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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tensão - Nominal | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tipo de entrada | Frequência | Tecnologia | Potência - Máx. | Entrada | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Classificação atual (amperes) | Condição de teste | Atual - Teste | Potência - Saída | Ganho | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Figura de ruído | Tipo IGBT | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic | Trocando Energia | Taxa de portão | Td (ligado/desligado) @ 25°C | Tensão - Teste | Atual - Corte do Coletor (Máx.) | Termistor NTC | Capacitância de entrada (Cies) @ Vce | Tipo de transistor | Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic | Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequência - Transição |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VRF152G | 174.5800 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | 130 V | SOT-262A1 | VRF152 | 175MHz | MOSFET | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 150-VRF152G | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canais N (duplo) | 50µA | 500 mA | 300W | 16dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2727 | 15.9600 | ![]() | 9164 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | - | Através do furo | TO-205AA, TO-5-3 Lata de metal | 1W | PARA-5AA | - | REACH não afetado | 150-2N2727 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 V | 500 mA | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSP2N3810U | 262.3106 | ![]() | 5377 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/336 | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montagem em superfície | 6-SMD, sem chumbo | 2N3810 | 350mW | Você | - | REACH não afetado | 150-JANSP2N3810U | 1 | 60V | 50mA | 10µA (ICBO) | 2 PNP (duplo) | 250mV @ 100µA, 1mA | 150 @ 1mA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N2060 | 52.9340 | ![]() | 9662 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/270 | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | Lata metálica TO-78-6 | 2N2060 | 600mW | PARA-78-6 | - | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 500mA | 10µA (ICBO) | 2 NPN (duplo) | 300mV @ 5mA, 50mA | 50 @ 10mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM120AM042CD3AG | 936.0500 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Caixa | Ativo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em chassi | Módulo | MSCSM120 | Carboneto de Silício (SiC) | 2.031 kW (Tc) | D3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 150-MSCSM120AM042CD3AG | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal 2 N (perna de fase) | 1200V (1,2kV) | 495A (Tc) | 5,2mOhm a 240A, 20V | 2,8 V a 6 mA | 1392nC @ 20V | 18,1pF a 1000V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5545 | 36.4200 | ![]() | 5376 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | * | Volume | Ativo | - | REACH não afetado | 150-2N5545 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N4399 | 169.0512 | ![]() | 6928 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/433 | Volume | Ativo | -55°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-204AA, TO-3 | 2N4399 | 5 W | TO-3 (TO-204AA) | - | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 30 A | 100µA | PNP | 750mV @ 1A, 10A | 15 @ 15A, 2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N5415UA | 197.5512 | ![]() | 9093 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/485 | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-SMD, sem chumbo | 750 mW | UA | - | RoHS não compatível | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 200 V | 50 µA | 50µA | PNP | 2V a 5mA, 50mA | 30 @ 50mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT100GN120JDQ4 | 55.6400 | ![]() | 4345 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | APT100 | 446 W | padrão | ISOTOP® | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | Parada de campo de trincheira | 1200 V | 153A | 2,1V a 15V, 100A | 200 µA | Não | 6,5 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANKCAD2N3637 | - | ![]() | 9095 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/357 | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-205AD, TO-39-3 Lata de metal | 1W | TO-39 (TO-205AD) | - | REACH não afetado | 150-JANKCAD2N3637 | 100 | 175 V | 1A | 10µA | PNP | 600mV @ 5mA, 50mA | 100 @ 50mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSF2N2907AUB/TR | 146.9710 | ![]() | 2254 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/291 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-SMD, sem chumbo | 2N2907 | 500 mW | 3-SMD | - | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 150-JANSF2N2907AUB/TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 600 mA | 50nA | PNP | 1,6 V a 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSR2N2484UB | 70.4104 | ![]() | 9876 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | - | - | - | 2N2484 | - | - | REACH não afetado | JANSR2N2484UBMS | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5760 | 77.3850 | ![]() | 7509 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-204AA, TO-3 | 150 W | TO-204AD (TO-3) | - | REACH não afetado | 150-2N5760 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 V | 6A | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5237 | 23.9134 | ![]() | 5425 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-205AA, TO-5-3 Lata de metal | 2N5237 | 1W | PARA-5AA | download | RoHS não compatível | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 120V | 10A | 10µA | NPN | 2,5V a 1A, 10A | 50 @ 1A, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSP2N5151U3 | 229.9812 | ![]() | 2005 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-SMD, sem chumbo | 1,16W | U3 | - | REACH não afetado | 150-JANSP2N5151U3 | 1 | 80 V | 2A | 50µA | PNP | 1,5V a 500mA, 5A | 30 @ 2,5A, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2C5667 | 22.3050 | ![]() | 6816 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | * | Volume | Ativo | - | REACH não afetado | 150-2C5667 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT50M65JLL | 44.1500 | ![]() | 5375 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | POWERMOS 7® | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | APT50M65 | MOSFET (óxido metálico) | ISOTOP® | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 500 V | 58A (Tc) | 10V | 65mOhm a 29A, 10V | 5 V a 2,5 mA | 141 nC @ 10 V | ±30V | 7010 pF a 25 V | - | 520W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SG2821J-883B | - | ![]() | 1561 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Bandeja | Ativo | -55°C ~ 125°C (AT) | Através do furo | 18 CDIP (0,300", 7,62mm) | SG2821 | - | 18-CERDIP | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 150-SG2821J-883B | EAR99 | 8541.29.0095 | 21 | 95V | 500mA | - | 8NPN Darlington | 1,6 V a 500 µA, 350 mA | 1000 @ 350mA, 2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2C3810-MSCL | 22.3650 | ![]() | 7070 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | * | Volume | Ativo | - | REACH não afetado | 150-2C3810-MSCL | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSG2N2907AUBC | 305.9206 | ![]() | 9802 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/291 | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-SMD, sem chumbo | 500 mW | UBC | - | REACH não afetado | 150-JANSG2N2907AUBC | 1 | 60 V | 600 mA | 50nA | PNP | 1,6 V a 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCGLQ100A65TG | 100.3500 | ![]() | 5903 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | * | Volume | Ativo | MSCGLQ | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 150-MSCGLQ100A65TG | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2991 | 27.6600 | ![]() | 8395 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-205AA, TO-5-3 Lata de metal | 5 W | PARA-5AA | - | REACH não afetado | 150-2N2991 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 1A | - | NPN | 3 V a 50 µA, 200 µA | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT75GN120LG | 16.3600 | ![]() | 172 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-264-3, TO-264AA | APT75GN120 | padrão | 833W | TO-264 [L] | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 800V, 75A, 1Ohm, 15V | Parada de campo de trincheira | 1200 V | 200A | 225A | 2,1V a 15V, 75A | 8620 µJ (ligado), 11400 µJ (desligado) | 425nC | 60ns/620ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MNSKC2N2222A | 8.6051 | ![]() | 8187 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | * | Volume | Ativo | - | REACH não afetado | 150-MNSKC2N2222A | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N7371 | - | ![]() | 4507 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/623 | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-254-3, TO-254AA (condutores retos) | 100 W | TO-254AA | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100V | 12A | 1mA | PNP - Darlington | 3V a 120mA, 12A | 1000 @ 6A, 3V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT43M60L | 12.5600 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | POWERMOS 8™ | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-264-3, TO-264AA | APT43M60 | MOSFET (óxido metálico) | TO-264 [L] | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 600 V | 45A (Tc) | 10V | 150mOhm a 21A, 10V | 5 V a 2,5 mA | 215 nC @ 10 V | ±30V | 8590 pF a 25 V | - | 780W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSR2N3810U | - | ![]() | 4251 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montagem em superfície | 6-SMD, sem chumbo | 2N3810 | 350mW | Você | - | REACH não afetado | 150-MSR2N3810U | 100 | 60V | 50mA | 10µA (ICBO) | 2 PNP (duplo) | 250mV @ 100µA, 1mA | 150 @ 1mA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT54GA60BD30 | 7.7000 | ![]() | 5341 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | APT54GA60 | padrão | 416 W | PARA-247 [B] | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V, 32 A, 4,7 Ohm, 15 V | PT | 600 V | 96A | 161A | 2,5V a 15V, 32A | 534 µJ (ligado), 466 µJ (desligado) | 28 nC | 17ns/112ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT5010JVFR | 41.0500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | POWER MOS V® | Tubo | Ativo | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | APT5010 | MOSFET (óxido metálico) | ISOTOP® | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 500 V | 44A (Tc) | 100mOhm @ 500mA, 10V | 4 V a 2,5 mA | 470 nC @ 10 V | 8.900 pF a 25 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N3998 | 151.6998 | ![]() | 7851 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/374 | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Chassi, montagem em pino | TO-210AA, TO-59-4, pino | 2N3998 | 2W | TO-59 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 10A | 10µA | NPN | 2V a 500mA, 5A | 40 @ 1A, 2V | - |

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