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Transistores (5714)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tecnologia	Poder - Máx	Entrada	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nível de sensibilidade à Umidade (msl)	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Configuraça	TIPO DE FET	Escorra para um tensão de origem (VDSS)	Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C	Tensão de conduça (max rds on, min rds on)	Rds em (max) @ id, vgs	VGS (th) (max) @ id	Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS	VGs (Máximoo)	CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Recurso FET	DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX)	TIPO IGBT	Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max)	Corrente - Coletor (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Tensão - Quebra (V (BR) GSS)	Corrente - DRENO (IDSS) @ VDS (VGS = 0)	Tensão - Corte (VGS desligado) @ id	Corrente - Corte de Colecionador (Max)	Termistor NTC	CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE	Resistência - rds (on)	Tipo de transistor	Vce saturação (max) @ ib, ic	Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE	Frequencia - Transmissão
Janhcd2N5152	-	RFQ	3290	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/544	Tape & Reel (TR)	Ativo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN			1 w		TO-39 (TO-205AD)	download	ROHS3 Compatível		Alcançar Não Afetado	150-JANHCD2N5152	Ear99	8541.29.0095	1														80 v	2 a					50µA				Npn	1,5V a 500mA, 5a	30 @ 2.5a, 5V	-
MX2N5115	66.0744	RFQ	6096	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500	Volume	Ativo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN			500 MW		TO-18 (TO-206AA)	-	Rohs Não Compatível		Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.21.0095	1		Canal P.	30 v							25pf @ 15V							30 v	15 mA a 15 V	6 V @ 1 NA				100 ohms
MV2N4856UB/TR	80.6379	RFQ	1056	Microchip Technology	*	Tape & Reel (TR)	Ativo									-	ROHS3 Compatível		Alcançar Não Afetado	150-MV2N4856UB/TR			1
2n1893s	25.9217	RFQ	2842	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN	2N1893		3 w		TO-39 (TO-205AD)	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.29.0095	1														80 v	500 MA					10µA (ICBO)				Npn	5V @ 15MA, 150mA	40 @ 150mA, 10V	-
Jantx2N5679	25.8020	RFQ	1240	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/582	Volume	Ativo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN			1 w		TO-39 (TO-205AD)	-			Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.29.0095	1														100 v	10 µA					10µA				Pnp	1V @ 50MA, 500mA	40 @ 250mA, 2V	-
2N5083	287.8650	RFQ	5733	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Montagem do Pino	TO-210AA, TO-59-4, Stud			20 w		TO-59	-			Alcançar Não Afetado	150-2N5083	Ear99	8541.29.0095	1														60 v	10 a					-				Pnp	-	-	-
Jan2n5152U3	344.9887	RFQ	7512	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/544	Volume	Ativo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	3-SMD, sem chumbo			1 w		U3	-	Rohs Não Compatível		Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.29.0095	1														80 v	1 MA					1Ma				Npn	1,5V a 500mA, 5a	30 @ 2.5a, 5V	-
2n6193qfn/tr	23.6100	RFQ	3058	Microchip Technology	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	-65 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN			1 w		TO-39 (TO-205AD)	-			Alcançar Não Afetado	150-2N6193QFN/TR	Ear99	8541.29.0095	100														100 v	5 a					100µA				Pnp	1.2V @ 500MA, 5A	60 @ 2A, 2V	-
Jantx2N3741U4	-	RFQ	4418	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/441	Volume	Ativo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	3-SMD, sem chumbo			25 w		U4	-	Rohs Não Compatível		Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.29.0095	1														80 v	10 µA					10µA				Pnp	600mV A 1,25mA, 1A	30 @ 250mA, 1V	-
Jansr2n5153l	98.9702	RFQ	1472	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN			1 w		TO-5AA	-			Alcançar Não Afetado	150-JANSR2N5153L			1														80 v	2 a					50µA				Pnp	1,5V a 500mA, 5a	70 @ 2.5a, 5V	-
APT50M75JLLU2	32.1100	RFQ	8226	Microchip Technology	Power MOS 7®	Volume	Ativo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem do chassi	SOT-227-4, Minibloc	APT50M75	MOSFET (ÓXIDO DE METAL)			SOT-227	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.29.0095	1		N-canal	500 v	51a (TC)	10V	75mohm @ 25.5a, 10V	5V @ 1MA	123 nc @ 10 V	± 30V	5590 pf @ 25 V	-	290W (TC)
MSR2N2907AUB	-	RFQ	3334	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/291	Volume	Ativo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	3-SMD, sem chumbo			500 MW		Ub	-			Alcançar Não Afetado	150-MSR2N2907AUB			100														60 v	600 mA					50na				Pnp	1.6V @ 50Ma, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
2N5389	519.0900	RFQ	7084	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Montagem do Pino	TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud			175 w		TO-61	-			Alcançar Não Afetado	150-2N5389	Ear99	8541.29.0095	1														300 v	7 a					-				Npn	-	-	-
MX2N5114UB	86.9288	RFQ	9470	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500	Volume	Ativo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	3-SMD, sem chumbo			500 MW		Ub	-			Alcançar Não Afetado	150-MX2N5114UB			1		Canal P.	30 v							25pf @ 15V							30 v	30 mA @ 18 V	5 V @ 1 NA				75 ohms
MV2N5115UB	95.6403	RFQ	7313	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500	Volume	Ativo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	3-SMD, sem chumbo			500 MW		Ub	-			Alcançar Não Afetado	150-MV2N5115UB			1		Canal P.	30 v							25pf @ 15V							30 v	15 mA a 15 V	3 V @ 1 NA				100 ohms
Jan2n2605ub	-	RFQ	4012	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/354	Volume	Ativo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	4-smd, sem chumbo	2N2605		400 MW		Ub	-	Rohs Não Compatível		Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.21.0095	1														60 v	30 mA					10Na				Pnp	300mv @ 500µA, 10MA	150 @ 500µA, 5V	-
2N4416A	74.1300	RFQ	2906	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN			300 MW		TO-72	-		1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	150-2N4416A	Ear99	8541.21.0095	1		N-canal	35 v							4pf @ 15V							35 v	5 mA a 15 V	2,5 V @ 1 NA
APTGT300DA170D3G	269.3100	RFQ	3890	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem do chassi	Módulo D-3	APTGT300		1470 w	Padrão	D3	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.29.0095	1	Solteiro												Parada de Campo da Trinceira	1700 v	530 a	2.4V @ 15V, 300A				8 ma	Não	26 NF @ 25 V
MSCSM70AM07CT3AG	362.4800	RFQ	4277	Microchip Technology	-	Tubo	Ativo	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem do chassi	Módlo	MSCSM70	Carboneto de Silício (sic)	988W (TC)		Sp3f	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	150-MSCSM70AM07CT3AG	Ear99	8541.29.0095	1	2 canal (Perna de Fase)		700V	353a (TC)		6.4mohm @ 120a, 20V	2.4V @ 12Ma	645NC @ 20V		13500pf @ 700V	-
MV2N5116	-	RFQ	6422	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500	Volume	Ativo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN	MV2N5116		500 MW		TO-18 (TO-206AA)	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.21.0095	1		Canal P.	30 v							27pf @ 15V							30 v	25 mA a 15 V	6 V @ 1 NA				100 ohms
Jankcdr2N5152	-	RFQ	8425	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/544	Tape & Reel (TR)	Ativo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN			1 w		TO-39 (TO-205AD)	-	ROHS3 Compatível		Alcançar Não Afetado	150-JANKCDR2N5152	Ear99	8541.29.0095	1														80 v	2 a					50µA				Npn	1,5V a 500mA, 5a	30 @ 2.5a, 5V	-
Jansp2N2906Aub	148.2202	RFQ	9783	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/291	Volume	Ativo	-65 ° C ~ 200 ° C.	Montagem na Superfície	3-SMD, sem chumbo			500 MW		Ub	-			Alcançar Não Afetado	150-JANSP2N2906AUB			1														60 v	600 mA					50na				Pnp	1.6V @ 50Ma, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
APT9M100S	5.9400	RFQ	448	Microchip Technology	Power MOS 8 ™	Tubo	Ativo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	TO-268-3, D³pak (2 leads + guia), TO-268AA	APT9M100	MOSFET (ÓXIDO DE METAL)			D3PAK	download		1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	150-APT9M100S	Ear99	8541.29.0095	1		N-canal	1000 v	9a (TC)	10V	1.4OHM @ 5A, 10V	5V @ 1MA	80 nc @ 10 V	± 30V	2605 pf @ 25 V	-	335W (TC)
2C2907A	2.0083	RFQ	7172	Microchip Technology	-	Tape & Reel (TR)	Ativo									-	ROHS3 Compatível		Alcançar Não Afetado	150-2C2907A			1
Jansh2N2221AUBC/tr	275.7620	RFQ	3093	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/255	Tape & Reel (TR)	Ativo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	3-SMD, sem chumbo			500 MW		UBC	-			Alcançar Não Afetado	150-JansH2N2221AUBC/tr			50														50 v	800 mA					50na				Npn	1V @ 50MA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
2N498S	21.1350	RFQ	8721	Microchip Technology	*	Volume	Ativo									-			Alcançar Não Afetado	150-2N498S			1
Jan2n2484	-	RFQ	8190	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/376	Volume	Descontinuado no sic	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN	2N2484		360 MW		To-18	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.21.0095	1														60 v	50 MA					2Na				Npn	300mv @ 100µA, 1MA	225 @ 10MA, 5V	-
MSC017SMA120J	66.3200	RFQ	8076	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)			MSC017	Sicfet (Carboneto de Silício)				download	ROHS3 Compatível		Alcançar Não Afetado	150-MSC017SMA120J	Ear99	8541.29.0095	10		N-canal	1200 v	88a (TC)	20V	22mohm @ 40a, 20V	2.7V @ 4.5Ma (Typ)	249 NC @ 20 V	+23V, -10V	5280 pf @ 1000 V		278W (TC)
JANS2N4449	80.6704	RFQ	9682	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/317	Volume	Ativo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-206AB, TO-46-3 METAL CAN	2N4449		360 MW		TO-46 (TO-206AB)	-	Rohs Não Compatível		Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.21.0095	1														20 v						400na				Npn	450mv @ 10ma, 100mA	20 @ 100mA, 1V	-
2C5667	22.3050	RFQ	6816	Microchip Technology	*	Volume	Ativo									-			Alcançar Não Afetado	150-2C5667			1

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