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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Entrada | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tipo IGBT | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic | Atual - Corte do Coletor (Máx.) | Termistor NTC | Capacitância de entrada (Cies) @ Vce | Tipo de transistor | Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic | Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequência - Transição |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | JANS2N5665 | 212.4314 | ![]() | 9995 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/455 | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-213AA, TO-66-2 | 2N5665 | 2,5W | TO-66 (TO-213AA) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 300V | 5A | 200nA | NPN | 1V @ 1A, 5A | 25 @ 1A, 5V | - | ||||||||||||||||||||
| JANTX2N4033UB | 25.8020 | ![]() | 4896 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/512 | Volume | Ativo | -55°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-205AD, TO-39-3 Lata de metal | 2N4033 | 500 mW | TO-39 (TO-205AD) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 V | 1A | 10µA (ICBO) | PNP | 1V a 100mA, 1A | 100 @ 100mA, 5V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | APTM20UM03FAG | 354.3825 | ![]() | 8516 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | POWERMOS 7® | Volume | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | SP6 | APTM20 | MOSFET (óxido metálico) | SP6 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 200 V | 580A (Tc) | 10V | 3,6mOhm a 290A, 10V | 5V a 15mA | 840 nC @ 10 V | ±30V | 43300 pF a 25 V | - | 2270W (Tc) | ||||||||||||||||
![]() | APTGT200SK60T3AG | 92.6400 | ![]() | 7573 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em chassi | SP3 | APTGT200 | 750W | padrão | SP3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | Parada de campo de trincheira | 600 V | 290A | 1,9V a 15V, 200A | 250 µA | Sim | 12,3 nF a 25 V | ||||||||||||||||||
![]() | 2N2877 | 255.5700 | ![]() | 5189 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montagem em pino | TO-111-4, Garanhão | 30W | PARA-111 | - | REACH não afetado | 150-2N2877 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 5A | - | NPN | 250mV @ 100µA, 1mA | - | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N5415 | 13.0606 | ![]() | 6404 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/485 | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-205AA, TO-5-3 Lata de metal | 2N5415 | 750 mW | PARA-5 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 200 V | 1A | 1mA | PNP | 2V a 5mA, 50mA | 30 @ 50mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | APTGT150DH120G | 217.1500 | ![]() | 4409 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | - | Montagem em chassi | SP6 | APTGT150 | 690W | padrão | SP6 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Ponte Assimétrica | Parada de campo de trincheira | 1200 V | 220A | 2,1V a 15V, 150A | 350 µA | Não | 10,7 nF a 25 V | ||||||||||||||||||
![]() | APTGT75A60T1G | 54.6800 | ![]() | 5312 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em chassi | SP1 | APTGT75 | 250W | padrão | SP1 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Meia Ponte | Parada de campo de trincheira | 600 V | 100A | 1,9V a 15V, 75A | 250 µA | Sim | 4,62 nF a 25 V | ||||||||||||||||||
![]() | JAN2N2904 | 10.6533 | ![]() | 8706 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | MIL-PRF-19500/290 | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-205AD, TO-39-3 Lata de metal | 2N2904 | 600 mW | PARA-39 | download | RoHS não compatível | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 V | 600 mA | 1µA | PNP | 1,6 V a 50 mA, 500 mA | 35 @ 10mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N3741U4 | 78.4966 | ![]() | 1933 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-SMD, sem chumbo | 25W | U4 | - | RoHS não compatível | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 10 µA | 10µA | PNP | 600mV a 1,25mA, 1A | 30 @ 250mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5794 | 37.4794 | ![]() | 2843 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | Lata metálica TO-78-6 | 2N579 | 600mW | PARA-78-6 | - | RoHS não compatível | REACH não afetado | 2N5794MS | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 40V | 600mA | 10µA (ICBO) | 2 NPN (duplo) | 900mV a 30mA, 300mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | JANS2N6987U | 262.2704 | ![]() | 9137 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/558 | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montagem em superfície | 6-SMD, sem chumbo | 2N6987 | 1W | 6-SMD | - | RoHS não compatível | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60V | 600mA | 10µA (ICBO) | 4PNP (Quadádruplo) | 1,6 V a 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | CMFCLGF100X120BTAM-AS | - | ![]() | 2605 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Última compra | - | 150-CMFCGLGF100X120BTAM-AS | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS2N3501U4 | - | ![]() | 6472 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/366 | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-SMD, sem chumbo | 1W | U4 | - | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 V | 300 mA | 50nA (ICBO) | NPN | 400mV a 15mA, 150mA | 100 @ 150mA, 10V | - |

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