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Imagem	Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Ecad	Quantidade disponível	Peso (Kg)	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caso	Número básico do produto	Tecnologia	Potência - Máx.	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Tipo FET	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)	Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)	Atual - Coletor (Ic) (Máx.)	Atual - Corte do Coletor (Máx.)	Tipo de transistor	Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic	Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequência - Transição
	JANS2N2222AUA/TR	133.2202	Solicitação de cotação		3589	0,00000000	Tecnologia de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/255	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montagem em superfície	4-SMD, sem chumbo			650 mW	UA	-	Compatível com ROHS3		REACH não afetado	150-JANS2N2222AUA/TR	EAR99	8541.21.0095	1												50 V	800 mA	50nA	NPN	1V a 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
	MSR2N2907AUBC	-	Solicitação de cotação		7833	0,00000000	Tecnologia de Microchip	-	Volume	Ativo	-65°C ~ 200°C	Montagem em superfície	3-SMD, sem chumbo			500 mW	UBC	-			REACH não afetado	150-MSR2N2907AUBC			100												60 V	600 mA	50nA	PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 @ 150mA, 10V	-
	JANKCDP2N5154	-	Solicitação de cotação		4315	0,00000000	Tecnologia de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/544	Volume	Ativo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Através do furo	TO-205AD, TO-39-3 Lata de metal			1W	TO-39 (TO-205AD)	-			REACH não afetado	150-JANKCDP2N5154			100												80 V	2A	50µA	NPN	1,5V a 500mA, 5A	70 @ 2,5A, 5V	-
	2N3440L	26.6665	Solicitação de cotação		5504	0,00000000	Tecnologia de Microchip	-	Volume	Ativo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Através do furo	TO-205AA, TO-5-3 Lata de metal	2N3440		800 mW	PARA-5	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.21.0095	1												250 V	1A	2µA	NPN	500mV @ 4mA, 50mA	40 @ 20mA, 10V	-
	2N2484UBC	34.4850	Solicitação de cotação		9637	0,00000000	Tecnologia de Microchip	-	Volume	Ativo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montagem em superfície	3-SMD, sem chumbo			360 mW	UBC	-			REACH não afetado	150-2N2484UBC	EAR99	8541.21.0095	1												60 V	50 mA	2nA	NPN	300mV @ 100µA, 1mA	250 @ 1mA, 5V	-
	2N5783	16.9974	Solicitação de cotação		3107	0,00000000	Tecnologia de Microchip	*	Volume	Ativo				2N5783				-	RoHS não compatível		REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1
	2N5758	77.3850	Solicitação de cotação		1082	0,00000000	Tecnologia de Microchip	-	Volume	Ativo	-	Através do furo	TO-204AA, TO-3			150 W	TO-204AD (TO-3)	-			REACH não afetado	150-2N5758	EAR99	8541.29.0095	1												100V	6A	-	NPN	-	-	-
	JANTXV2N3440U4	-	Solicitação de cotação		8405	0,00000000	Tecnologia de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/368	Volume	Ativo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montagem em superfície	3-SMD, sem chumbo			800 mW	U4	-	RoHS não compatível		REACH não afetado		EAR99	8541.21.0095	1												250 V	2 µA	2µA	NPN	500mV @ 4mA, 50mA	40 @ 20mA, 10V	-
	JANTXV2N2907AL	6.7830	Solicitação de cotação		4003	0,00000000	Tecnologia de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/291	Volume	Ativo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Através do furo	TO-206AA, TO-18-3 Lata de metal	2N2907		500 mW	TO-18	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.21.0095	1												60 V	600 mA	50nA	PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 @ 150mA, 10V	-
	JANSD2N2369AUB	149.2002	Solicitação de cotação		6857	0,00000000	Tecnologia de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/317	Volume	Ativo	-65°C ~ 200°C	Montagem em superfície	3-SMD, sem chumbo			400 mW	UB	-			REACH não afetado	150-JANSD2N2369AUB			1												20 V		400nA	NPN	450mV a 10mA, 100mA	40 @ 10mA, 1V	-
	MSR2N2369AUA/TR	174.3497	Solicitação de cotação		6353	0,00000000	Tecnologia de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montagem em superfície	4-SMD, sem chumbo			360 mW	UA	-			REACH não afetado	150-MSR2N2369AUA/TR			100												15V		400nA	NPN	250mV @ 3mA, 30mA	40 @ 10mA, 1V	-
	2N5882	41.7354	Solicitação de cotação		6033	0,00000000	Tecnologia de Microchip	*	Volume	Ativo				2N5882				-	RoHS não compatível		REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1
	JANSM2N5151U3	229.9812	Solicitação de cotação		8178	0,00000000	Tecnologia de Microchip	-	Volume	Ativo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montagem em superfície	3-SMD, sem chumbo			1,16W	U3	-			REACH não afetado	150-JANSM2N5151U3			1												80 V	2A	50µA	PNP	1,5V a 500mA, 5A	30 @ 2,5A, 5V	-
	APT75M50L	15.0400	Solicitação de cotação		11	0,00000000	Tecnologia de Microchip	POWERMOS 8™	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	TO-264-3, TO-264AA	APT75M50	MOSFET (óxido metálico)		TO-264 [L]	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1	Canal N	500 V	75A (Tc)	10V	75mOhm a 37A, 10V	5 V a 2,5 mA	290 nC @ 10 V	±30V	11600 pF a 25 V	-	1040W (Tc)

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