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| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Entrada | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Tensão - Teste | Tensão - Quebra (V (BR) GSS) | Corrente - DRENO (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tensão - Corte (VGS desligado) @ id | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Termistor NTC | CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE | Resistência - rds (on) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JANS2N5666U3 | 1.0000 |  | 3822 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/455 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-SMD, Chumbo Plano | 2N5666 | 1,5 w | U3 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 5 a | 200na | Npn | 1v @ 1a, 5a | 40 @ 1A, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SG2821J-DESC | - | | 7302 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Bandeja | Ativo | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Através do buraco | 18-CDIP (0,300 ", 7,62 mm) | SG2821 | - | 18 caerdip | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-SG2821J-DESC | Ear99 | 8541.29.0095 | 21 | 95V | 500mA | - | 8 NPN Darlington | 1.6V @ 500µA, 350mA | 1000 @ 350mA, 2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jansl2n3440l | 233.7316 | | 7136 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/368 | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 800 MW | TO-5AA | - | Alcançar Não Afetado | 150-Jansl2n3440l | 1 | 250 v | 1 a | 2µA | Npn | 500mv @ 4Ma, 50Ma | 40 @ 20MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N3724L | 15.6541 | | 5447 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | Através do buraco | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 2N3724 | TO-5 | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3635UB | - | | 1890 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Descontinuado no sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | 1,5 w | 3-SMD | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 1 a | 10µA | Pnp | 600mV @ 5MA, 50MA | 100 @ 50MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jan2n6212 | - | | 5332 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/461 | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 200 ° C (TA) | Através do buraco | TO-213AA, TO-66-2 | 3 w | TO-66 (TO-213AA) | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 v | 5 MA | 5mA | Pnp | 1.6V a 125mA, 1a | 30 @ 1A, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4930U4 | 82.5000 | | 7050 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | 1 w | U4 | - | Alcançar Não Afetado | 150-2N4930U4 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 200 MA | 250na (ICBO) | Pnp | 1.2V @ 3MA, 30MA | 50 @ 30MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jan2n3250a | - | | 2396 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/323 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N3250 | 360 MW | TO-39 (TO-205AD) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 200 MA | 10µA (ICBO) | Pnp | 500mv @ 5Ma, 50Ma | 50 @ 10MA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT94N60L2C3G | 26.7200 | | 6476 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-264-3, TO-264AA | APT94N60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 264 Max ™ [L2] | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 v | 94A (TC) | 10V | 35mohm @ 60a, 10V | 3.9V @ 5.4MA | 640 nc @ 10 V | ± 20V | 13600 pf @ 25 V | - | 833W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| Jan2n5237s | 16.4787 | | 1156 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/394 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N5237 | 1 w | TO-39 (TO-205AD) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 v | 10 a | 10µA | Npn | 2.5V @ 1A, 10A | 40 @ 5A, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MV2N5116UB | 95.6403 | | 6679 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | 500 MW | Ub | - | Alcançar Não Afetado | 150-MV2N5116UB | 1 | Canal P. | 30 v | 27pf @ 15V | 30 v | 5 mA a 15 V | 1 V @ 1 NA | 175 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jansm2N3635UB | 147.1604 | | 9234 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/357 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-smd, sem chumbo | 1,5 w | Ub | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 10 µA | 10µA | Pnp | 600mV @ 5MA, 50MA | 100 @ 10ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MQ2N4860UB | 80.7975 | | 5859 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/385 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | 360 MW | Ub | - | Alcançar Não Afetado | 150-MQ2N4860UB | 1 | N-canal | 30 v | 18pf @ 10V | 30 v | 20 mA a 15 V | 2 V @ 500 PA | 40 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MQ2N4861UB | 80.7975 | | 4007 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/385 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | 360 MW | Ub | - | Alcançar Não Afetado | 150-MQ2N4861UB | 1 | N-canal | 30 v | 18pf @ 10V | 30 v | 8 mA a 15 V | 800 mV @ 500 PA | 60 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jansr2N5151U3 | 229.9812 | | 7770 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | 1.16 w | U3 | - | Alcançar Não Afetado | 150-JANSR2N5151U3 | 1 | 80 v | 2 a | 50µA | Pnp | 1,5V a 500mA, 5a | 30 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jansm2N3499 | 41.5800 | | 4529 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/366 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 w | TO-39 (TO-205AD) | - | Alcançar Não Afetado | 150-Jansm2N3499 | 1 | 100 v | 500 MA | 10µA (ICBO) | Npn | 600mV A 30MA, 300mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N2102 | 27.3182 | | 2997 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | - | Através do buraco | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 5 w | TO-5 | - | Alcançar Não Afetado | 2N2102ms | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 65 v | 1 a | - | Pnp | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | VRF141 | 70.0400 | | 1004 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | CAIXA | Ativo | 80 v | M174 | VRF141 | 30MHz | MOSFET | M174 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | N-canal | 20a | 250 Ma | 150W | 20dB | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Apt12067lfllg | 33.9300 | | 3869 | 0,00000000 | Microchip Technology | Power MOS 7® | Tubo | Ativo | Através do buraco | TO-264-3, TO-264AA | APT12067 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-264 [L] | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1200 v | 18a (TC) | 670mohm @ 9a, 10V | 5V @ 2.5mA | 150 nc @ 10 V | 4420 pf @ 25 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT6013JFLL | 40.3900 | | 9012 | 0,00000000 | Microchip Technology | Power MOS 7® | Tubo | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | APT6013 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Isotop® | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 v | 39a (TC) | 130mohm @ 19.5a, 10V | 5V @ 2.5mA | 130 nc @ 10 V | 5630 pf @ 25 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jansl2N2222AUB/tr | 181.0950 | | 4627 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | 150-JANSL2N2222AUB/TR | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Aptm20am10ftg | 147.6100 | | 5362 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp4 | APTM20 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 694W | Sp4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Meia Ponte) | 200V | 175a | 12mohm @ 87.5a, 10V | 5V @ 5MA | 224NC @ 10V | 13700pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jan2n1482 | - | | 3135 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/207 | Volume | Descontinuado no sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 1 w | TO-5 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 55 v | 1.5 a | 5µA (ICBO) | Npn | 750mv @ 10Ma, 200Ma | 35 @ 200Ma, 4V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3506al | 12.2626 | | 6606 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 2N3506 | 1 w | TO-5AA | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 3 a | 1µA | Npn | 1.5V a 250mA, 2.5a | 50 @ 500mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jankcbm2n2222a | - | | 7371 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN | 500 MW | TO-18 (TO-206AA) | - | Alcançar Não Afetado | 150-JANKCBM2N2222A | 100 | 50 v | 800 mA | 50na | Npn | 1V @ 50MA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jansl2N3810 | 198.9608 | | 3899 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500 /336 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-78-6 METAL CAN | 2N3810 | 350mw | TO-78-6 | - | Alcançar Não Afetado | 150-Jansl2N3810 | 1 | 60V | 50mA | 10µA (ICBO) | 2 PNP (DUPLO) | 250mv @ 100µA, 1MA | 150 @ 1MA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Apt60m75l2fllg | 50.6400 | | 3148 | 0,00000000 | Microchip Technology | Power MOS 7® | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-264-3, TO-264AA | APT60M75 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 264 Max ™ [L2] | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 v | 73a (TC) | 10V | 75mohm @ 36.5a, 10V | 5V @ 5MA | 195 NC @ 10 V | ± 30V | 8930 pf @ 25 V | - | 893W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| APT84F50L | 15.9300 | | 4464 | 0,00000000 | Microchip Technology | Power MOS 8 ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-264-3, TO-264AA | APT84F50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-264 [L] | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 v | 84a (TC) | 10V | 65mohm @ 42a, 10V | 5V @ 2.5mA | 340 nc @ 10 V | ± 30V | 13500 pf @ 25 V | - | 1135W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | APTGT200A120G | 235.4600 | | 7485 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp6 | APTGT200 | 890 w | Padrão | Sp6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Meia Ponte | Parada de Campo da Trinceira | 1200 v | 280 a | 2.1V @ 15V, 200a | 350 µA | Não | 14 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx2N3764 | - | | 4740 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/396 | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-206AB, TO-46-3 METAL CAN | 500 MW | TO-46 (TO-206AB) | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 v | 1.5 a | 10µA (ICBO) | Pnp | 900mv @ 100ma, 1a | 30 @ 1A, 1,5V | - |
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