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Transistores (5714)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Entrada | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Termistor NTC | CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jantxv2n6693 | - |  | 6368 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/538 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem do Pino | TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud | 3 w | TO-61 | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 v | 15 a | 1MA (ICBO) | Npn | 1V @ 3A, 15A | 15 @ 1A, 3V | - | ||||||||||||||||||||||
| HS2907ATX/TR | 10.4937 | | 3749 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-HS2907ATX/TR | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSR2N3501UB/TR | 103.9200 | | 3008 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MSCSM120AM03CT6LIAG | 1.0000 | | 1 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | MSCSM120 | Carboneto de Silício (sic) | 3.215kW (TC) | Sp6c li | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 150-MSCSM120AM03CT6LIAG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal (Perna de Fase) | 1200V (1,2kV) | 805a (TC) | 3.1mohm @ 400a, 20V | 2.8V @ 10MA | 2320NC @ 20V | 30200PF @ 1KV | - | |||||||||||||||||
 | Jankcdf2n2907a | - | | 7878 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/291 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN | 500 MW | TO-18 (TO-206AA) | - | Alcançar Não Afetado | 150-JANKCDF2N2907A | 100 | 60 v | 600 mA | 50na | Pnp | 1.6V @ 50Ma, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
 | 2N6315 | 45.6722 | | 5803 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-213AA, TO-66-2 | 2N6315 | 90 w | TO-66 (TO-213AA) | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 7 a | 500µA | Npn | 2V @ 1.75A, 7a | 35 @ 500MA, 4V | - | |||||||||||||||||||||
 | 2N3739 | 39.5010 | | 2340 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-213AA, TO-66-2 | 20 w | TO-66 (TO-213AA) | - | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 v | 1 a | 100µA (ICBO) | Npn | 2,5V a 25mA, 250mA | 25 @ 250mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||
| 2C3763-MSCLW | 8.4600 | | 2249 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-2C3763-MSCLW | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | LND150N3-G-P014 | 0,6800 | | 6783 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | LND150 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-92-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-canal | 500 v | 30MA (TJ) | 0v | 1000OHM @ 500µA, 0V | - | ± 20V | 10 pf @ 25 V | Modo de Esgotamento | 740MW (TA) | |||||||||||||||||
 | APT14F100B | 7.8300 | | 43 | 0,00000000 | Microchip Technology | Power MOS 8 ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | APT14F100 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-247 [b] | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1000 v | 14a (TC) | 10V | 980mohm @ 7a, 10V | 5V @ 1MA | 120 nc @ 10 V | ± 30V | 3965 pf @ 25 V | - | 500W (TC) | ||||||||||||||||
 | JANS2N2219AL | 68.1750 | | 7768 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/251 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 2N2219 | 800 MW | TO-5 | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 mA | 10Na | Npn | 1V @ 50MA, 500mA | 75 @ 1MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||
| 2N2813 | 117.9178 | | 1464 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | 2N2813 | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGT100DH60TG | 102.7500 | | 8647 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp4 | APTGT100 | 340 w | Padrão | Sp4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | PONTE ASSIMÉTRICA | Parada de Campo da Trinceira | 600 v | 150 a | 1.9V @ 15V, 100A | 250 µA | Sim | 6.1 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||
| Jantx2N6308 | 58.7594 | | 3836 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/498 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | 2N6308 | 125 w | TO-204AA (TO-3) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 350 v | 8 a | 50µA | Npn | 5V @ 2.67a, 8a | 12 @ 3A, 5V | - | ||||||||||||||||||||
 | APT10021JFLL | 101.2000 | | 9513 | 0,00000000 | Microchip Technology | Power MOS 7® | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | APT10021 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Isotop® | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1000 v | 37a (TC) | 10V | 210mohm @ 18.5a, 10V | 5V @ 5MA | 395 nc @ 10 V | ± 30V | 9750 PF @ 25 V | - | 694W (TC) | ||||||||||||||||
| 2N6547T1 | 349.2000 | | 9125 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | TO-204AD (TO-3) | - | Alcançar Não Afetado | 150-2N6547T1 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 v | 15 a | - | Npn | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
| 2N5733 | 519.0900 | | 7520 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem do Pino | TO-211MB, TO-63-4, Stud | 150 w | TO-63 | - | Alcançar Não Afetado | 150-2N5733 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 30 a | - | Npn | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
| Jantxv2N6211 | - | | 3390 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/461 | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 200 ° C (TA) | Através do buraco | TO-213AA, TO-66-2 | 3 w | TO-66 (TO-213AA) | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 225 v | 5 MA | 5mA | Pnp | 1.4V A 125mA, 1A | 30 @ 1A, 5V | - | ||||||||||||||||||||||
 | Jantxvr2n2907aub/tr | 12.3158 | | 6898 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | 500 MW | Ub | - | Alcançar Não Afetado | 150-JANTXVR2N2907AUB/TR | 143 | 60 v | 600 mA | 50na | Pnp | 1.6V @ 50Ma, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
| TN2640N3-G | 1.9200 | | 366 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Bolsa | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | TN2640 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-92-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | N-canal | 400 v | 220mA (TJ) | 4.5V, 10V | 5ohm @ 500mA, 10V | 2V @ 2Ma | ± 20V | 225 pf @ 25 V | - | 740MW (TA) | |||||||||||||||||
 | MSC015SMA070B | 35.7600 | | 1898 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | MSC015 | Sicfet (Carboneto de Silício) | To-247-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 691-MSC015SMA070B | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 700 v | 131a (TC) | 20V | 19mohm @ 40a, 20V | 2.4V @ 1Ma | 215 NC @ 20 V | +25V, -10V | 4500 pf @ 700 V | - | 400W (TC) | |||||||||||||||
 | 2N5729 | 28.1250 | | 5471 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 5 w | TO-5AA | - | Alcançar Não Afetado | 150-2N5729 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 5 a | - | Pnp | 1,5V A 500µA, 2MA | - | - | ||||||||||||||||||||||
 | APTGL325A120D3G | 316.5800 | | 4966 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módulo D-3 | APTGL325 | 1500 w | Padrão | D3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Meia Ponte | Parada de Campo da Trinceira | 1200 v | 420 a | 2.2V @ 15V, 300A | 5 MA | Não | 18.6 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||
| MSCSM120DDUM16TBL3NG | - | | 4184 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | MSCSM120 | Carboneto de Silício (sic) | 560W | - | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 150-MSCSM120DDUM16TBL3NG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 Canais n, Fonte Comum | 1200V (1,2kV) | 150a | 16mohm @ 80a, 20V | 2.8V @ 6MA | 464NC @ 20V | 6040pf @ 1000V | - | |||||||||||||||||
| 2N4999 | 324.3000 | | 5415 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | - | Montagem do Pino | TO-210AA, TO-59-4, Stud | 35 w | TO-59 | - | Alcançar Não Afetado | 150-2N4999 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 2 a | - | Pnp | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
| JANS2N3506AL | 70.3204 | | 8235 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/349 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 1 w | TO-5AA | - | Alcançar Não Afetado | 150-JANS2N3506AL | 1 | 40 v | 3 a | 1µA | Npn | 1.5V a 250mA, 2.5a | 50 @ 500mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||
| Jantx2N6350 | - | | 1517 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/472 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AC, TO-33-4 METAL CAN | 2N6350 | 1 w | TO-33 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 5 a | - | NPN - Darlington | 1.5V @ 5MA, 5A | 2000 @ 5A, 5V | - | ||||||||||||||||||||
 | 2N2905AP | 24.0750 | | 4931 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 600 MW | TO-39 (TO-205AD) | - | Alcançar Não Afetado | 150-2N2905AP | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 mA | 1µA | Pnp | 1.6V @ 50Ma, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||
 | APT28M120L | 23.3200 | | 6000 | 0,00000000 | Microchip Technology | Power MOS 8 ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-264-3, TO-264AA | APT28M120 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-264 [L] | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1200 v | 29a (TC) | 10V | 530mohm @ 14a, 10v | 5V @ 2.5mA | 300 nc @ 10 V | ± 30V | 9670 pf @ 25 V | - | 1135W (TC) | ||||||||||||||||
| JANSF2N2906AUB/TR | 157.4550 | | 2630 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | 150-JANSF2N2906AUB/TR | 50 |
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