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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Corte do Coletor (Máx.) | Tipo de transistor | Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic | Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequência - Transição |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CSD18511KTT | 1.6400 | ![]() | 490 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | CSD18511 | MOSFET (óxido metálico) | DDPAK/TO-263-3 | download | Compatível com ROHS3 | 2 (1 ano) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal N | 40 V | 194A (Ta) | 4,5V, 10V | 2,6mOhm a 100A, 10V | 2,4 V a 250 µA | 64 nC @ 10 V | ±20V | 5940 pF a 20 V | - | 188W (Ta) | ||||||||||
![]() | CSD13302WT | 0,9700 | ![]() | 965 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-UFBGA, DSBGA | CSD13302 | MOSFET (óxido metálico) | 4-DSBGA (1x1) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal N | 12V | 1,6A (Ta) | 2,5 V, 4,5 V | 17,1mOhm @ 1A, 4,5V | 1,3 V a 250 µA | 7,8 nC a 4,5 V | ±10V | 862 pF a 6 V | - | 1,8W (Ta) | ||||||||||
![]() | TPIC5223LD | 1.0400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | * | Volume | Ativo | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD25483F4T | 0,9400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | FemtoFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-XFDFN | CSD25483 | MOSFET (óxido metálico) | 3-PICOSTAR | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal P | 20 V | 1,6A (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 205mOhm @ 500mA, 8V | 1,2 V a 250 µA | 0,96 nC a 4,5 V | -12V | 198 pF a 10 V | - | 500mW (Ta) | ||||||||||
![]() | CSD16415Q5 | 2.4900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | CSD16415 | MOSFET (óxido metálico) | 8-VSON-CLIP (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 25 V | 100A (Tc) | 4,5V, 10V | 1,15mOhm a 40A, 10V | 1,9 V a 250 µA | 29 nC @ 4,5 V | +16V, -12V | 4100 pF a 12,5 V | - | 3,2 W (Ta) | ||||||||||
![]() | CSD19502Q5BT | 3.0100 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | CSD19502 | MOSFET (óxido metálico) | 8-VSON-CLIP (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal N | 80 V | 100A (Ta) | 6V, 10V | 4,1mOhm a 19A, 10V | 3,3 V a 250 µA | 62 nC @ 10 V | ±20V | 4870 pF a 40 V | - | 3,1 W (Ta), 195 W (Tc) | ||||||||||
![]() | CSD16325Q5 | 2.0700 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | CSD16325 | MOSFET (óxido metálico) | 8-VSON-CLIP (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 25 V | 33A (Ta), 100A (Tc) | 3V, 8V | 2mOhm @ 30A, 8V | 1,4 V a 250 µA | 25 nC @ 4,5 V | +10V, -8V | 4000 pF a 12,5 V | - | 3,1W (Ta) | ||||||||||
![]() | CSD18512Q5BT | 2.1700 | ![]() | 2134 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | CSD18512 | MOSFET (óxido metálico) | 8-VSON-CLIP (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal N | 40 V | 211A (Tc) | 4,5V, 10V | 1,6mOhm a 30A, 10V | 2,2 V a 250 µA | 98 nC @ 10 V | ±20V | 7120 pF a 20 V | - | 139W (Tc) | ||||||||||
![]() | UC3838Q | 3.1200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | * | Volume | Ativo | download | Fornecedor indefinido | Fornecedor indefinido | 2156-UC3838Q-296 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD25213W10 | 0,4700 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-UFBGA, DSBGA | CSD25213 | MOSFET (óxido metálico) | 4-DSBGA (1x1) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 1,6A (Ta) | 2,5 V, 4,5 V | 47mOhm @ 1A, 4,5V | 1,1 V a 250 µA | 2,9 nC a 4,5 V | -6V | 478 pF a 10 V | - | 1W (Ta) | ||||||||||
![]() | CSD88599Q5DCT | 5.0100 | ![]() | 97 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 22-PowerTFDFN | CSD88599Q5 | MOSFET (óxido metálico) | 12W | 22-VSON-CLIP (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 canais N (meia ponte) | 60V | - | 2,1mOhm a 30A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 27nC a 4,5V | 4840pF a 30V | - | ||||||||||||
![]() | TPIC5421LDW | 1.5400 | ![]() | 7807 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | * | Volume | Ativo | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 150 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD13306WT | 1.0900 | ![]() | 930 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 6-UFBGA, DSBGA | CSD13306 | MOSFET (óxido metálico) | 6-DSBGA (1x1,5) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal N | 12V | 3,5A (Ta) | 2,5 V, 4,5 V | 10,2mOhm @ 1,5A, 4,5V | 1,3 V a 250 µA | 11,2 nC a 4,5 V | ±10V | 1370 pF a 6 V | - | 1,9W (Ta) | ||||||||||
![]() | CSD18543Q3A | 0,9600 | ![]() | 5344 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerVDFN | CSD18543 | MOSFET (óxido metálico) | 8-VSONP (3x3,15) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 60 V | 60A (Tc) | 4,5V, 10V | 9,9mOhm a 12A, 10V | 2,7 V a 250 µA | 14,5 nC @ 10 V | ±20V | 1150 pF a 30 V | padrão | 66W (Tc) | ||||||||||
![]() | CSD23382F4 | 0,4700 | ![]() | 74 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | FemtoFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-XFDFN | CSD23382 | MOSFET (óxido metálico) | 3-PICOSTAR | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12V | 3,5A (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 76mOhm @ 500mA, 4,5V | 1,1 V a 250 µA | 1,35 nC a 6 V | ±8V | 235 pF a 6 V | - | 500mW (Ta) | ||||||||||
![]() | CSD88537NDT | 1.6600 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | CSD88537 | MOSFET (óxido metálico) | 2,1 W | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 canais N (duplo) | 60V | 15A | 15mOhm @ 8A, 10V | 3,6 V a 250 µA | 18nC @ 10V | 1400pF a 30V | - | ||||||||||||
![]() | CSD87313DMS | 0,8236 | ![]() | 9807 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerWDFN | CSD87313 | MOSFET (óxido metálico) | 8-WSON (3,3x3,3) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Dreno comum de 2 canais N (duplo) | 30V | - | - | 1,25 V a 250 µA | 28nC a 4,5V | 4290pF a 15V | - | |||||||||||||
![]() | CSD17559Q5T | 3.1800 | ![]() | 396 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | CSD17559 | MOSFET (óxido metálico) | 8-VSON-CLIP (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal N | 30 V | 100A (Ta) | 4,5V, 10V | 1,15mOhm a 40A, 10V | 1,7 V a 250 µA | 51 nC @ 4,5 V | ±20V | 9200 pF a 15 V | - | 3,2 W (Ta), 96 W (Tc) | ||||||||||
![]() | LBS-ULN2003AN | - | ![]() | 4763 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | * | Volume | Ativo | LBS-ULN2003 | - | Não aplicável | 3 (168 horas) | Fornecedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD18537NQ5AT | 1.1000 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | CSD18537 | MOSFET (óxido metálico) | 8-VSONP (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal N | 60 V | 50A (Tc) | 6V, 10V | 13mOhm @ 12A, 10V | 3,5 V a 250 µA | 18 nC @ 10 V | ±20V | 1480 pF a 30 V | - | 3,2 W (Ta), 75 W (Tc) | ||||||||||
![]() | CSD18534Q5AT | 1.2900 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | CSD18534 | MOSFET (óxido metálico) | 8-VSONP (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal N | 60 V | 50A (Ta) | 4,5V, 10V | 9,8mOhm a 14A, 10V | 2,3 V a 250 µA | 11,1 nC a 4,5 V | ±20V | 1770 pF a 30 V | - | 3,1 W (Ta), 77 W (Tc) | ||||||||||
![]() | CSD88537ND | 1.3900 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | CSD88537 | MOSFET (óxido metálico) | 2,1 W | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canais N (duplo) | 60V | 15A | 15mOhm @ 8A, 10V | 3,6 V a 250 µA | 18nC @ 10V | 1400pF a 30V | - | ||||||||||||
![]() | LP395Z/NOPB | 1.8000 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | - | Volume | Ativo | 0°C ~ 125°C (TA) | Através do furo | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | LP395 | PARA-92-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.800 | 36 V | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||
![]() | CSD17309Q3 | 1.1900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | CSD17309 | MOSFET (óxido metálico) | 8-VSON-CLIP (3,3x3,3) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 30 V | 20A (Ta), 60A (Tc) | 3V, 8V | 5,4mOhm a 18A, 8V | 1,7 V a 250 µA | 10 nC @ 4,5 V | +10V, -8V | 1440 pF a 15 V | - | 2,8 W (Ta) | ||||||||||
![]() | CSD18531Q5A | 1.7000 | ![]() | 8878 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | CSD18531 | MOSFET (óxido metálico) | 8-VSONP (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 60 V | 19A (Ta), 100A (Tc) | 4,5V, 10V | 4,6mOhm a 22A, 10V | 2,3 V a 250 µA | 43 nC @ 10 V | ±20V | 3840 pF a 30 V | - | 3,1 W (Ta), 156 W (Tc) | ||||||||||
![]() | CSD18535KTTT | 3.9100 | ![]() | 26 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-4, D²Pak (3 derivações + guia), TO-263AA | CSD18535 | MOSFET (óxido metálico) | DDPAK/TO-263-3 | download | Compatível com ROHS3 | 2 (1 ano) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 60 V | 200A (Ta), 279A (Tc) | 4,5V, 10V | 2mOhm @ 100A, 10V | 2,4 V a 250 µA | 81 nC @ 10 V | ±20V | 6620 pF a 30 V | - | 300W (Tc) | ||||||||||
![]() | CSD75207W15 | 0,6800 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 9-UFBGA, DSBGA | CSD75207 | MOSFET (óxido metálico) | 700mW | 9-DSBGA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Fonte comum de 2 canais P (duplo) | - | 3.9A | 162mOhm @ 1A, 1,8V | 1,1 V a 250 µA | 3,7nC a 4,5V | 595pF a 10V | Portão de nível lógico | ||||||||||||
![]() | CSD17506Q5A | 1.6900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | CSD17506 | MOSFET (óxido metálico) | 8-VSONP (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 30 V | 100A (Tc) | 4,5V, 10V | 4mOhm @ 20A, 10V | 1,8 V a 250 µA | 11 nC @ 4,5 V | ±20V | 1650 pF a 15 V | - | 3,2 W (Ta) | ||||||||||
![]() | CSD87355Q5DT | 2.9500 | ![]() | 750 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 155°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerLDFN | CSD87355Q5 | MOSFET (óxido metálico) | 2,8W | 8-LSON (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 canais N (duplo) assimétricos | 30V | 45A | - | 1,9 V a 250 µA | 13,7nC a 4,5V | 1860pF a 15V | Porta de nível lógico, unidade de 5V | ||||||||||||
![]() | CSD25484F4T | 0,9100 | ![]() | 16 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | FemtoFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-XFDFN | CSD25484 | MOSFET (óxido metálico) | 3-PICOSTAR | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal P | 20 V | 2,5A (Ta) | 1,8V, 8V | 94mOhm @ 500mA, 8V | 1,2 V a 250 µA | 1,42 nC a 4,5 V | -12V | 230 pF a 10 V | - | 500mW (Ta) |

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