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Transistores (5714)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
APT6025BFLLG Microchip Technology Apt6025bfllg 14.7600
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 ECAD 5039 0,00000000 Microchip Technology Power MOS 7® Volume Ativo Através do buraco To-247-3 APT6025 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247 [b] download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 600 v 24a (TC) 250mohm @ 12a, 10V 5V @ 1MA 65 nc @ 10 V 2910 pf @ 25 V -
APT30F50S Microchip Technology APT30F50S 6.4200
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 ECAD 4566 0,00000000 Microchip Technology Power MOS 8 ™ Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-268-3, D³pak (2 leads + guia), TO-268AA APT30F50 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D3PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 500 v 30a (TC) 10V 190mohm @ 14a, 10v 5V @ 1MA 115 NC @ 10 V ± 30V 4525 pf @ 25 V - 415W (TC)
APT80GP60JDQ3 Microchip Technology APT80GP60JDQ3 41.3600
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 ECAD 6006 0,00000000 Microchip Technology Power MOS 7® Tubo Ativo Montagem do chassi Isotop APT80GP60 462 w Padrão Isotop® download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 Solteiro Pt 600 v 151 a 2.7V @ 15V, 80A 1,25 Ma Não 9,84 NF @ 25 V
JANSM2N5002 Microchip Technology Jansm2N5002 -
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 ECAD 9446 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/534 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montagem do Pino TO-210AA, TO-59-4, Stud 2 w TO-59 - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 80 v 50 µA 50µA Npn 1,5V a 500mA, 5a 30 @ 2.5a, 5V -
JANSG2N2222AUBC Microchip Technology JANSG2N2222AUBC 305.8602
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 ECAD 9640 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/255 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montagem na Superfície 3-SMD, sem chumbo 500 MW UBC - Alcançar Não Afetado 150-JANSG2N2222AUBC 1 50 v 800 mA 50na Npn 1V @ 50MA, 500mA 100 @ 150mA, 10V -
APT100GT60B2RG Microchip Technology APT100GT60B2RG -
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 ECAD 2914 0,00000000 Microchip Technology Thunderbolt Igbt® Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-247-3 Variante APT100 Padrão 500 w download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 400V, 100A, 4.3OHM, 15V NPT 600 v 148 a 300 a 2.5V @ 15V, 100A 3,25MJ (ON), 3,125MJ (Desligado) 460 NC 40ns/320ns
APTGF150H120G Microchip Technology APTGF150H120G -
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 ECAD 4696 0,00000000 Microchip Technology - Volume Obsoleto - Montagem do chassi Sp6 961 w Padrão Sp6 download 1 (ilimito) APTGF150H120GMP-ND Ear99 8541.29.0095 1 Inversor de Ponte Conclua NPT 1200 v 200 a 3.7V @ 15V, 150a 350 µA Não 10.2 NF @ 25 V
2N5794 Microchip Technology 2N5794 37.4794
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 ECAD 2843 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-78-6 METAL CAN 2N579 600mW TO-78-6 - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado 2N5794ms Ear99 8541.21.0095 1 40V 600mA 10µA (ICBO) 2 NPN (DUPLO) 900mv @ 30Ma, 300mA 100 @ 150mA, 10V -
JANTXV2N4931U4 Microchip Technology Jantxv2N4931U4 -
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 ECAD 8801 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/397 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montagem na Superfície 3-SMD, sem chumbo 1 w U4 - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 250 v 200 MA Pnp 1.2V @ 3MA, 30MA 50 @ 30MA, 10V -
JANS2N2484UB Microchip Technology JANS2N2484UB 58.5102
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 ECAD 7143 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/376 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-smd, sem chumbo 2N2484 360 MW Ub - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 1 60 v 50 MA 2Na Npn 300mv @ 100µA, 1MA 250 @ 1MA, 5V -
JANTXV2N3440U4 Microchip Technology Jantxv2N3440U4 -
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 ECAD 8405 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/368 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montagem na Superfície 3-SMD, sem chumbo 800 MW U4 - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 1 250 v 2 µA 2µA Npn 500mv @ 4Ma, 50Ma 40 @ 20MA, 10V -
JAN2N6338 Microchip Technology Jan2n6338 101.2529
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 ECAD 1483 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/509 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-204AA, TO-3 200 w TO-3 - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 100 v 50 µA 50µA Npn 1.8V @ 2.5a, 25a 30 @ 10A, 2V -
APT50M65B2FLLG Microchip Technology APT50M65B2FLLG 28.4300
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 ECAD 9869 0,00000000 Microchip Technology Power MOS 7® Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-247-3 Variante APT50M65 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) T-MAX ™ [B2] download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 500 v 67a (TC) 10V 65mohm @ 33.5a, 10V 5V @ 2.5mA 141 NC @ 10 V ± 30V 7010 pf @ 25 V - 694W (TC)
APTM10DHM05G Microchip Technology APTM10DHM05G 241.8000
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 ECAD 7561 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Sp6 APTM10 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 780W Sp6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 2 canal n (Duplo) Assimético 100V 278a 5mohm @ 125a, 10V 4V @ 5MA 700NC @ 10V 20000pf @ 25V -
JANS2N3501 Microchip Technology JANS2N3501 63.4204
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 ECAD 8779 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/366 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2N3501 1 w TO-39 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 150 v 300 mA 10µA (ICBO) Npn 400mv @ 15Ma, 150mA 100 @ 150mA, 10V -
2N3872 Microchip Technology 2N3872 26.9850
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 ECAD 3711 0,00000000 Microchip Technology * Volume Ativo - Alcançar Não Afetado 150-2N3872 1
2N5882 Microchip Technology 2N5882 41.7354
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 ECAD 6033 0,00000000 Microchip Technology * Volume Ativo 2N5882 - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1
JAN2N5416U4 Microchip Technology Jan2n5416u4 -
RFQ
 ECAD 6646 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/485 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montagem na Superfície 3-SMD, sem chumbo 1 w U4 - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 300 v 1 MA 1Ma Pnp 2V @ 5MA, 50MA 30 @ 50MA, 10V -
APTGLQ200A120T3AG Microchip Technology APTGLQ200A120T3AG 144.4800
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 ECAD 4965 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo APTGLQ200 1250 w Padrão Sp3f download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 2 Independente Parada de Campo da Trinceira 1200 v 400 a 2.4V @ 15V, 160A 100 µA Sim 9.3 NF @ 25 V
2N3440U4 Microchip Technology 2N3440U4 180.0421
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 ECAD 5032 0,00000000 Microchip Technology - Bandeja Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montagem na Superfície 3-SMD, sem chumbo 2N3440 5 w U4 download Alcançar Não Afetado 2N3440U4ms Ear99 8541.29.0095 1 250 v 1 a 2µA Npn 500mv @ 4Ma, 50Ma 40 @ 20MA, 10V -
JAN2N3767 Microchip Technology Jan2n3767 26.9724
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 ECAD 9987 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/518 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-213AA, TO-66-2 2N3767 25 w TO-66 (TO-213AA) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 80 v 4 a 500µA Npn 2.5V @ 100MA, 1A 40 @ 500mA, 5V -
JANTXV2N3419S Microchip Technology Jantxv2N3419S 20.6948
RFQ
 ECAD 1796 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/393 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2N3419 1 w TO-39 (TO-205AD) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 80 v 3 a 5µA Npn 500mv @ 200Ma, 2a 20 @ 1A, 2V -
JANTXV2N5339P Microchip Technology Jantxv2n5339p 19.2717
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 ECAD 8514 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/560 Volume Ativo -55 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 w TO-39 (TO-205AD) - Alcançar Não Afetado 150-Jantxv2N5339p 1 100 v 5 a 100µA Npn 1.2V @ 500MA, 5A 60 @ 2A, 2V -
JAN2N3635L Microchip Technology Jan2n3635l 10.5868
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 ECAD 7488 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/357 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 2N3635 1 w TO-5 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 140 v 1 a 10µA Pnp 600mV @ 5MA, 50MA 100 @ 50MA, 10V -
JANTX2N5004 Microchip Technology Jantx2N5004 -
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 ECAD 9479 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/534 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Chassi, montagem em pântano TO-210AA, TO-59-4, Stud 2 w TO-59 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 80 v 5 a 50µA Npn 1,5V a 500mA, 5a 70 @ 2.5a, 5V -
2N7369 Microchip Technology 2N7369 324.9000
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 ECAD 4273 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-254-3, TO-254AA 115 w TO-254AA - Alcançar Não Afetado 150-2N7369 Ear99 8541.29.0095 1 80 v 10 a 5mA Pnp 1V @ 500MA, 5A 50 @ 1A, 2V -
JAN2N4449UB Microchip Technology Jan2n4449ub 26.1478
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 ECAD 9496 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/317 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montagem na Superfície 3-SMD, sem chumbo 400 MW Ub - Alcançar Não Afetado 150-JAN2N4449UB Ear99 8541.21.0095 1 15 v 400na Npn 450mv @ 10ma, 100mA 40 @ 10MA, 1V -
JAN2N2369AUA Microchip Technology Jan2n2369AUA 30.9890
RFQ
 ECAD 5757 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/317 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN 2N2369 360 MW TO-18 (TO-206AA) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 1 15 v 400na Npn 450mv @ 10ma, 100mA 20 @ 100mA, 1V -
JANS2N3500 Microchip Technology JANS2N3500 54.3900
RFQ
 ECAD 3094 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/366 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2N3500 1 w TO-39 (TO-205AD) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 150 v 300 mA 10µA (ICBO) Npn 400mv @ 15Ma, 150mA 40 @ 150mA, 10V -
2N5410 Microchip Technology 2N5410 287.8650
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 ECAD 2642 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montagem do Pino TO-111-4, Stud 52 w To-111 - Alcançar Não Afetado 150-2N5410 Ear99 8541.29.0095 1 80 v 5 a - Pnp 600MV @ 200µA, 2MA - -
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  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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    2800+

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