPLO) | 340mv @ 100ma, 1a | 120 @ 500mA, 2V | 125MHz |
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