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Transistores (5714)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Entrada | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | Condição de teste | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Coletor Pulsa (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C | Tensão - Teste | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Termistor NTC | CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jantxv2N7371 | - |  | 4507 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/623 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-254-3, TO-254AA (Leads retos) | 100 w | TO-254AA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 12 a | 1Ma | PNP - Darlington | 3V a 120mA, 12a | 1000 @ 6a, 3V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Janhca2N3636 | - | | 1679 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/357 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 w | TO-39 (TO-205AD) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANHCA2N3636 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 175 v | 1 a | 10µA | Pnp | 600mV @ 5MA, 50MA | 50 @ 50MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT44GA60B | 7.5700 | | 1651 | 0,00000000 | Microchip Technology | Power MOS 8 ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | APT44GA60 | Padrão | 337 w | To-247 [b] | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 26a, 4.7ohm, 15V | Pt | 600 v | 78 a | 130 a | 2.5V @ 15V, 26a | 409µJ (ON), 258µJ (Off) | 128 NC | 16ns/84ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Jan2n1714s | - | | 1785 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | TO-39 (TO-205AD) | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | 0000.00.0000 | 1 | 60 v | 750 Ma | - | Npn | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 0912GN-15EP | - | | 8741 | 0,00000000 | Microchip Technology | Ep | Volume | Ativo | 150 v | Módlo | 960MHz ~ 1.215 GHz | - | - | download | Alcançar Não Afetado | 150-0912GN-15EP | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 10 MA | 19W | 18.1db | - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5068 | 72.4800 | | 9710 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | 87 w | TO-204AD (TO-3) | - | Alcançar Não Afetado | 150-2N5068 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 5 a | - | Pnp | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2C5003-MSCL | 38.7450 | | 9736 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-2C5003-MSCL | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGT150A120G | 202.7917 | | 8416 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | - | Montagem do chassi | Sp6 | APTGT150 | 690 w | Padrão | Sp6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Meia Ponte | Parada de Campo da Trinceira | 1200 v | 220 a | 2.1V @ 15V, 150a | 350 µA | Não | 10.7 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | JANSD2N3634UB/TR | - | | 5268 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/357 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-smd, sem chumbo | 1 w | Ub | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 140 v | 10 µA | 10µA | Pnp | 600mV @ 5MA, 50MA | 50 @ 50MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM50AM38SCTG | 216.1517 | | 8836 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp4 | APTM50 | Carboneto de Silício (sic) | 694W | Sp4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Meia Ponte) | 500V | 90A | 45mohm @ 45a, 10V | 5V @ 5MA | 246NC @ 10V | 11200pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGLQ300SK120G | 197.0700 | | 5772 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | APTGLQ300 | 1500 w | Padrão | Sp6 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Helicóptero | Parada de Campo da Trinceira | 1200 v | 500 a | 2.42V @ 15V, 300A | 200 µA | Não | 17,6 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jankcd2N2907a | - | | 9721 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/291 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN | 500 MW | TO-18 (TO-206AA) | - | Alcançar Não Afetado | 150-JANKCD2N2907A | 100 | 60 v | 600 mA | 50na | Pnp | 1.6V @ 50Ma, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jankcc2n6193 | 260.6401 | | 7718 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/561 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 w | TO-205AD (TO-39) | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANKCC2N6193 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 5 a | 100µA | Pnp | 1.2V @ 500MA, 5A | 60 @ 2A, 2V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jansm2N2218a | 114.6304 | | 3872 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/251 | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 800 MW | TO-39 (TO-205AD) | - | Alcançar Não Afetado | 150-JANSM2N2218A | 1 | 50 v | 800 mA | 10Na | Npn | 1V @ 50MA, 500mA | 40 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2C5583 | 22.4700 | | 3389 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-2C5583 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANS2N3764U4 | - | | 6762 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/396 | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | 500 MW | U4 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 v | 1.5 a | 10µA (ICBO) | Pnp | 900mv @ 100ma, 1a | 30 @ 1A, 1,5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT18M100S | 10.5700 | | 147 | 0,00000000 | Microchip Technology | Power MOS 8 ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-268-3, D³pak (2 leads + guia), TO-268AA | APT18M100 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D3PAK | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 150-APT18M100S | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1000 v | 18a (TC) | 10V | 700MOHM @ 9A, 10V | 5V @ 1MA | 150 nc @ 10 V | ± 30V | 4845 pf @ 25 V | - | 625W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MSCSM70TLM44C3AG | 141.3800 | | 4397 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | MSCSM70 | Carboneto de Silício (sic) | 176W (TC) | Sp3f | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 150-MSCSM70TLM44C3AG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 Canais n (três inversores de nível) | 700V | 58a (TC) | 44mohm @ 30a, 20V | 2.7V @ 2Ma | 99NC @ 20V | 2010pf @ 700V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx2n5415p | 18.2742 | | 7642 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/485 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 750 MW | TO-5AA | - | Alcançar Não Afetado | 150-Jantx2N5415p | 1 | 200 v | 1 a | 1Ma | Pnp | 2V @ 5MA, 50MA | 30 @ 50MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANSD2N3019 | 114.8808 | | 9288 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/391 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 800 MW | TO-5AA | - | Alcançar Não Afetado | 150-JANSD2N3019 | 1 | 80 v | 1 a | 10Na | Npn | 500mv @ 50Ma, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx2N3740U4 | - | | 1987 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/441 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | 25 w | U4 | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 10 µA | 10µA | Pnp | 600mV A 1,25mA, 1A | 30 @ 250mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jansr2n3637ub/tr | 125.1808 | | 5551 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/357 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-smd, sem chumbo | 1,5 w | Ub | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANSR2N3637UB/TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 175 v | 1 a | 10µA (ICBO) | Pnp | 600mV @ 5MA, 50MA | 100 @ 10ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2C6420-MSCL | 31.7100 | | 7271 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-2C6420-MSCL | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGT300DA60G | 168.7800 | | 7173 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp6 | APTGT300 | 1150 w | Padrão | Sp6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | Parada de Campo da Trinceira | 600 v | 430 a | 1.8V @ 15V, 300A | 350 µA | Não | 24 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4897 | 16.3650 | | 2003 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 7 w | TO-5AA | - | Alcançar Não Afetado | 150-2N4897 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 5 a | - | Npn | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jan2n5682 | 24.0198 | | 6396 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/583 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N5682 | 1 w | TO-39 (TO-205AD) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 v | 1 a | 10µA | Npn | 1V @ 50MA, 500mA | 40 @ 250mA, 2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5666U3 | 163.0846 | | 6680 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-276AA | 2N5666 | 1.2 w | U-3 (TO-276AA) | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 5 a | 200na | Npn | 1v @ 1a, 5a | 40 @ 1A, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ARF475fl | 150.4100 | | 5 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | 500 v | - | ARF475 | 128MHz | MOSFET | - | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2-Canal N (Duplo) Fonte Comum | 10a | 15 MA | 900W | 16dB | - | 150 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N3765 | 21.0938 | | 9365 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | TO-206AB, TO-46-3 METAL CAN | 2N3765 | 500 MW | TO-46 | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 1.5 a | 100na | Pnp | 900mv @ 100ma, 1a | 20 @ 1.5A, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT50M75JLLU2 | 32.1100 | | 8226 | 0,00000000 | Microchip Technology | Power MOS 7® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | APT50M75 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-227 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 v | 51a (TC) | 10V | 75mohm @ 25.5a, 10V | 5V @ 1MA | 123 nc @ 10 V | ± 30V | 5590 pf @ 25 V | - | 290W (TC) |
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