Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-components.com
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tensão - Nominal | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tipo de entrada | Frequência | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Classificação atual (amperes) | Condição de teste | Atual - Teste | Potência - Saída | Ganho | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Figura de ruído | Tipo IGBT | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic | Trocando Energia | Taxa de portão | Td (ligado/desligado) @ 25°C | Tensão - Teste | Atual - Corte do Coletor (Máx.) | Tipo de transistor | Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic | Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequência - Transição |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JANS2N5238S | - | ![]() | 5013 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/394 | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-205AD, TO-39-3 Lata de metal | 1W | TO-39 (TO-205AD) | - | RoHS não compatível | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 170V | 10 µA | 10µA | NPN | 2,5V a 1A, 10A | 40 @ 5A, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N6338 | 113.2894 | ![]() | 2392 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/509 | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-204AA, TO-3 | 200 W | PARA-3 | - | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100V | 50 µA | 50µA | NPN | 1,8 V a 2,5 A, 25 A | 30 @ 10A, 2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N2218 | 4.1230 | ![]() | 7353 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/251 | Volume | Ativo | -55°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-205AD, TO-39-3 Lata de metal | 2N2218 | 800 mW | TO-39 (TO-205AD) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 30 V | 800 mA | 10nA | NPN | 1,6 V a 50 mA, 500 mA | 40 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSC025SMA330B4 | - | ![]() | 1044 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-4 | MSC025 | SiCFET (carboneto de silício) | PARA-247-4 | - | REACH não afetado | 150-MSC025SMA330B4 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 3300V | 104A (Tc) | 20V | 31mOhm a 40A, 20V | 2,7 V a 7 mA | 410 nC @ 20 V | +23V, -10V | 8,720 pF a 2,640 V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2N1890S | 20.6815 | ![]() | 3203 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-205AD, TO-39-3 Lata de metal | 800 mW | TO-39 (TO-205AD) | - | RoHS não compatível | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 V | 500 mA | 10nA (ICBO) | NPN | 5 V a 15 mA, 150 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT25GT120BRDQ2G | 8.2300 | ![]() | 7574 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Raio IGBT® | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | APT25GT120 | padrão | 347 W | PARA-247 [B] | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 800V, 25A, 5Ohm, 15V | TNP | 1200 V | 54A | 75A | 3,7 V a 15 V, 25 A | 930 µJ (ligado), 720 µJ (desligado) | 170nC | 14ns/150ns | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N3442 | 367.9312 | ![]() | 1683 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/307 | Volume | Ativo | -55°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-204AA, TO-3 | 2N3442 | 6W | PARA-3 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 V | 10A | - | NPN | 1V a 300mA, 3A | 20 @ 3A, 4V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2C2905 | 2.6400 | ![]() | 8790 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | * | Volume | Ativo | - | REACH não afetado | 150-2C2905 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5331 | 660.6600 | ![]() | 5810 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montagem em pino | TO-211MB, TO-63-4, garanhão | 175W | PARA-63 | - | REACH não afetado | 150-2N5331 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 90 V | 30 A | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5883 | 42.1344 | ![]() | 6317 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | * | Volume | Ativo | 2N5883 | - | RoHS não compatível | REACH não afetado | 2N5883MS | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN2N4237 | 39.7936 | ![]() | 8124 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/581 | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-205AD, TO-39-3 Lata de metal | 2N4237 | 1W | TO-39 (TO-205AD) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 V | 1A | 100nA (ICBO) | NPN | 600mV a 100mA, 1A | 30 @ 250mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N5686 | 450.4500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/464 | Volume | Descontinuado na SIC | -55°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-204AE | 300W | PARA-3 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 50A | 500µA | NPN | 5V a 10A, 50A | 15 @ 25A, 2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM70XM75CTYZBNMG | - | ![]() | 2650 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em chassi | Módulo | Carboneto de Silício (SiC) | 90W (Tc), 141W (Tc) | - | download | Compatível com ROHS3 | 1 | 6 canais N (ponte trifásica) | 700V | 31A (Tc), 52A (Tc) | 75mOhm a 20A, 20V, 44mOhm a 30A, 20V | 2,4 V a 1 mA, 2,7 V a 2 mA | 56nC a 20V, 99nC a 20V | 1175pF a 700V, 2010pF a 700V | Carboneto de Silício (SiC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N7370 | - | ![]() | 6409 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/624 | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-254-3, TO-254AA (condutores retos) | 2N7370 | 100 W | TO-254AA | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100V | 12A | 1mA | NPN - Darlington | 3V a 120mA, 12A | 1000 @ 6A, 3V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSR2N3440L | 287.7120 | ![]() | 3517 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/368 | Volume | Ativo | -55°C ~ 200°C | Através do furo | TO-205AA, TO-5-3 Lata de metal | 800 mW | TO-5AA | - | REACH não afetado | 150-JANSR2N3440L | 1 | 250 V | 1A | 2µA | NPN | 500mV @ 4mA, 50mA | 40 @ 20mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N2604 | - | ![]() | 9672 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/354 | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-206AB, TO-46-3 Lata de metal | 2N2604 | 400 mW | TO-46 (TO-206AB) | - | RoHS não compatível | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 30 mA | 10nA | PNP | 300mV @ 500µA, 10mA | 60 @ 500µA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N4235 | 39.7936 | ![]() | 2076 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | MIL-PRF-19500/580 | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-205AD, TO-39-3 Lata de metal | 2N4235 | 1W | PARA-39 | download | RoHS não compatível | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 1A | 1mA | PNP | 600mV a 100mA, 1A | 40 @ 100mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT50M75B2FLLG | 23.6500 | ![]() | 5153 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | POWERMOS 7® | Tubo | Ativo | Através do furo | Variante TO-247-3 | APT50M75 | MOSFET (óxido metálico) | T-MAX™ [B2] | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 500 V | 57A (Tc) | 75mOhm a 28,5A, 10V | 5 V a 2,5 mA | 125 nC @ 10 V | 5590 pF a 25 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N336 | 65.1035 | ![]() | 4454 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | * | Volume | Ativo | Através do furo | TO-205AA, TO-5-3 Lata de metal | 2N336 | PARA-5 | - | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT35GN120SG | 9.5700 | ![]() | 68 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-268-3, D³Pak (2 derivações + guia), TO-268AA | APT35GN120 | padrão | 379 W | D3PAK | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 150-APT35GN120SG | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 800 V, 35 A, 2,2 Ohm, 15 V | NPT, parada do campo de trincheira | 1200 V | 94A | 105A | 2,1V a 15V, 35A | -, 2.315mJ (desligado) | 220nC | 24ns/300ns | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2N2219AE4 | 9.2169 | ![]() | 6707 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-205AD, TO-39-3 Lata de metal | 2N2219 | 800 mW | TO-39 (TO-205AD) | download | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 mA | 10nA | NPN | 1V a 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANKCDR2N5154 | - | ![]() | 5375 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/544 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-205AD, TO-39-3 Lata de metal | 1W | TO-39 (TO-205AD) | - | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 150-JANKCDR2N5154 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 2A | 50µA | NPN | 1,5V a 500mA, 5A | 70 @ 2,5A, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6673 | 98.3402 | ![]() | 8917 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | * | Volume | Ativo | 2N6673 | - | RoHS não compatível | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN2N2907AP | 10.5070 | ![]() | 8786 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/291 | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-206AA, TO-18-3 Lata de metal | 500 mW | TO-18 (TO-206AA) | - | REACH não afetado | 150-JAN2N2907AP | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 600 mA | 50nA | PNP | 1,6 V a 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N2484 | 9.3300 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/376 | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-206AA, TO-18-3 Lata de metal | 2N2484 | 360 mW | TO-18 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 50 mA | 2nA | NPN | 300mV @ 100µA, 1mA | 225 @ 10mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| VRF161MP | 164.5710 | ![]() | 4895 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | 170V | M174 | VRF161 | 30MHz | MOSFET | M174 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | Canal N | 20A | 250 mA | 200W | 24dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6050 | 54.2700 | ![]() | 5570 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-204AA, TO-3 | 150 W | TO-204AA (TO-3) | - | REACH não afetado | 150-2N6050 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 12A | 1mA | PNP - Darlington | 2V a 24mA, 6A | 750 @ 6A, 3V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM170DUM058AG | 573.5200 | ![]() | 9786 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em chassi | Módulo | MSCSM170 | Carboneto de Silício (SiC) | 1642W (Tc) | - | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 150-MSCSM170DUM058AG | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Fonte comum de 2 canais N (duplo) | 1700V (1,7kV) | 353A (Tc) | 7,5mOhm a 180A, 20V | 3,3V a 15mA | 1068nC @ 20V | 19800pF a 1000V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4235L | 40.7850 | ![]() | 5265 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-205AD, TO-39-3 Lata de metal | 1W | TO-39 (TO-205AD) | - | REACH não afetado | 150-2N4235L | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 1A | 1mA | PNP | 600mV a 100mA, 1A | 40 @ 100mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N6352 | - | ![]() | 3141 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/472 | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-213AA, TO-66-2 | 2W | TO-66 (TO-213AA) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 5A | - | NPN - Darlington | 1,5V a 5mA, 5A | 2000 @ 5A, 5V | - |

Volume médio diário de RFQ

Unidade de produto padrão

Fabricantes mundiais

Armazém em estoque
Lista de desejos (0 itens)