SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Vce (on) (max) @ vge, ic Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
JAN2N336ALT2 Microchip Technology Jan2n336alt2 -
RFQ
ECAD 1424 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN TO-5 - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado 0000.00.0000 1 45 v 10 MA - Npn - - -
TN0610N3-G-P013 Microchip Technology TN0610N3-G-P013 1.0500
RFQ
ECAD 2151 0,00000000 Microchip Technology - Fita E CAIXA (TB) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) TN0610 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-92-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 100 v 500mA (TJ) 3V, 10V 1.5OHM @ 750MA, 10V 2V @ 1MA ± 20V 150 pf @ 25 V - 1W (TC)
2C3440-MSCL Microchip Technology 2C3440-MSCL 10.1850
RFQ
ECAD 4619 0,00000000 Microchip Technology * Volume Ativo - Alcançar Não Afetado 150-2C3440-MSCL 1
2N5795A Microchip Technology 2N5795A 71.0700
RFQ
ECAD 8390 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-78-6 METAL CAN 2N5795 600mW TO-78-6 - Alcançar Não Afetado 150-2N5795A Ear99 8541.21.0095 1 60V 600mA 10µA (ICBO) 2 PNP (DUPLO) 1.6V @ 50Ma, 500mA 40 @ 150mA, 10V -
JANSR2N3810U/TR Microchip Technology Jansr2N3810U/Tr 262.4506
RFQ
ECAD 1341 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/336 Tape & Reel (TR) Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-smd, sem chumbo 2N3810 350mw 6-SMD - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 150-JANSR2N3810U/TR Ear99 8541.21.0095 1 60V 50mA 10µA (ICBO) 2 PNP (DUPLO) 250mv @ 1Ma, 100µA 150 @ 1MA, 5V -
JANSF2N3019 Microchip Technology JANSF2N3019 124.6306
RFQ
ECAD 6826 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/391 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 800 MW TO-5AA - Alcançar Não Afetado 150-JANSF2N3019 1 80 v 1 a 10Na Npn 500mv @ 50Ma, 500mA 100 @ 150mA, 10V -
2N6127 Microchip Technology 2N6127 519.0900
RFQ
ECAD 5452 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montagem do Pino TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud 117 w TO-61 - Alcançar Não Afetado 150-2N6127 Ear99 8541.29.0095 1 80 v 10 a - Pnp - - -
JANSP2N2906AUB Microchip Technology Jansp2N2906Aub 148.2202
RFQ
ECAD 9783 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/291 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C. Montagem na Superfície 3-SMD, sem chumbo 500 MW Ub - Alcançar Não Afetado 150-JANSP2N2906AUB 1 60 v 600 mA 50na Pnp 1.6V @ 50Ma, 500mA 40 @ 150mA, 10V -
TN5325N8-G Microchip Technology TN5325N8-G 0,7800
RFQ
ECAD 4021 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo - Montagem na Superfície TO-243AA TN5325 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-243AA (SOT-89) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 250 v 316mA (TJ) 4.5V, 10V 7ohm @ 1a, 10V 2V @ 1MA ± 20V 110 pf @ 25 V - 1.6W (TA)
JANKCDR2N2907A Microchip Technology Jankcdr2n2907a -
RFQ
ECAD 3761 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/291 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN 500 MW TO-18 (TO-206AA) - Alcançar Não Afetado 150-JANKCDR2N2907A 100 60 v 600 mA 50na Pnp 1.6V @ 50Ma, 500mA 100 @ 150mA, 10V -
2N3791 Microchip Technology 2N3791 42.3206
RFQ
ECAD 8804 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-3 2N3791 5 w TO-3 (TO-204AA) download Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado 2N3791ms Ear99 8541.29.0095 1 60 v 10 a 5mA Pnp 2.5V @ 2A, 10A 30 @ 3A, 2V -
JAN2N6052 Microchip Technology Jan2n6052 48.6115
RFQ
ECAD 7551 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/501 Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-3 2N6052 150 w TO-3 (TO-204AA) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 100 v 12 a 1Ma PNP - Darlington 3V a 120mA, 12a 1000 @ 6a, 3V -
2N5599 Microchip Technology 2N5599 43.0350
RFQ
ECAD 1496 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-213AA, TO-66-2 20 w TO-66 (TO-213AA) - Alcançar Não Afetado 150-2N5599 Ear99 8541.29.0095 1 80 v 2 a - Pnp 850mv @ 200µA, 1MA - -
APT10090SLLG Microchip Technology Apt10090sllg 17.8700
RFQ
ECAD 2907 0,00000000 Microchip Technology Power MOS 7® Tubo Ativo Montagem na Superfície TO-268-3, D³pak (2 leads + guia), TO-268AA APT10090 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D3 [s] download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 1000 v 12a (TC) 900MOHM @ 6A, 10V 5V @ 1MA 71 nc @ 10 V 1969 pf @ 25 V -
APTGT600DA60G Microchip Technology APTGT600DA60G 225.2700
RFQ
ECAD 2800 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem do chassi Sp6 APTGT600 2300 w Padrão Sp6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 Solteiro Parada de Campo da Trinceira 600 v 700 a 1.8V @ 15V, 600A 750 µA Não 49 NF @ 25 V
APT5016BFLLG Microchip Technology Apt5016bfllg 16.4800
RFQ
ECAD 1814 0,00000000 Microchip Technology Power MOS 7® Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 APT5016 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247 [b] download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 500 v 30a (TC) 10V 160mohm @ 15a, 10V 5V @ 1MA 72 NC @ 10 V ± 30V 2833 pf @ 25 V - 329W (TC)
APTGF50H60T3G Microchip Technology APTGF50H60T3G -
RFQ
ECAD 5377 0,00000000 Microchip Technology - Volume Obsoleto - Montagem do chassi SP3 250 w Padrão SP3 download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 1 Inversor de Ponte Conclua NPT 600 v 65 a 2.45V @ 15V, 50A 250 µA Sim 2.2 NF @ 25 V
2C3250A Microchip Technology 2C3250A 9.2550
RFQ
ECAD 8464 0,00000000 Microchip Technology * Volume Ativo - Alcançar Não Afetado 150-2C3250A 1
2N6193QFN/TR Microchip Technology 2n6193qfn/tr 23.6100
RFQ
ECAD 3058 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 w TO-39 (TO-205AD) - Alcançar Não Afetado 150-2N6193QFN/TR Ear99 8541.29.0095 100 100 v 5 a 100µA Pnp 1.2V @ 500MA, 5A 60 @ 2A, 2V -
2N5239 Microchip Technology 2N5239 50.5950
RFQ
ECAD 2418 0,00000000 Microchip Technology * Volume Ativo - Alcançar Não Afetado 150-2N5239 1
APTGT50H60T3G Microchip Technology APTGT50H60T3G 74.5800
RFQ
ECAD 16 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem do chassi SP3 APTGT50 176 w Padrão SP3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 Inversor de Ponte Conclua Parada de Campo da Trinceira 600 v 80 a 1.9V @ 15V, 50A 250 µA Sim 3.15 NF @ 25 V
2N3597 Microchip Technology 2N3597 547.4100
RFQ
ECAD 9640 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo - Montagem do Pino TO-211MB, TO-63-4, Stud 100 w TO-63 - Alcançar Não Afetado 150-2N3597 Ear99 8541.29.0095 1 40 v 20 a - Pnp - - -
MSR2N2369AUBC Microchip Technology MSR2N2369AUBC -
RFQ
ECAD 8383 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montagem na Superfície 3-SMD, sem chumbo 360 MW UBC - Alcançar Não Afetado 150-MSR2N2369AUBC 100 15 v 400na Npn 250mv @ 3Ma, 30MA 40 @ 10MA, 1V -
MSCSM120TLM16C3AG Microchip Technology MSCSM120TLM16C3AG 470.3100
RFQ
ECAD 8513 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo MSCSM120 Carboneto de Silício (sic) 745W (TC) Sp3f - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 150-MSCSM120TLM16C3AG Ear99 8541.29.0095 1 4 Canais n (três inversores de nível) 1200V (1,2kV) 173a (TC) 16mohm @ 80a, 20V 2.8V @ 2Ma 464NC @ 20V 6040pf @ 1000V -
JANSP2N3439L Microchip Technology Jansp2N3439l 270.2400
RFQ
ECAD 7163 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/368 Volume Ativo -55 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 800 MW TO-5AA - Alcançar Não Afetado 150-JANSP2N3439L 1 350 v 1 a 2µA Npn 500mv @ 4Ma, 50Ma 40 @ 20MA, 10V -
APT5018SLLG Microchip Technology Apt5018sllg 11.3100
RFQ
ECAD 7260 0,00000000 Microchip Technology Power MOS 7® Tubo Ativo Montagem na Superfície TO-268-3, D³pak (2 leads + guia), TO-268AA APT5018 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D3 [s] download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 500 v 27a (TC) 180mohm @ 13.5a, 10V 5V @ 1MA 58 nc @ 10 V 2596 pf @ 25 V -
APTGL475SK120D3G Microchip Technology APTGL475SK120D3G 250.4300
RFQ
ECAD 6056 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem do chassi Módulo D-3 APTGL475 2080 w Padrão D3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 Solteiro Parada de Campo da Trinceira 1200 v 610 a 2.2V @ 15V, 400A 5 MA Não 24,6 NF @ 25 V
APTGF180A60TG Microchip Technology APTGF180A60TG -
RFQ
ECAD 8231 0,00000000 Microchip Technology - Volume Obsoleto - Montagem do chassi Sp4 833 w Padrão Sp4 download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 1 Meia Ponte NPT 600 v 220 a 2.5V @ 15V, 180A 300 µA Sim 8.6 NF @ 25 V
APTGL475U120D4G Microchip Technology APTGL475U120D4G 241.2400
RFQ
ECAD 1430 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem do chassi D4 APTGL475 2082 w Padrão D4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 Solteiro Parada de Campo da Trinceira 1200 v 610 a 2.2V @ 15V, 400A 4 MA Não 24,6 NF @ 25 V
APT40GP90J Microchip Technology APT40GP90J 39.4100
RFQ
ECAD 8312 0,00000000 Microchip Technology Power MOS 7® Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi SOT-227-4, Minibloc APT40GP90 284 w Padrão Isotop® download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 Solteiro Pt 900 v 68 a 3.9V @ 15V, 40A 250 µA Não 3.3 NF @ 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque