SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Vce (on) (max) @ vge, ic Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
JANTX2N2222AUBP/TR Microchip Technology Jantx2N2222AUBP/TR 12.5552
RFQ
ECAD 7372 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 3-SMD, sem chumbo 500 MW Ub - Alcançar Não Afetado 150-JANTX2N2222AUBP/TR 100 50 v 800 mA 50na Npn 1V @ 50MA, 500mA 100 @ 150mA, 10V -
JANTX2N3440U4 Microchip Technology Jantx2N3440U4 -
RFQ
ECAD 1725 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/368 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 3-SMD, sem chumbo 800 MW U4 - Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 1 250 v 2 µA 2µA Npn 500mv @ 4Ma, 50Ma 40 @ 20MA, 10V -
JANTX2N2222AUA Microchip Technology Jantx2N2222AUA 22.2110
RFQ
ECAD 1127 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/255 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 4-SMD 2N2222 650 MW 4-SMD download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 1 50 v 800 mA 50na Npn 1V @ 50MA, 500mA 100 @ 150mA, 10V -
89100-01TX Microchip Technology 89100-01TX 349.9496
RFQ
ECAD 1147 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo - Através do buraco TO-213AA, TO-66-2 TO-66 (TO-213AA) - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado 0000.00.0000 1 - - - - -
APTGT100TDU60PG Microchip Technology APTGT100TDU60PG 193.9500
RFQ
ECAD 8047 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem do chassi Sp6 APTGT100 340 w Padrão Sp6-p download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 Triple, Dupla - Fonte Comum Parada de Campo da Trinceira 600 v 150 a 1.9V @ 15V, 100A 250 µA Não 6.1 NF @ 25 V
JANKCAL2N3637 Microchip Technology Jankcal2N3637 -
RFQ
ECAD 2352 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/357 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 w TO-39 (TO-205AD) - Alcançar Não Afetado 150-JANKCAL2N3637 100 175 v 1 a 10µA Pnp 600mV @ 5MA, 50MA 100 @ 50MA, 10V -
JANSM2N3500 Microchip Technology Jansm2N3500 41.5800
RFQ
ECAD 1824 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/366 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 w TO-39 (TO-205AD) - Alcançar Não Afetado 150-Jansm2N3500 1 150 v 300 mA 10µA (ICBO) Npn 400mv @ 15Ma, 150mA 40 @ 150mA, 10V -
JANSP2N5152U3 Microchip Technology Jansp2N5152U3 229.9812
RFQ
ECAD 7033 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/544 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 3-SMD, sem chumbo 1 w U3 (SMD-0.5) - Alcançar Não Afetado 150-JANSP2N5152U3 1 80 v 2 a 50µA Npn 1,5V a 500mA, 5a 30 @ 2.5a, 5V -
2N1711 Microchip Technology 2N1711 25.1237
RFQ
ECAD 6365 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 800 MW TO-5 - Alcançar Não Afetado 2N1711ms Ear99 8541.21.0095 1 50 v 500 MA 10na (ICBO) Npn 1,5V a 15mA, 150mA 100 @ 150mA, 10V -
JANS2N5795A Microchip Technology JANS2N5795A 403.6818
RFQ
ECAD 3603 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/496 Volume Ativo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-78-6 METAL CAN 2N5795 600mW TO-78-6 - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 1 60V 600mA 10µA (ICBO) 2 PNP (DUPLO) 1.6V @ 50Ma, 500mA 40 @ 150mA, 10V -
2N4449U Microchip Technology 2N4449U 34.7250
RFQ
ECAD 4880 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 6-smd, sem chumbo 600 MW U - Alcançar Não Afetado 150-2N4449U Ear99 8541.21.0095 1 15 v 400na Npn 450mv @ 10ma, 100mA 40 @ 10MA, 1V -
JANTX2N6650 Microchip Technology Jantx2N6650 -
RFQ
ECAD 1232 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/527 Volume Descontinuado no sic -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-204AA, TO-3 5 w TO-204AA (TO-3) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 80 v 10 a 1Ma PNP - Darlington 3V @ 100µA, 10a 1000 @ 5A, 3V -
JANTX2N5581 Microchip Technology Jantx2N5581 9.0174
RFQ
ECAD 4866 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/423 Volume Ativo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-206AB, TO-46-3 METAL CAN 2N5581 500 MW TO-46 (TO-206AB) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 1 50 v 800 mA 10µA (ICBO) Npn 1V @ 50MA, 500mA 40 @ 150mA, 10V -
89100-06TXV Microchip Technology 89100-06TXV -
RFQ
ECAD 2595 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo - Através do buraco TO-213AA, TO-66-2 TO-66 (TO-213AA) - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado 0000.00.0000 1 - - - - -
2N2369AUBC/TR Microchip Technology 2N2369AUBC/TR 34.6800
RFQ
ECAD 5735 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 3-SMD, sem chumbo 360 MW UBC - Alcançar Não Afetado 150-2N2369AUBC/TR Ear99 8541.21.0095 100 15 v 400na Npn 450mv @ 10ma, 100mA 20 @ 100mA, 1V -
2N7143 Microchip Technology 2N7143 237.8400
RFQ
ECAD 4455 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo - Através do buraco TO-204AA, TO-3 87 w TO-204AD (TO-3) - Alcançar Não Afetado 150-2N7143 Ear99 8541.29.0095 1 80 v 12 a - Pnp - - -
JANS2N2221 Microchip Technology JANS2N2221 61.8704
RFQ
ECAD 7939 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/469 Volume Ativo - Através do buraco TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN TO-18 (TO-206AA) - Alcançar Não Afetado 150-JANS2N2221 1 30 v - Npn - 100 @ 150mA, 10V 250MHz
APTGT50SK170T1G Microchip Technology APTGT50SK170T1G 61.9200
RFQ
ECAD 4083 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi SP1 APTGT50 312 w Padrão SP1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 Solteiro Parada de Campo da Trinceira 1700 v 75 a 2.4V @ 15V, 50A 250 µA Sim 4.4 NF @ 25 V
JANSL2N2221AUBC Microchip Technology Jansl2N2221AUBC 231.8416
RFQ
ECAD 2543 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/255 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 3-SMD, sem chumbo 500 MW UBC - Alcançar Não Afetado 150-JANSL2N2221AUBC 1 50 v 800 mA 50na Npn 1V @ 50MA, 500mA 100 @ 150mA, 10V -
JANTXV2N3507AU4 Microchip Technology Jantxv2n3507au4 -
RFQ
ECAD 4977 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/349 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 3-SMD, sem chumbo 1 w U4 - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 50 v 1 µA 1µA Npn 1.5V a 250mA, 2.5a 35 @ 500MA, 1V -
JAN2N2920A Microchip Technology Jan2n2920a 30.6432
RFQ
ECAD 9037 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/355 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-78-6 METAL CAN 2N2920 350mw TO-78-6 - Alcançar Não Afetado 150-JAN2N2920A 1 60V 30Ma 10µA (ICBO) 2 NPN (DUPLO) 300mv @ 100µA, 1MA 300 @ 1MA, 5V -
2N6281 Microchip Technology 2N6281 92.0892
RFQ
ECAD 9644 0,00000000 Microchip Technology * Volume Ativo 2N6281 - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1
APTM50HM65FT3G Microchip Technology Aptm50hm65ft3g 154.6200
RFQ
ECAD 2746 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi SP3 APTM50 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 390W SP3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 4 Canais n (Meia Ponte) 500V 51a 78mohm @ 25.5a, 10V 5V @ 2.5mA 140NC @ 10V 7000pf @ 25V -
JANTX2N3740 Microchip Technology Jantx2N3740 -
RFQ
ECAD 6626 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/441 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-213AA, TO-66-2 2N3740 25 w download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 60 v 4 a 10µA Pnp 600mV A 125mA, 1A 30 @ 250mA, 1V -
JAN2N3997 Microchip Technology Jan2n3997 127.8130
RFQ
ECAD 1913 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/374 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Chassi, montagem em pântano TO-111-4, Stud 2N3997 2 w To-111 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 80 v 10 a 10µA Npn 2V @ 500MA, 5A 80 @ 1A, 2V -
APTGT300H60G Microchip Technology APTGT300H60G 340.7400
RFQ
ECAD 4587 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem do chassi Sp6 APTGT300 1150 w Padrão Sp6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 Inversor de Ponte Conclua Parada de Campo da Trinceira 600 v 430 a 1.8V @ 15V, 300A 350 µA Não 24 NF @ 25 V
2N3780 Microchip Technology 2N3780 33.0450
RFQ
ECAD 2020 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 5 w TO-5AA - Alcançar Não Afetado 150-2N3780 Ear99 8541.29.0095 1 80 v 1 a - Pnp - - -
JANS2N3636L Microchip Technology JANS2N3636L -
RFQ
ECAD 9986 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/357 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 1 w TO-5 - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 175 v 10 µA 10µA Pnp 600mV @ 5MA, 50MA 50 @ 50MA, 10V -
JANSM2N5154 Microchip Technology Jansm2N5154 95.9904
RFQ
ECAD 4572 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/544 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 w TO-39 (TO-205AD) - Alcançar Não Afetado 150-Jansm2N5154 1 80 v 2 a 50µA Npn 1,5V a 500mA, 5a 70 @ 2.5a, 5V -
APTM100A13DG Microchip Technology APTM100A13DG 280.3700
RFQ
ECAD 6924 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Sp6 APTM100 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1250W Sp6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 2 canal n (Meia Ponte) 1000V (1KV) 65a 156mohm @ 32.5a, 10V 5V @ 6MA 562NC @ 10V 15200pf @ 25V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque