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Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tensão - Classificada	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Freqüência	Tecnologia	Poder - Máx	Entrada	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nível de sensibilidade à Umidade (msl)	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Configuraça	TIPO DE FET	Classificação ATUAL (Amplificadorores)	ATUAL - TESTE	POTÊNCIA - SAÍDA	Ganho	Escorra para um tensão de origem (VDSS)	Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C	Tensão de conduça (max rds on, min rds on)	Rds em (max) @ id, vgs	VGS (th) (max) @ id	Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS	VGs (Máximoo)	CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Recurso FET	DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX)	Figura de Ruído	TIPO IGBT	Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max)	Corrente - Coletor (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Tensão - Teste	Corrente - Corte de Colecionador (Max)	Termistor NTC	CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE	Tipo de transistor	Vce saturação (max) @ ib, ic	Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE	Frequencia - Transmissão
Jankca2N2484	15.3482	RFQ	1479	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/376	Tape & Reel (TR)	Ativo		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN	2N2484			360 MW		TO-18 (TO-206AA)	-	ROHS3 Compatível		Alcançar Não Afetado	150-JANKCA2N2484	Ear99	8541.21.0095	1																			60 v	50 MA			2Na			Npn	300mv @ 100µA, 1MA	250 @ 1MA, 5V	-
Jankcbh2n2221a	-	RFQ	5518	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/255	Volume	Ativo		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN				500 MW		TO-18 (TO-206AA)	-			Alcançar Não Afetado	150-JANKCBH2N2221A			100																			50 v	800 mA			50na			Npn	1V @ 50MA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
2N3418S	17.7422	RFQ	2475	Microchip Technology	-	Volume	Ativo		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN	2N3418			1 w		TO-39 (TO-205AD)	download	Rohs Não Compatível		Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.29.0095	1																			60 v	3 a			5µA			Npn	500mv @ 200Ma, 2a	20 @ 1A, 2V	-
APTGLQ50H65T3G	80.1407	RFQ	1550	Microchip Technology	-	Volume	Ativo		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem do chassi	Módlo	APTGLQ50			175 w	Padrão	Sp3f	download	ROHS3 Compatível		Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.29.0095	1	PONTE CONCLUTA																	Parada de Campo da Trinceira	650 v	70 a	2.3V @ 15V, 50A		50 µA	Sim	3.1 NF @ 25 V
Jantxv2N4029	-	RFQ	7145	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/512	Volume	Descontinuado no sic		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN				500 MW		To-18	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.21.0095	1																			80 v	1 a			10µA (ICBO)			Pnp	1V @ 100MA, 1A	100 @ 100mA, 5V	-
2N907AE4	30.5700	RFQ	1233	Microchip Technology	*	Volume	Ativo											-			Alcançar Não Afetado	150-2N907AE4			1
2C4240	22.4700	RFQ	9267	Microchip Technology	*	Volume	Ativo											-			Alcançar Não Afetado	150-2C4240			1
2N5676	46.7250	RFQ	9357	Microchip Technology	*	Volume	Ativo											-			Alcançar Não Afetado	150-2N5676			1
APT20M20JLL	30.8600	RFQ	5246	Microchip Technology	Power Mos V®	Tubo	Ativo			Montagem do chassi	SOT-227-4, Minibloc	APT20M20		MOSFET (ÓXIDO DE METAL)			Isotop®	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.29.0095	1		N-canal					200 v	104a (TC)		20mohm @ 52a, 10V	5V @ 2.5mA	110 nc @ 10 V		6850 pf @ 25 V	-
Jantxv2N3635	-	RFQ	6722	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/357	Volume	Descontinuado no sic		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN				1 w		TO-39 (TO-205AD)	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.29.0095	1																			140 v	1 a			10µA			Pnp	600mV @ 5MA, 50MA	100 @ 50MA, 10V	-
Jankccl2N3499	-	RFQ	4439	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/366	Volume	Ativo		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN				1 w		TO-39 (TO-205AD)	-			Alcançar Não Afetado	150-JANKCCL2N3499			100																			100 v	500 MA			10µA (ICBO)			Npn	600mV A 30MA, 300mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jansp2N2907AUA/tr	156.0008	RFQ	6948	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/291	Tape & Reel (TR)	Ativo		-65 ° C ~ 200 ° C.	Montagem na Superfície	4-smd, sem chumbo	2N2907			500 MW		Ua	-	ROHS3 Compatível		Alcançar Não Afetado	150-JANSP2N2907AUA/TR	Ear99	8541.21.0095	1																			60 v	600 mA			50na			Pnp	1.6V @ 50Ma, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
2N3851	273.7050	RFQ	8589	Microchip Technology	-	Volume	Ativo		-	Montagem do Pino	TO-210AA, TO-59-4, Stud				30 w		TO-59	-			Alcançar Não Afetado	150-2N3851	Ear99	8541.29.0095	1																			80 v	5 a			-			Pnp	-	-	-
Jan2n5339	9.5494	RFQ	6748	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/560	Volume	Ativo		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN	2N5339			1 w		TO-39 (TO-205AD)	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.29.0095	1																			100 v	5 a			100µA			Npn	1.2V @ 500MA, 5A	60 @ 2A, 2V	-
2N3489	547.4100	RFQ	2764	Microchip Technology	-	Volume	Ativo		-	Montagem do Pino	TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud				115 w		TO-61	-			Alcançar Não Afetado	150-2N3489	Ear99	8541.29.0095	1																			100 v	7.5 a			-			Pnp	-	-	-
2N5339T3	164.9700	RFQ	1300	Microchip Technology	-	Volume	Ativo		-55 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN				1 w		TO-39 (TO-205AD)	-			Alcançar Não Afetado	150-2N5339T3	Ear99	8541.29.0095	1																			100 v	5 a			100µA			Npn	1.2V @ 500MA, 5A	60 @ 2A, 2V	-
2729GN-300V	-	RFQ	7593	Microchip Technology	-	Volume	Ativo	125 v		Montagem na Superfície	55-QP		2,7 GHz ~ 2,9 GHz	Hemt			55-QP	download			Alcançar Não Afetado	150-2729GN-300V	Ear99	8541.29.0095	5			-	75 Ma	335W	15.3dB											-					50 v
Jansr2N2221AUBC/tr	279.2920	RFQ	5563	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/255	Tape & Reel (TR)	Ativo		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	3-SMD, sem chumbo				500 MW		UBC	-			Alcançar Não Afetado	150-JANSR2N2221AUBC/TR			50																			50 v	800 mA			50na			Npn	1V @ 50MA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jantx2N5238S	21.7588	RFQ	2607	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/394	Volume	Ativo		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN	2N5238			1 w		TO-39 (TO-205AD)	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.29.0095	1																			170 v	10 a			10µA			Npn	2.5V @ 1A, 10A	40 @ 5A, 5V	-
JANSD2N2906AUBC	305.9206	RFQ	1787	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/291	Volume	Ativo		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	3-SMD, sem chumbo				500 MW		UBC	-			Alcançar Não Afetado	150-JANSD2N2906AUBC			1																			60 v	600 mA			50na			Pnp	1.6V @ 50Ma, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
2N6306	68.5482	RFQ	2554	Microchip Technology	-	Volume	Ativo		-65 ° C ~ 200 ° C.	Através do buraco	TO-204AA, TO-3	2N6306			125 w		TO-204AD (TO-3)	download	Rohs Não Compatível		Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.29.0095	1																			250 v	8 a			50µA			Npn	5V @ 2A, 8a	15 @ 3A, 5V	-
APT34N80B2C3G	10.7600	RFQ	2665	Microchip Technology	-	Tubo	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-247-3 Variante	APT34N80		MOSFET (ÓXIDO DE METAL)			T-MAX ™ [B2]	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.29.0095	1		N-canal					800 v	34a (TC)	10V	145mohm @ 22a, 10V	3.9V @ 2Ma	355 nc @ 10 V	± 20V	4510 pf @ 25 V	-	417W (TC)
APT12060LVFRG	33.9300	RFQ	1779	Microchip Technology	Power Mos V®	Tubo	Ativo			Através do buraco	TO-264-3, TO-264AA	APT12060		MOSFET (ÓXIDO DE METAL)			TO-264 [L]	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Q7684702	Ear99	8541.29.0095	1		N-canal					1200 v	20a (TC)		600mohm @ 10a, 10V	4V @ 1MA	650 nc @ 10 V		9500 pf @ 25 V	-
Jan2n3486a	-	RFQ	1044	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/392	Volume	Descontinuado no sic		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-206AB, TO-46-3 METAL CAN				400 MW		TO-46	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.21.0095	1																			60 v	600 mA			10µA (ICBO)			Pnp	1.6V @ 50Ma, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jantx2N3999	-	RFQ	5530	Microchip Technology	Militar, MIL-PRF-19500/374	Volume	Descontinuado no sic		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Chassi, montagem em pântano	TO-210AA, TO-59-4, Stud				2 w		TO-59	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.29.0095	1																			80 v	10 a			10µA			Npn	2V @ 500MA, 5A	80 @ 1A, 2V	-
89100-02TX	-	RFQ	3587	Microchip Technology	-	Volume	Ativo		-	Através do buraco	TO-213AA, TO-66-2						TO-66 (TO-213AA)	-	Rohs Não Compatível		Alcançar Não Afetado			0000.00.0000	1																							-			-	-	-	-
TN2130K1-G	0,4600	RFQ	4	Microchip Technology	-	Tape & Reel (TR)	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TN2130		MOSFET (ÓXIDO DE METAL)			TO-236AB (SOT23)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.21.0095	3.000		N-canal					300 v	85mA (TJ)	4.5V	25ohm a 120mA, 4,5V	2.4V @ 1Ma		± 20V	50 pf @ 25 V	-	360MW (TC)
2N335AT2	65.1035	RFQ	2228	Microchip Technology	*	Volume	Ativo					2N335						-	Rohs Não Compatível		Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.29.0095	1
2N6301E3	27.1320	RFQ	4709	Microchip Technology	-	Volume	Ativo		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-213AA, TO-66-2				75 w		TO-66 (TO-213AA)	-	ROHS3 Compatível		Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.29.0095	1																			80 v	500 µA			500µA			NPN - Darlington	3V @ 80MA, 8A	750 @ 4A, 3V	-
APT8015JVR	80.3600	RFQ	1307	Microchip Technology	Power Mos V®	Tubo	Ativo			Montagem do chassi	SOT-227-4, Minibloc	APT8015		MOSFET (ÓXIDO DE METAL)			Isotop®	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.29.0095	1		N-canal					800 v	44a (TC)		150mohm @ 500mA, 10V	4V @ 5MA	285 nc @ 10 V		17650 PF @ 25 V	-

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