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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Entrada | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tipo IGBT | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic | Atual - Corte do Coletor (Máx.) | Termistor NTC | Capacitância de entrada (Cies) @ Vce | Tipo de transistor | Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic | Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequência - Transição |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N2979 | 33.4200 | ![]() | 4645 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | * | Volume | Ativo | 2N297 | - | REACH não afetado | 150-2N2979 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N3250AUB/TR | - | ![]() | 1165 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/323 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-SMD, sem chumbo | 2N3250 | 360 mW | UB | - | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 150-JANTX2N3250AUB/TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 200 mA | 10µA (ICBO) | PNP | 500mV @ 5mA, 50mA | 50 @ 10mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | APTGT100H120G | 247.6700 | ![]() | 2258 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | SP6 | APTGT100 | 480W | padrão | SP6 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Inversor de ponte completa | Parada de campo de trincheira | 1200 V | 140A | 2,1V a 15V, 100A | 250 µA | Não | 7,2 nF a 25 V | ||||||||||||||||||
| JANKCB2N2222A | 17.8752 | ![]() | 5473 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -65°C ~ 200°C | Através do furo | TO-206AA, TO-18-3 Lata de metal | 500 mW | TO-18 | - | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 150-JANKCB2N2222A | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 mA | 50nA | NPN | 1V a 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||
| 2N2222AE4 | 3.7772 | ![]() | 7579 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-206AA, TO-18-3 Lata de metal | 2N2222 | 500 mW | TO-18 (TO-206AA) | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 mA | 50nA | NPN | 1V a 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT75A60T1G | 54.6800 | ![]() | 5312 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em chassi | SP1 | APTGT75 | 250W | padrão | SP1 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Meia Ponte | Parada de campo de trincheira | 600V | 100A | 1,9V a 15V, 75A | 250 µA | Sim | 4,62 nF a 25 V | ||||||||||||||||||
![]() | 2N4909 | 58.6200 | ![]() | 8727 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-204AA, TO-3 | 150 W | TO-204AD (TO-3) | - | REACH não afetado | 150-2N4909 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 10A | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | APT60M60JLL | 94.7500 | ![]() | 7758 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | POWERMOS 7® | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | APT60M60 | MOSFET (óxido metálico) | ISOTOP® | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 600V | 70A (Tc) | 10V | 60mOhm a 35A, 10V | 5V @ 5mA | 289 nC @ 10 V | ±30V | 12.630 pF a 25 V | - | 694W (Tc) | ||||||||||||||||
![]() | TN0106N3-G-P013 | 0,8900 | ![]() | 4370 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Fita e Caixa (TB) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TN0106 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-92-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | Canal N | 60 V | 350mA (Tj) | 4,5V, 10V | 3 Ohm @ 500 mA, 10 V | 2V @ 500µA | ±20V | 60 pF a 25 V | - | 1W (Tc) | |||||||||||||||||
![]() | JANSR2N2221AUBC/TR | 279.2920 | ![]() | 5563 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/255 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-SMD, sem chumbo | 500 mW | UBC | - | REACH não afetado | 150-JANSR2N2221AUBC/TR | 50 | 50 V | 800 mA | 50nA | NPN | 1V a 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSP2N2907AUBC/TR | 306.0614 | ![]() | 4505 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/291 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-SMD, sem chumbo | 500 mW | UBC | - | REACH não afetado | 150-JANSP2N2907AUBC/TR | 50 | 60 V | 600 mA | 50nA | PNP | 1,6 V a 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N5237S | 21.7588 | ![]() | 1697 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/394 | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-205AD, TO-39-3 Lata de metal | 2N5237 | 1W | TO-39 (TO-205AD) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 V | 10A | 10µA | NPN | 2,5V a 1A, 10A | 40 @ 5A, 5V | - | |||||||||||||||||||||
| APT50M65B2FLLG | 28.4300 | ![]() | 9869 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | POWERMOS 7® | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | Variante TO-247-3 | APT50M65 | MOSFET (óxido metálico) | T-MAX™ [B2] | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 500 V | 67A (Tc) | 10V | 65mOhm a 33,5A, 10V | 5 V a 2,5 mA | 141 nC @ 10 V | ±30V | 7010 pF a 25 V | - | 694W (Tc) | |||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N3499U4 | - | ![]() | 2551 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/366 | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-SMD, sem chumbo | 1W | U4 | - | RoHS não compatível | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100V | 500 mA | 50nA (ICBO) | NPN | 600mV a 30mA, 300mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N3867 | 29.8718 | ![]() | 1159 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/350 | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-205AA, TO-5-3 Lata de metal | 2N3867 | 1W | PARA-5 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 V | 3 mA | 100µA (ICBO) | PNP | 1,5 V a 250 mA, 2,5 A | 40 @ 1,5A, 2V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N3762L | - | ![]() | 3212 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/396 | Volume | Ativo | -55°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-205AA, TO-5-3 Lata de metal | 1W | PARA-5 | - | RoHS não compatível | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 V | 1,5A | 100µA (ICBO) | PNP | 900mV @ 100mA, 1A | 40 @ 500mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N2219 | 9.6159 | ![]() | 2859 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/251 | Volume | Ativo | -55°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-205AD, TO-39-3 Lata de metal | 2N2219 | 800 mW | TO-205AD | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 30 V | 800 mA | 10nA | NPN | 1,6 V a 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | APTGT50DU120TG | 101.3000 | ![]() | 1027 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | SP4 | APTGT50 | 277 W | padrão | SP4 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Fonte Dupla e Comum | Parada de campo de trincheira | 1200 V | 75A | 2,1V a 15V, 50A | 250 µA | Sim | 3,6 nF a 25 V | ||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N2484UA | 21.6524 | ![]() | 2813 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/376 | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-SMD, sem chumbo | 2N2484 | 360 mW | UA | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 50 mA | 2nA | NPN | 300mV @ 100µA, 1mA | 225 @ 10mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | 2N1484 | 44.3555 | ![]() | 3668 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-233AA, TO-8-3 lata de metal | 2N1484 | 1,75W | PARA-8 | download | RoHS não compatível | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 55V | 3A | 15µA | NPN | 1,20 V a 75 mA, 750 A | 20 @ 750mA, 4V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N3507L | 12.1695 | ![]() | 9368 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/349 | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-205AA, TO-5-3 Lata de metal | 2N3507 | 1W | PARA-5 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 V | 3A | - | NPN | 1,5 V a 250 mA, 2,5 A | 30 @ 1,5A, 2V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | 2N6678T1 | 299.7155 | ![]() | 4218 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | * | Volume | Ativo | 2N6678 | - | RoHS não compatível | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N3637L | 14.3906 | ![]() | 8036 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/357 | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-205AA, TO-5-3 Lata de metal | 2N3637 | 1W | PARA-5 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 175 V | 1A | 10µA | PNP | 600mV @ 5mA, 50mA | 100 @ 50mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | 2N5329 | 519.0900 | ![]() | 4220 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montagem em pino | TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, pino | 113 W | PARA-61 | - | REACH não afetado | 150-2N5329 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 90 V | 20 A | - | PNP | 1,8V a 2mA, 10mA | - | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N3725L | - | ![]() | 8121 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | 200°C (TJ) | Através do furo | TO-205AA, TO-5-3 Lata de metal | PARA-5 | - | RoHS não compatível | REACH não afetado | 0000.00.0000 | 1 | 50 V | 500 mA | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||
| JAN2N4033 | 11.5577 | ![]() | 4882 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/512 | Volume | Ativo | -55°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-205AD, TO-39-3 Lata de metal | 2N4033 | 800 mW | TO-39 (TO-205AD) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 V | 1A | 10µA (ICBO) | PNP | 1V a 100mA, 1A | 100 @ 100mA, 5V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | APTM100TA35SCTPG | 417.0600 | ![]() | 4810 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | POWERMOS 7® | Volume | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | Módulo | APTM100 | MOSFET (óxido metálico) | 390W | SP6-P | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 canais N (ponte trifásica) | 1000V (1kV) | 22A | 420mOhm @ 11A, 10V | 5 V a 2,5 mA | 186nC @ 10V | 5200pF a 25V | - | ||||||||||||||||||
![]() | JAN2N3737UB/TR | 16.5319 | ![]() | 6833 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/395 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-SMD, sem chumbo | 500 mW | 3-UB (2,9x2,2) | - | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 150-JAN2N3737UB/TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 V | 1,5A | 10µA (ICBO) | NPN | 900mV @ 100mA, 1A | 20 @ 1A, 1,5V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | 90024-06TXV | - | ![]() | 6040 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | - | Através do furo | TO-204AA, TO-3 | PARA-3 | - | RoHS não compatível | REACH não afetado | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6190 | 17.5500 | ![]() | 9584 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | - | Através do furo | TO-205AA, TO-5-3 Lata de metal | 10 W | PARA-5AA | - | REACH não afetado | 150-2N6190 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 5A | - | PNP | - | - | - |

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