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Transistores(5714)

Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caso	Número básico do produto	Tipo de entrada	Tecnologia	Potência - Máx.	Entrada	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Configuração	Tipo FET	Condição de teste	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)	Tipo IGBT	Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)	Atual - Coletor (Ic) (Máx.)	Corrente - Coletor Pulsado (Icm)	Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic	Trocando Energia	Taxa de portão	Td (ligado/desligado) @ 25°C	Atual - Corte do Coletor (Máx.)	Termistor NTC	Capacitância de entrada (Cies) @ Vce	Tipo de transistor	Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic	Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequência - Transição
APTM100A23STG	191.2800	Solicitação de cotação	2777	Tecnologia de Microchip	-	Volume	Ativo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em chassi	SP4	APTM100		MOSFET (óxido metálico)	694W		SP4	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1	2 canais N (meia ponte)			1000V (1kV)	36A		270mOhm @ 18A, 10V	5V @ 5mA	308nC @ 10V		8700pF a 25V	-
JANSP2N2907AUA/TR	156.0008	Solicitação de cotação	6948	Tecnologia de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/291	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-65°C ~ 200°C	Montagem em superfície	4-SMD, sem chumbo	2N2907			500 mW		UA	-	Compatível com ROHS3		REACH não afetado	150-JANSP2N2907AUA/TR	EAR99	8541.21.0095	1															60 V	600 mA						50nA			PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 @ 150mA, 10V	-
JAN2N3810U	32.3722	Solicitação de cotação	5.000	Tecnologia de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/336	Volume	Ativo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Através do furo	Lata metálica TO-78-6	2N3810			350mW		PARA-78-6	-	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.21.0095	1															60V	50mA						10µA (ICBO)			2 PNP (duplo)	250mV @ 100µA, 1mA	150 @ 1mA, 5V	-
APT150GN120J	47.4600	Solicitação de cotação	30	Tecnologia de Microchip	-	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em chassi	ISOTOP	APT150			625 W	padrão	ISOTOP®	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1	Solteiro													Parada de campo de trincheira	1200 V	215A		2,1V a 15V, 150A				100 µA	Não	9,5 nF a 25 V
JANSF2N2221A	100.3204	Solicitação de cotação	9575	Tecnologia de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/255	Volume	Ativo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Através do furo	TO-206AA, TO-18-3 Lata de metal				500 mW		TO-18 (TO-206AA)	-			REACH não afetado	150-JANSF2N2221A			1															50 V	800 mA						50nA			NPN	1V a 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
JANTXV2N2946AUB/TR	-	Solicitação de cotação	8707	Tecnologia de Microchip	MIL-PRF-19500/382	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montagem em superfície	3-SMD, sem chumbo				400 mW		UB	-				150-JANTXV2N2946AUB/TR			1															35 V	100 mA						10µA (ICBO)			PNP	-	50 @ 1mA, 500mV	-
JAN2N3997	127.8130	Solicitação de cotação	1913	Tecnologia de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/374	Volume	Ativo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Chassi, montagem em pino	TO-111-4, Garanhão	2N3997			2W		PARA-111	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1															80 V	10A						10µA			NPN	2V a 500mA, 5A	80 @ 1A, 2V	-
2N6385P	80.7150	Solicitação de cotação	9575	Tecnologia de Microchip	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	TO-204AA, TO-3				6W		TO-204AA (TO-3)	-			REACH não afetado	150-2N6385P	EAR99	8541.29.0095	1															80 V	10A						1mA			NPN - Darlington	3V a 100mA, 10A	1000 @ 5A, 3V	-
JANTXV2N3439U4	-	Solicitação de cotação	7328	Tecnologia de Microchip	*	Volume	Ativo				2N3439						-	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1
APTC80H15T3G	83.6600	Solicitação de cotação	1643	Tecnologia de Microchip	-	Volume	Ativo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em chassi	SP3	APTC80		MOSFET (óxido metálico)	277W		SP3	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1	4 canais N (meia ponte)			800V	28A		150mOhm @ 14A, 10V	3,9V a 2mA	180nC @ 10V		4507pF a 25V	-
APT45M100J	67.5000	Solicitação de cotação	3539	Tecnologia de Microchip	-	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em chassi	SOT-227-4, miniBLOC	APT45M100		MOSFET (óxido metálico)			SOT-227	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		1000 V	45A (Tc)	10V	180mOhm a 33A, 10V	5 V a 2,5 mA	570 nC @ 10 V	±30V	18.500 pF a 25 V	-	960W (Tc)
2N6277	110.0176	Solicitação de cotação	3541	Tecnologia de Microchip	-	Volume	Ativo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Através do furo	TO-204AA, TO-3	2N6277			250W		PARA-3	download	RoHS não compatível		REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1															150 V	50A						50µA			NPN	3V a 10A, 50A	50 @ 1A, 4V	-
APT54GA60B	6.3900	Solicitação de cotação	7303	Tecnologia de Microchip	POWERMOS 8™	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3	APT54GA60	padrão		416 W		PARA-247 [B]	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1			400 V, 32 A, 4,7 Ohm, 15 V											PT	600V	96A	161A	2,5V a 15V, 32A	534 µJ (ligado), 466 µJ (desligado)	158nC	17ns/112ns
APT10045JLL	46.0900	Solicitação de cotação	22	Tecnologia de Microchip	POWERMOS 7®	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em chassi	SOT-227-4, miniBLOC	APT10045		MOSFET (óxido metálico)			ISOTOP®	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	APT10045JLLQ	EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		1000 V	21A (Tc)	10V	450mOhm a 11,5A, 10V	5 V a 2,5 mA	154 nC @ 10 V	±30V	4350 pF a 25 V	-	460W (Tc)
JANS2N3439UA	-	Solicitação de cotação	2832	Tecnologia de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/368	Volume	Ativo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montagem em superfície	4-SMD, sem chumbo				800 mW		UA	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.21.0095	1															350 V	1A						2µA			NPN	500mV @ 4mA, 50mA	40 @ 20mA, 10V	-
JANTXV2N6301P	46.4835	Solicitação de cotação	7137	Tecnologia de Microchip	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 200°C (TJ)	Através do furo	TO-213AA, TO-66-2				75 W		TO-66 (TO-213AA)	-			REACH não afetado	150-JANTXV2N6301P			1															80 V	8A						500µA			NPN - Darlington	3V a 80mA, 8A	750 @ 4A, 3V	-
JANS2N3868	148.2902	Solicitação de cotação	4413	Tecnologia de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/350	Volume	Ativo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Através do furo	TO-205AA, TO-5-3 Lata de metal				1W		PARA-5	-	RoHS não compatível		REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1															60 V	3 mA						100µA (ICBO)			PNP	1,5 V a 250 mA, 2,5 A	30 @ 1,5A, 2V	-
JANTXV2N1893S	30.2176	Solicitação de cotação	1961	Tecnologia de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/182	Volume	Ativo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Através do furo	TO-205AD, TO-39-3 Lata de metal	2N1893			3 W		TO-39 (TO-205AD)	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1															80 V	500 mA						10µA (ICBO)			NPN	5 V a 15 mA, 150 mA	40 @ 150mA, 10V	-
JAN2N2812	-	Solicitação de cotação	8489	Tecnologia de Microchip	-	Volume	Ativo	200°C (TJ)	Montagem em pino	TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, pino						PARA-61	-	RoHS não compatível		REACH não afetado			0000.00.0000	1															60 V	10A						-			NPN	-	-	-
2N2481	6.0249	Solicitação de cotação	2871	Tecnologia de Microchip	*	Volume	Ativo				2N2481						-	RoHS não compatível		REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1
JANTXV2N6050	92.0360	Solicitação de cotação	4151	Tecnologia de Microchip	*	Volume	Ativo										-			REACH não afetado	150-JANTXV2N6050			1
APTGT100DU120TG	127.2500	Solicitação de cotação	5587	Tecnologia de Microchip	-	Volume	Ativo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em chassi	SP4	APTGT100			480W	padrão	SP4	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1	Fonte Dupla e Comum													Parada de campo de trincheira	1200 V	140A		2,1V a 15V, 100A				250 µA	Sim	7,2 nF a 25 V
APTGT200TL60G	247.5900	Solicitação de cotação	6461	Tecnologia de Microchip	-	Volume	Ativo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em chassi	SP6	APTGT200			652 W	padrão	SP6	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1	Inversor de três níveis													Parada de campo de trincheira	600V	300A		1,9V a 15V, 200A				350 µA	Não	12,2 nF a 25 V
JAN2N2222A	2.3900	Solicitação de cotação	10	Tecnologia de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/255	Volume	Ativo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Através do furo	TO-206AA, TO-18-3 Lata de metal	2N2222			500 mW		PARA-218	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.21.0095	1															50 V	800 mA						50nA			NPN	1V a 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
APT56F50L	13.1000	Solicitação de cotação	9320	Tecnologia de Microchip	POWERMOS 8™	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	TO-264-3, TO-264AA	APT56F50		MOSFET (óxido metálico)			TO-264 [L]	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		500 V	56A (Tc)	10V	100mOhm a 28A, 10V	5 V a 2,5 mA	220 nC @ 10 V	±30V	8.800 pF a 25 V	-	780W (Tc)
JAN2N5339	9.5494	Solicitação de cotação	6748	Tecnologia de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/560	Volume	Ativo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Através do furo	TO-205AD, TO-39-3 Lata de metal	2N5339			1W		TO-39 (TO-205AD)	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1															100V	5A						100µA			NPN	1,2V a 500mA, 5A	60 @ 2A, 2V	-
VN2106N3-G	0,5000	Solicitação de cotação	7925	Tecnologia de Microchip	-	Bolsa	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	VN2106		MOSFET (óxido metálico)			PARA-92-3	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1.000		Canal N		60 V	300mA (Tj)	5V, 10V	4 Ohm @ 500 mA, 10 V	2,4V a 1mA		±20V	50 pF a 25 V	-	1W (Tc)
JAN2N2920L	30.6432	Solicitação de cotação	8162	Tecnologia de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/355	Volume	Ativo	200°C (TJ)	Através do furo	Lata metálica TO-78-6	2N2920			350mW		PARA-78-6	-	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.21.0095	1															60V	30mA						10µA (ICBO)			2 NPN (duplo)	300mV @ 100µA, 1mA	300 @ 1mA, 5V	-
DN2540N3-G	0,9700	Solicitação de cotação	1	Tecnologia de Microchip	-	Bolsa	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	DN2540		MOSFET (óxido metálico)			TO-92 (TO-226)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1.000		Canal N		400V	120mA (Tj)	0V	25Ohm @ 120mA, 0V	-		±20V	300 pF a 25 V	Modo de esgotamento	1W (Tc)
APT80GA60B	9.7500	Solicitação de cotação	7033	Tecnologia de Microchip	-	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3	APT80GA60	padrão		625 W		PARA-247 [B]	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1			400 V, 47 A, 4,7 Ohm, 15 V											PT	600V	143A	240A	2,5V a 15V, 47A	840 µJ (ligado), 751 µJ (desligado)	230nC	23ns/158ns

2.000+
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
Unidade de produto padrão
2.800+
Fabricantes mundiais
15.000 m²
Armazém em estoque

Transistores(5714)

2.000+

30.000.000

2.800+

15.000 m2

15.000 m²