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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Atual - Corte do Coletor (Máx.) | Tipo de transistor | Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic | Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequência - Transição |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CSD16570Q5BT | 2.8000 | ![]() | 26 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | CSD16570 | MOSFET (óxido metálico) | 8-VSONP (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal N | 25 V | 100A (Ta) | 4,5V, 10V | 0,59mOhm a 50A, 10V | 1,9 V a 250 µA | 250 nC @ 10 V | ±20V | 14.000 pF a 12 V | - | 3,2 W (Ta), 195 W (Tc) | |||||||||||
![]() | CSD16407Q5 | 1.7700 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | CSD16407 | MOSFET (óxido metálico) | 8-VSONP (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 25 V | 31A (Ta), 100A (Tc) | 4,5V, 10V | 2,4mOhm a 25A, 10V | 1,9 V a 250 µA | 18 nC @ 4,5 V | +16V, -12V | 2.660 pF a 12,5 V | - | 3,1W (Ta) | |||||||||||
![]() | CSD13302W | 0,4900 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-UFBGA, DSBGA | CSD13302 | MOSFET (óxido metálico) | 4-DSBGA (1x1) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 12V | 1,6A (Ta) | 2,5 V, 4,5 V | 17,1mOhm @ 1A, 4,5V | 1,3 V a 250 µA | 7,8 nC a 4,5 V | ±10V | 862 pF a 6 V | - | 1,8W (Ta) | |||||||||||
![]() | CSD18532NQ5BT | 2.9700 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | CSD18532 | MOSFET (óxido metálico) | 8-VSON-CLIP (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal N | 60 V | 100A (Ta) | 6V, 10V | 3,4mOhm a 25A, 10V | 3,4 V a 250 µA | 64 nC @ 10 V | ±20V | 5340 pF a 30 V | - | 3,1 W (Ta), 156 W (Tc) | |||||||||||
![]() | CSD18513Q5A | 1.2300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | CSD18513 | MOSFET (óxido metálico) | 8-VSONP (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 40 V | 124A (Tc) | 4,5V, 10V | 5,3mOhm a 19A, 10V | 2,4 V a 250 µA | 61 nC @ 10 V | ±20V | 4280 pF a 20 V | - | 96W (Tc) | |||||||||||
![]() | CSD17577Q5AT | 1.4100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | CSD17577 | MOSFET (óxido metálico) | 8-VSONP (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal N | 30 V | 60A (Ta) | 4,5V, 10V | 4,2mOhm a 18A, 10V | 1,8 V a 250 µA | 35 nC @ 10 V | ±20V | 2310 pF a 15 V | - | 3W (Ta), 53W (Tc) | |||||||||||
![]() | CSD17573Q5B | 1.6200 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | CSD17573Q5 | MOSFET (óxido metálico) | 8-VSON-CLIP (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 30 V | 100A (Ta) | 4,5V, 10V | 1mOhm a 35A, 10V | 1,8 V a 250 µA | 64 nC @ 4,5 V | ±20V | 9.000 pF a 15 V | - | 3,2 W (Ta), 195 W (Tc) | |||||||||||
![]() | LP395Z/LFT4 | - | ![]() | 8332 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 125°C (TA) | Através do furo | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Condutores formados | LP395 | PARA-92-3 | - | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 36 V | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||
![]() | CSD18504Q5AT | 1.3700 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | CSD18504 | MOSFET (óxido metálico) | 8-VSONP (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal N | 40 V | 50A (Ta) | 4,5V, 10V | 6,6mOhm a 17A, 10V | 2,4 V a 250 µA | 9,2 nC a 4,5 V | ±20V | 1656 pF a 20 V | - | 3,1 W (Ta), 77 W (Tc) | |||||||||||
![]() | CSD25303W1015 | - | ![]() | 2361 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 6-UFBGA, DSBGA | CSD2530 | MOSFET (óxido metálico) | 6-DSBGA (1x1,5) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3A (Tc) | 1,8 V, 4,5 V | 58mOhm @ 1,5A, 4,5V | 1V @ 250µA | 4,3 nC @ 4,5 V | ±8V | 435 pF a 10 V | - | 1,5W (Ta) | |||||||||||
![]() | CSD25211W1015 | 0,6600 | ![]() | 383 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 6-UFBGA, DSBGA | CSD25211 | MOSFET (óxido metálico) | 6-DSBGA (1x1,5) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3,2A (Ta) | 2,5 V, 4,5 V | 33mOhm @ 1,5A, 4,5V | 1,1 V a 250 µA | 4,1 nC a 4,5 V | -6V | 570 pF a 10 V | - | 1W (Ta) | |||||||||||
![]() | CSD17381F4 | 0,4200 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-XFDFN | CSD17381 | MOSFET (óxido metálico) | 3-PICOSTAR | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal N | 30 V | 3.1A (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 109mOhm @ 500mA, 8A | 1,1 V a 250 µA | 1,35 nC a 4,5 V | 12V | 195 pF a 15 V | - | 500mW (Ta) | |||||||||||
![]() | CSD23203W | 0,5100 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 6-UFBGA, DSBGA | CSD23203 | MOSFET (óxido metálico) | 6-DSBGA (1x1,5) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 8V | 3A (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 19,4mOhm @ 1,5A, 4,5V | 1,1 V a 250 µA | 6,3 nC a 4,5 V | -6V | 914 pF a 4 V | - | 750 mW (Ta) | |||||||||||
![]() | CSD23202W10 | 0,4200 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-UFBGA, DSBGA | CSD23202 | MOSFET (óxido metálico) | 4-DSBGA (1x1) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12V | 2,2A (Ta) | 1,5 V, 4,5 V | 53mOhm @ 500mA, 4,5V | 900mV a 250µA | 3,8 nC a 4,5 V | -6V | 512 pF a 6 V | - | 1W (Ta) | |||||||||||
![]() | CSD18541F5T | 0,9500 | ![]() | 29 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | FemtoFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-SMD, sem chumbo | CSD18541 | MOSFET (óxido metálico) | 3-PICOSTAR | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal N | 60 V | 2,2A (Ta) | 4,5V, 10V | 65mOhm @ 1A, 10V | 2,2 V a 250 µA | 14 nC @ 10 V | ±20V | 777 pF a 30 V | - | 500mW (Ta) | |||||||||||
![]() | CSD19538Q3A | 0,6500 | ![]() | 9125 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerVDFN | CSD19538 | MOSFET (óxido metálico) | 8-VSONP (3x3,3) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 100V | 15A (Ta) | 6V, 10V | 59mOhm @ 5A, 10V | 3,8 V a 250 µA | 4,3 nC a 10 V | ±20V | 454 pF a 50 V | - | 2,8 W (Ta), 23 W (Tc) | |||||||||||
![]() | CSD83325L | 0,6000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 6-XFBGA | CSD83325 | MOSFET (óxido metálico) | 2,3W | 6-PicoStar | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Dreno comum de 2 canais N (duplo) | 12V | - | - | 1,25 V a 250 µA | 10,9nC a 4,5V | - | - | |||||||||||||
![]() | TPIC1505DWR | 1.5800 | ![]() | 31 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | * | Volume | Ativo | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | Fornecedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD18513Q5AT | 1.3900 | ![]() | 280 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | CSD18513 | MOSFET (óxido metálico) | 8-VSONP (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal N | 40 V | 124A (Tc) | 4,5V, 10V | 5,3mOhm a 19A, 10V | 2,4 V a 250 µA | 61 nC @ 10 V | ±20V | 4280 pF a 20 V | - | 96W (Tc) | |||||||||||
![]() | ULN2803ADWR | - | ![]() | 5137 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | Automotivo, AEC-Q100 | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 18-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) | ULN2803 | - | 18-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 2 (1 ano) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 50V | 500mA | - | 8NPN Darlington | 1,6 V a 500 µA, 350 mA | - | - | |||||||||||||||
| TPS1100PWR | 0,7130 | ![]() | 4284 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-TSSOP (0,173", 4,40 mm de largura) | TPS1100 | MOSFET (óxido metálico) | 8-TSSOP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.000 | Canal P | 15V | 1,27A (Ta) | 2,7V, 10V | 180mOhm @ 1,5A, 10V | 1,5 V a 250 µA | 5,45 nC a 10 V | +2V, -15V | - | 504mW (Ta) | |||||||||||||
| CSD18534KCS | 1.5300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | CSD18534 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 60 V | 45A (Ta), 100A (Tc) | 4,5V, 10V | 9,5mOhm a 40A, 10V | 2,3 V a 250 µA | 24 nC @ 10 V | ±20V | 1880 pF a 30 V | - | 107W (Tc) | ||||||||||||
![]() | CSD25402Q3AT | 1.1200 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerVDFN | CSD25402Q3 | MOSFET (óxido metálico) | 8-VSONP (3x3,3) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 296-CSD25402Q3ATCT | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal P | 20 V | 15A (Ta), 76A (Tc) | 1,8 V, 4,5 V | 8,9mOhm a 10A, 4,5V | 1,15 V a 250 µA | 9,7 nC a 4,5 V | ±12V | 1790 pF a 10 V | - | 2,8 W (Ta), 69 W (Tc) | ||||||||||
![]() | CSD13385F5 | 0,4900 | ![]() | 49 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | FemtoFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-SMD, sem chumbo | CSD13385 | MOSFET (óxido metálico) | 3-PICOSTAR | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal N | 12V | 4,3A (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 19mOhm a 900mA, 4,5V | 1,2 V a 250 µA | 5 nC @ 4,5 V | 8V | 674 pF a 6 V | - | 500mW (Ta) | |||||||||||
![]() | TPS1100DR | 0,7130 | ![]() | 1041 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | TPS1100 | MOSFET (óxido metálico) | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | Canal P | 15V | 1,6A (Ta) | 2,7V, 10V | 180mOhm @ 1,5A, 10V | 1,5 V a 250 µA | 5,45 nC a 10 V | +2V, -15V | - | 791mW (Ta) | ||||||||||||
![]() | CSD19537Q3 | 1.3300 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerVDFN | CSD19537 | MOSFET (óxido metálico) | 8-VSON (3,3x3,3) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 100V | 50A (Ta) | 6V, 10V | 14,5mOhm a 10A, 10V | 3,6 V a 250 µA | 21 nC @ 10 V | ±20V | 1680 pF a 50 V | - | 2,8 W (Ta), 83 W (Tc) | |||||||||||
| CSD18542KCS | 2.5100 | ![]() | 518 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | CSD18542 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 60 V | 200A (Ta) | 4,5V, 10V | 44mOhm @ 100A, 10V | 2,2 V a 250 µA | 57 nC @ 10 V | ±20V | 5070 pF a 30 V | - | 200W (Tc) | ||||||||||||
![]() | 2N3303 | - | ![]() | 2057 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | * | Volume | Obsoleto | - | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH afetado | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD17581Q3AT | 0,9700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerVDFN | CSD17581 | MOSFET (óxido metálico) | 8-VSONP (3x3,3) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal N | 30 V | 60A (Tc) | 4,5V, 10V | 3,8mOhm a 16A, 10V | 1,7 V a 250 µA | 54 nC @ 10 V | ±20V | 3640 pF a 15 V | - | 2,8 W (Ta), 63 W (Tc) | |||||||||||
![]() | CSD17313Q2T | 1.1900 | ![]() | 26 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | NexFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | Almofada exposta 6-WDFN | CSD17313 | MOSFET (óxido metálico) | 6-WSON (2x2) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal N | 30 V | 5A (Ta) | 3V, 8V | 30mOhm @ 4A, 8V | 1,8 V a 250 µA | 2,7 nC a 4,5 V | +10V, -8V | 340 pF a 15 V | - | 2,4 W (Ta), 17 W (Tc) |

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