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Transistores(427)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Tensão - Quebra (V(BR)GSS) | Corrente - Dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Tensão - Corte (VGS desligado) @ Id | Atual - Corte do Coletor (Máx.) | Tipo de transistor | Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic | Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequência - Transição | Dreno atual (Id) - Máx. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CSD18531Q5AT | 2.0600 |  | 250 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | CSD18531 | MOSFET (óxido metálico) | 8-VSONP (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal N | 60 V | 100A (Ta) | 4,5V, 10V | 4,6mOhm a 22A, 10V | 2,3 V a 250 µA | 43 nC @ 10 V | ±20V | 3840 pF a 30 V | - | 3,1 W (Ta), 156 W (Tc) | |||||||||||||||
 | CSD18536KTTT | 5.8200 | | 7727 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-4, D²Pak (3 derivações + guia), TO-263AA | CSD18536 | MOSFET (óxido metálico) | DDPAK/TO-263-3 | download | Compatível com ROHS3 | 2 (1 ano) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 60 V | 200A (Ta), 349A (Tc) | 4,5V, 10V | 1,6mOhm a 100A, 10V | 2,2 V a 250 µA | 140 nC @ 10 V | ±20V | 11430 pF a 30 V | - | 375W (Tc) | |||||||||||||||
 | CSD17382F4T | 0,8800 | | 14 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | FemtoFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-XFDFN | CSD17382 | MOSFET (óxido metálico) | 3-PICOSTAR | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal N | 30 V | 2,3A (Ta) | 1,8V, 8V | 64mOhm @ 500mA, 8V | 1,2 V a 250 µA | 2,7 nC a 4,5 V | 10V | 347 pF a 15 V | - | 500mW (Ta) | |||||||||||||||
 | CSD87384MT | 2.1400 | | 822 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 5-LGA | CSD87384 | MOSFET (óxido metálico) | 8W | 5-PTAB (5x3,5) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 canais N (meia ponte) | 30V | 30A | 7,7mOhm a 25A, 8V | 1,9 V a 250 µA | 9,2nC a 4,5V | 1150pF a 15V | Portão de nível lógico | |||||||||||||||||
 | CSD88539ND | 0,9100 | | 7 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | CSD88539 | MOSFET (óxido metálico) | 2,1 W | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canais N (duplo) | 60V | 15A | 28mOhm @ 5A, 10V | 3,6 V a 250 µA | 9,4nC a 10V | 741pF a 30V | - | |||||||||||||||||
| CSD17556Q5BT | 3.0000 | | 442 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | CSD17556 | MOSFET (óxido metálico) | 8-VSON-CLIP (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal N | 30 V | 100A (Ta) | 4,5V, 10V | 1,4mOhm a 40A, 10V | 1,65 V a 250 µA | 39 nC @ 4,5 V | ±20V | 7020 pF a 15 V | - | 3,1 W (Ta), 191 W (Tc) | |||||||||||||||
 | CSD19536KCS | 4.9800 | | 3 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | CSD19536 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 100V | 150A (Ta) | 6V, 10V | 2,7mOhm a 100A, 10V | 3,2 V a 250 µA | 153 nC @ 10 V | ±20V | 12.000 pF a 50 V | - | 375W (Tc) | |||||||||||||||
 | CSD86330Q3D | 2.1100 | | 23 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerLDFN | CSD86330Q3 | MOSFET (óxido metálico) | 6W | 8-LSON (3,3x3,3) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canais N (meia ponte) | 25V | 20A | 9,6mOhm a 14A, 8V | 2,1 V a 250 µA | 6,2nC a 4,5V | 920pF a 12,5V | Portão de nível lógico | |||||||||||||||||
| CSD18533KCS | 1.7000 | | 2 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | CSD18533 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 60 V | 72A (Ta), 100A (Tc) | 4,5V, 10V | 6,3mOhm a 75A, 10V | 2,3 V a 250 µA | 34 nC @ 10 V | ±20V | 3025 pF a 30 V | - | 192W (Tc) | |||||||||||||||
 | CSD17551Q3A | 0,7600 | | 3 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerVDFN | CSD17551 | MOSFET (óxido metálico) | 8 FILHOS (3,3x3,3) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 30 V | 12A (Tc) | 4,5V, 10V | 9mOhm @ 11A, 10V | 2,1 V a 250 µA | 7,8 nC a 4,5 V | ±20V | 1370 pF a 15 V | - | 2,6 W (Ta) | |||||||||||||||
 | CSD13306W | 0,5400 | | 3 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 6-UFBGA, DSBGA | CSD13306 | MOSFET (óxido metálico) | 6-DSBGA (1x1,5) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 12V | 3,5A (Ta) | 2,5 V, 4,5 V | 10,2mOhm @ 1,5A, 4,5V | 1,3 V a 250 µA | 11,2 nC a 4,5 V | ±10V | 1370 pF a 6 V | - | 1,9W (Ta) | |||||||||||||||
 | CSD16322Q5C | 1.4500 | | 149 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | CSD1632 | MOSFET (óxido metálico) | 8-FILHO | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 25 V | 21A (Ta), 97A (Tc) | 3V, 8V | 5mOhm @ 20A, 8V | 1,4 V a 250 µA | 9,7 nC a 4,5 V | +10V, -8V | 1365 pF a 12,5 V | - | 3,1W (Ta) | |||||||||||||||
| CSD17551Q5A | 1.0000 | | 13 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | CSD17551 | MOSFET (óxido metálico) | 8-VSONP (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 30 V | 48A (Tc) | 4,5V, 10V | 8,8mOhm a 11A, 10V | 2,2 V a 250 µA | 7,2 nC a 4,5 V | ±20V | 1272 pF a 15 V | - | 3W (Ta) | |||||||||||||||
| CSD17510Q5A | 1.2100 | | 4 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | CSD17510 | MOSFET (óxido metálico) | 8-VSONP (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 30 V | 20A (Ta), 100A (Tc) | 4,5V, 10V | 5,2mOhm a 20A, 10V | 2,1 V a 250 µA | 8,3 nC a 4,5 V | ±20V | 1250 pF a 15 V | - | 3W (Ta) | |||||||||||||||
 | CSD23280F3T | 0,9400 | | 15 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | FemtoFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-XFDFN | CSD23280 | MOSFET (óxido metálico) | 3-PICOSTAR | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal P | 12V | 1,8A (Ta) | 1,5 V, 4,5 V | 116mOhm @ 400mA, 4,5V | 950mV @ 250µA | 1,23 nC a 4,5 V | -6V | 234 pF a 6 V | - | 500mW (Ta) | |||||||||||||||
| CSD16401Q5T | 2.9600 | | 793 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | CSD16401 | MOSFET (óxido metálico) | 8-VSON-CLIP (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal N | 25 V | 100A (Ta) | 4,5V, 10V | 1,6mOhm a 40A, 10V | 1,9 V a 250 µA | 29 nC @ 4,5 V | +16V, -12V | 4100 pF a 12,5 V | - | 3,1W (Ta) | |||||||||||||||
 | ULN2803AN | - | | 6590 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Através do furo | 18 DIP (0,300", 7,62mm) | ULN2803 | - | 18-PDIP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | 50V | 500mA | - | 8NPN Darlington | 1,6 V a 500 µA, 350 mA | - | - | |||||||||||||||||||
| CSD17505Q5A | 1.7400 | | 1 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | CSD17505 | MOSFET (óxido metálico) | 8-VSONP (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 30 V | 24A (Ta), 100A (Tc) | 4,5V, 10V | 3,5mOhm a 20A, 10V | 1,8 V a 250 µA | 13 nC @ 4,5 V | ±20V | 1980 pF @ 15 V | - | 3,2 W (Ta) | |||||||||||||||
 | CSD16411Q3T | - | | 1656 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | CSD16411 | MOSFET (óxido metálico) | 8-VSON-CLIP (3,3x3,3) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 296-CSD16411Q3T | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 25 V | 50A (Tc) | 4,5V, 10V | 10mOhm @ 10A, 10V | 2,3 V a 250 µA | 3,8 nC a 4,5 V | +16V, -12V | 570 pF a 12,5 V | - | 35W (Tc) | |||||||||||||||
 | NTK3134NT1H | 0,0800 | | 191 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOT-723 | NTK3134 | - | SOT-723 | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | Fornecedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | - | 890mA (Ta) | 1,5 V, 4,5 V | - | - | ±6V | - | - | ||||||||||||||||||
| CSD16414Q5 | 2.0900 | | 2 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | CSD16414 | MOSFET (óxido metálico) | 8-VSON-CLIP (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 25 V | 34A (Ta), 100A (Tc) | 4,5V, 10V | 1,9mOhm a 30A, 10V | 2V @ 250µA | 21 nC @ 4,5 V | +16V, -12V | 3650 pF a 12,5 V | - | 3,2 W (Ta) | |||||||||||||||
 | CSD87313DMST | 2.2700 | | 1 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerWDFN | CSD87313 | MOSFET (óxido metálico) | 2,7W | 8-WSON (3,3x3,3) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Dreno comum de 2 canais N (duplo) | 30V | - | - | 1,2 V a 250 µA | 28nC a 4,5V | 4290pF a 15V | - | |||||||||||||||||
| CSD19536KTT | 5.0600 | | 923 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-4, D²Pak (3 derivações + guia), TO-263AA | CSD19536 | MOSFET (óxido metálico) | DDPAK/TO-263-3 | download | Compatível com ROHS3 | 2 (1 ano) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal N | 100V | 200A (Ta) | 6V, 10V | 2,4mOhm a 100A, 10V | 3,2 V a 250 µA | 153 nC @ 10 V | ±20V | 12.000 pF a 50 V | - | 375W (Tc) | |||||||||||||||
| TPS1101DR | 1.0319 | | 6739 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | TPS1101 | MOSFET (óxido metálico) | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | Canal P | 15V | 2,3A (Ta) | 2,7V, 10V | 90mOhm a 2,5A, 10V | 1,5 V a 250 µA | 11,25 nC a 10 V | +2V, -15V | - | 791mW (Ta) | ||||||||||||||||
| CSD16321Q5 | 1.6600 | | 26 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | CSD16321 | MOSFET (óxido metálico) | 8-VSON-CLIP (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 25 V | 31A (Ta), 100A (Tc) | 3V, 8V | 2,4mOhm a 25A, 8V | 1,4 V a 250 µA | 19 nC @ 4,5 V | +10V, -8V | 3100 pF a 12,5 V | - | 3,1W (Ta) | |||||||||||||||
 | JFE150DCKT | 3.0500 | | 332 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 125°C (TJ) | Montagem em superfície | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | JFE150 | SC-70-5 | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal N | 40 V | 24pF a 5V | 40 V | 24 mA a 10 V | 1,5 V a 0,1 µA | 50 mA | |||||||||||||||||||||
| CSD16408Q5C | 1.6100 | | 70 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | CSD164 | MOSFET (óxido metálico) | 8-VSON-CLIP (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 25 V | 22A (Ta), 113A (Tc) | 4,5V, 10V | 4,5mOhm a 25A, 10V | 2,1 V a 250 µA | 8,9 nC a 4,5 V | +16V, -12V | 1300 pF a 12,5 V | - | 3,1W (Ta) | |||||||||||||||
 | LM395T/NOPB | 3.7500 | | 1 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | - | Tubo | Ativo | 0°C ~ 125°C (TA) | Através do furo | PARA-220-3 | LM395 | PARA-220-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 45 | 36 V | 2.2A | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||
 | CSD13202Q2 | 0,5800 | | 14 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | Almofada exposta 6-WDFN | CSD13202 | MOSFET (óxido metálico) | 6-WSON (2x2) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 12V | 22A (Ta) | 2,5 V, 4,5 V | 9,3mOhm @ 5A, 4,5V | 1,1 V a 250 µA | 6,6 nC a 4,5 V | ±8V | 997 pF a 6 V | - | 2,7 W (Ta) | |||||||||||||||
| TPS1120DR | 2.1000 | | 1 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | TPS1120 | MOSFET (óxido metálico) | 840mW | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 canais P (duplo) | 15V | 1.17A | 180mOhm @ 1,5A, 10V | 1,5 V a 250 µA | 5,45nC a 10V | - | Portão de nível lógico |
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