SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Vce (on) (max) @ vge, ic Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
JANKCDD2N5152 Microchip Technology Jankcdd2N5152 -
RFQ
ECAD 1804 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/544 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 w TO-39 (TO-205AD) - Alcançar Não Afetado 150-JANKCDD2N5152 100 80 v 2 a 50µA Npn 1,5V a 500mA, 5a 30 @ 2.5a, 5V -
APTM100AM90FG Microchip Technology APTM100AM90FG 373.5825
RFQ
ECAD 6628 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Sp6 APTM100 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1250W Sp6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 2 canal n (Meia Ponte) 1000V (1KV) 78a 105mohm @ 39a, 10V 5V @ 10Ma 744NC @ 10V 20700pf @ 25V -
2N2906A Microchip Technology 2N2906A -
RFQ
ECAD 8518 0,00000000 Microchip Technology - Volume Descontinuado no sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN 2N2906 500 MW To-18 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2N2906ams Ear99 8541.21.0095 1 60 v 600 mA 50na Pnp 1.6V @ 50Ma, 500mA 40 @ 150mA, 10V -
JANTX2N3810 Microchip Technology Jantx2N3810 18.8328
RFQ
ECAD 4983 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/336 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-78-6 METAL CAN 2N3810 350mw TO-78-6 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 1 60V 50mA 10µA (ICBO) 2 PNP (DUPLO) 250mv @ 100µA, 1MA 150 @ 1MA, 5V -
JANTX2N4029 Microchip Technology Jantx2N4029 8.5652
RFQ
ECAD 5907 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/512 Volume Ativo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN 2N4029 500 MW To-18 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 1 80 v 1 a 10µA (ICBO) Pnp 1V @ 100MA, 1A 100 @ 100mA, 5V -
JANSG2N2221AUA Microchip Technology JANSG2N2221AUA 154.1904
RFQ
ECAD 7171 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/255 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-smd, sem chumbo 650 MW Ua - Alcançar Não Afetado 150-JANSG2N2221AUA 1 50 v 800 mA 50na Npn 1V @ 50MA, 500mA 40 @ 150mA, 10V -
JANS2N2484UB Microchip Technology JANS2N2484UB 58.5102
RFQ
ECAD 7143 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/376 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-smd, sem chumbo 2N2484 360 MW Ub - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 1 60 v 50 MA 2Na Npn 300mv @ 100µA, 1MA 250 @ 1MA, 5V -
APT6025BFLLG Microchip Technology Apt6025bfllg 14.7600
RFQ
ECAD 5039 0,00000000 Microchip Technology Power MOS 7® Volume Ativo Através do buraco To-247-3 APT6025 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247 [b] download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 600 v 24a (TC) 250mohm @ 12a, 10V 5V @ 1MA 65 nc @ 10 V 2910 pf @ 25 V -
JANTXV2N5153U3 Microchip Technology Jantxv2N5153U3 93.6586
RFQ
ECAD 6935 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/545 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montagem na Superfície 3-SMD, sem chumbo 1.16 w U3 - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 80 v 1 MA 1Ma Pnp 1,5V a 500mA, 5a 70 @ 2.5a, 5V -
JANTX2N5004 Microchip Technology Jantx2N5004 -
RFQ
ECAD 9479 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/534 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Chassi, montagem em pântano TO-210AA, TO-59-4, Stud 2 w TO-59 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 80 v 5 a 50µA Npn 1,5V a 500mA, 5a 70 @ 2.5a, 5V -
APT50M65B2FLLG Microchip Technology APT50M65B2FLLG 28.4300
RFQ
ECAD 9869 0,00000000 Microchip Technology Power MOS 7® Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-247-3 Variante APT50M65 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) T-MAX ™ [B2] download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 500 v 67a (TC) 10V 65mohm @ 33.5a, 10V 5V @ 2.5mA 141 NC @ 10 V ± 30V 7010 pf @ 25 V - 694W (TC)
JANTXV2N6300 Microchip Technology Jantxv2N6300 39.5675
RFQ
ECAD 4491 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/539 Volume Ativo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-213AA, TO-66-2 2N6300 75 w TO-66 (TO-213AA) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 60 v 8 a 500µA (ICBO) NPN - Darlington 3V @ 80MA, 8A 750 @ 4A, 3V -
2N4239 Microchip Technology 2N4239 36.5085
RFQ
ECAD 5232 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 w TO-39 (TO-205AD) - Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 80 v 1 a 100na (ICBO) Npn 600mv @ 100ma, 1a 30 @ 250mA, 1V -
JANTXV2N5339P Microchip Technology Jantxv2n5339p 19.2717
RFQ
ECAD 8514 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/560 Volume Ativo -55 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 w TO-39 (TO-205AD) - Alcançar Não Afetado 150-Jantxv2N5339p 1 100 v 5 a 100µA Npn 1.2V @ 500MA, 5A 60 @ 2A, 2V -
APTGLQ200A120T3AG Microchip Technology APTGLQ200A120T3AG 144.4800
RFQ
ECAD 4965 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo APTGLQ200 1250 w Padrão Sp3f download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 2 Independente Parada de Campo da Trinceira 1200 v 400 a 2.4V @ 15V, 160A 100 µA Sim 9.3 NF @ 25 V
APT80GP60JDQ3 Microchip Technology APT80GP60JDQ3 41.3600
RFQ
ECAD 6006 0,00000000 Microchip Technology Power MOS 7® Tubo Ativo Montagem do chassi Isotop APT80GP60 462 w Padrão Isotop® download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 Solteiro Pt 600 v 151 a 2.7V @ 15V, 80A 1,25 Ma Não 9,84 NF @ 25 V
JAN2N3635L Microchip Technology Jan2n3635l 10.5868
RFQ
ECAD 7488 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/357 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 2N3635 1 w TO-5 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 140 v 1 a 10µA Pnp 600mV @ 5MA, 50MA 100 @ 50MA, 10V -
JAN2N2369AUA Microchip Technology Jan2n2369AUA 30.9890
RFQ
ECAD 5757 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/317 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN 2N2369 360 MW TO-18 (TO-206AA) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 1 15 v 400na Npn 450mv @ 10ma, 100mA 20 @ 100mA, 1V -
JAN2N6338 Microchip Technology Jan2n6338 101.2529
RFQ
ECAD 1483 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/509 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-204AA, TO-3 200 w TO-3 - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 100 v 50 µA 50µA Npn 1.8V @ 2.5a, 25a 30 @ 10A, 2V -
JANS2N3500 Microchip Technology JANS2N3500 54.3900
RFQ
ECAD 3094 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/366 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2N3500 1 w TO-39 (TO-205AD) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 150 v 300 mA 10µA (ICBO) Npn 400mv @ 15Ma, 150mA 40 @ 150mA, 10V -
JANTXV2N5153 Microchip Technology Jantxv2N5153 15.6408
RFQ
ECAD 6024 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/545 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 w TO-39 (TO-205AD) - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 80 v 50 µA 50µA Pnp 1,5V a 500mA, 5a 70 @ 2.5a, 5V -
JANTX2N5003 Microchip Technology Jantx2N5003 443.7924
RFQ
ECAD 6715 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/535 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Chassi, montagem em pântano TO-210AA, TO-59-4, Stud 2N5003 2 w TO-59 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 80 v 5 a 50µA Pnp 1,5V a 500mA, 5a 30 @ 2.5a, 5V -
JAN2N6193 Microchip Technology Jan2n6193 -
RFQ
ECAD 5765 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/561 Volume Descontinuado no sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 w TO-39 (TO-205AD) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 100 v 5 a 100µA Pnp 1.2V @ 500MA, 5A 60 @ 2A, 2V -
APT41M80B2 Microchip Technology APT41M80B2 17.5900
RFQ
ECAD 5734 0,00000000 Microchip Technology Power MOS 8 ™ Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-247-3 Variante APT41M80 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) T-MAX ™ [B2] download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 800 v 43a (TC) 10V 210mohm @ 20a, 10V 5V @ 2.5mA 260 nc @ 10 V ± 30V 8070 pf @ 25 V - 1040W (TC)
JANSR2N3439U4/TR Microchip Technology Jansr2N3439U4/tr 448.5008
RFQ
ECAD 7108 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montagem na Superfície 3-SMD, sem chumbo 800 MW U4 - Alcançar Não Afetado 150-JANSR2N3439U4/TR 50 350 v 1 a 2µA Npn 500mv @ 4Ma, 50Ma 40 @ 20MA, 10V -
APTGF50VDA60T3G Microchip Technology APTGF50VDA60T3G -
RFQ
ECAD 6636 0,00000000 Microchip Technology - Volume Obsoleto - Montagem do chassi SP3 250 w Padrão SP3 download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 1 Chopper de Impulso Duplo NPT 600 v 65 a 2.45V @ 15V, 50A 250 µA Sim 2.2 NF @ 25 V
JANSD2N2369A Microchip Technology Jansd2N2369a 122.6706
RFQ
ECAD 4154 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/317 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN 500 MW TO-18 (TO-206AA) - Alcançar Não Afetado 150-JANSD2N2369A 1 15 v 400na Npn 450mv @ 10ma, 100mA 40 @ 10MA, 1V -
APT26F120B2 Microchip Technology APT26F120B2 27.8600
RFQ
ECAD 6363 0,00000000 Microchip Technology - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-247-3 Variante APT26F120 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) T-MAX ™ download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 1200 v 27a (TC) 10V 650mohm @ 14a, 10v 5V @ 2.5mA 300 nc @ 10 V ± 30V 9670 pf @ 25 V - 1135W (TC)
MSCSM70HM05AG Microchip Technology MSCSM70HM05AG 630.6700
RFQ
ECAD 9112 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo MSCSM70 Carboneto de Silício (sic) 966W (TC) - download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 150-MSCSM70HM05AG Ear99 8541.29.0095 1 4 Canais N (Ponte Conclatá) 700V 349a (TC) 6.4mohm @ 120a, 20V 2.4V @ 12Ma 645NC @ 20V 13500pf @ 700V -
2N718A Microchip Technology 2N718A 31.0821
RFQ
ECAD 4800 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN 500 MW TO-18 (TO-206AA) - Alcançar Não Afetado 2266-2N718A Ear99 8541.21.0095 1 30 v 500 MA 10µA (ICBO) Npn 1,5V a 15mA, 150mA 40 @ 150mA, 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque