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Transistores (5714)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Entrada | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Tensão - Teste | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Termistor NTC | CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2N5011s | 21.9000 |  | 2032 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 w | TO-39 (TO-205AD) | - | Alcançar Não Afetado | 150-2N5011s | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 600 v | 200 MA | 10na (ICBO) | Npn | 1.5V @ 5MA, 25MA | 30 @ 25MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N7143 | 237.8400 | | 4455 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | - | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | 87 w | TO-204AD (TO-3) | - | Alcançar Não Afetado | 150-2N7143 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 12 a | - | Pnp | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| Jan2n3419s | 16.5053 | | 5775 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/393 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N3419 | 1 w | TO-39 (TO-205AD) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 3 a | 5µA | Npn | 500mv @ 200Ma, 2a | 20 @ 1A, 2V | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | 89100-01TX | 349.9496 | | 1147 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | - | Através do buraco | TO-213AA, TO-66-2 | TO-66 (TO-213AA) | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jansp2N5152U3 | 229.9812 | | 7033 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/544 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | 1 w | U3 (SMD-0.5) | - | Alcançar Não Afetado | 150-JANSP2N5152U3 | 1 | 80 v | 2 a | 50µA | Npn | 1,5V a 500mA, 5a | 30 @ 2.5a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx2N6650 | - | | 1232 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/527 | Volume | Descontinuado no sic | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | 5 w | TO-204AA (TO-3) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 10 a | 1Ma | PNP - Darlington | 3V @ 100µA, 10a | 1000 @ 5A, 3V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Jan2n4854u/tr | 195.3105 | | 6988 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/421 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-smd, sem chumbo | 2N4854 | 600mW | 6-SMD | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JAN2N4854U/TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 40V | 600mA | 10µA (ICBO) | Npn, pnp | 400mv @ 15Ma, 150mA | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | Apt50m50jll | 52.4800 | | 8294 | 0,00000000 | Microchip Technology | Power MOS 7® | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | APT50M50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Isotop® | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 v | 71a (TC) | 10V | 50mohm @ 35.5a, 10V | 5V @ 5MA | 200 nc @ 10 V | ± 30V | 10550 pf @ 25 V | - | 595W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | JANS2N5795A | 403.6818 | | 3603 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/496 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-78-6 METAL CAN | 2N5795 | 600mW | TO-78-6 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 600mA | 10µA (ICBO) | 2 PNP (DUPLO) | 1.6V @ 50Ma, 500mA | 40 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx2N3440U4 | - | | 1725 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/368 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | 800 MW | U4 | - | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 250 v | 2 µA | 2µA | Npn | 500mv @ 4Ma, 50Ma | 40 @ 20MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Jankcal2N3637 | - | | 2352 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/357 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 w | TO-39 (TO-205AD) | - | Alcançar Não Afetado | 150-JANKCAL2N3637 | 100 | 175 v | 1 a | 10µA | Pnp | 600mV @ 5MA, 50MA | 100 @ 50MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4901 | 45.1535 | | 8075 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | 2N4901 | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 89100-06TXV | - | | 2595 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | - | Através do buraco | TO-213AA, TO-66-2 | TO-66 (TO-213AA) | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT60GF60JU3 | - | | 9078 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem do chassi | Isotop | 378 w | Padrão | SOT-227 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | NPT | 600 v | 93 a | 2.5V @ 15V, 60a | 80 µA | Não | 3,59 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
| Jansl2N2221AUBC | 231.8416 | | 2543 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/255 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | 500 MW | UBC | - | Alcançar Não Afetado | 150-JANSL2N2221AUBC | 1 | 50 v | 800 mA | 50na | Npn | 1V @ 50MA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Aptm50hm65ft3g | 154.6200 | | 2746 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP3 | APTM50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 390W | SP3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 Canais n (Meia Ponte) | 500V | 51a | 78mohm @ 25.5a, 10V | 5V @ 2.5mA | 140NC @ 10V | 7000pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||||
 | Jantx2N3740 | - | | 6626 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/441 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-213AA, TO-66-2 | 2N3740 | 25 w | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 4 a | 10µA | Pnp | 600mV A 125mA, 1A | 30 @ 250mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| Jan2n2920a | 30.6432 | | 9037 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/355 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-78-6 METAL CAN | 2N2920 | 350mw | TO-78-6 | - | Alcançar Não Afetado | 150-JAN2N2920A | 1 | 60V | 30Ma | 10µA (ICBO) | 2 NPN (DUPLO) | 300mv @ 100µA, 1MA | 300 @ 1MA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N3780 | 33.0450 | | 2020 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 5 w | TO-5AA | - | Alcançar Não Afetado | 150-2N3780 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 1 a | - | Pnp | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | APTGT50SK170T1G | 61.9200 | | 4083 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP1 | APTGT50 | 312 w | Padrão | SP1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | Parada de Campo da Trinceira | 1700 v | 75 a | 2.4V @ 15V, 50A | 250 µA | Sim | 4.4 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||
 | APT1201R6SVFRG | 20.0300 | | 6754 | 0,00000000 | Microchip Technology | Power Mos V® | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-268-3, D³pak (2 leads + guia), TO-268AA | APT1201 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D3 [s] | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1200 v | 8a (TC) | 1.6OHM @ 4A, 10V | 4V @ 1MA | 230 NC @ 10 V | 3660 pf @ 25 V | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | APT48M80B2 | 21.5300 | | 7905 | 0,00000000 | Microchip Technology | Power MOS 8 ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-247-3 Variante | APT48M80 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | T-MAX ™ [B2] | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 800 v | 49a (TC) | 10V | 190mohm @ 24a, 10v | 5V @ 2.5mA | 305 nc @ 10 V | ± 30V | 9330 PF @ 25 V | - | 1135W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| Jan2n2907AUBP | 12.5153 | | 3095 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/291 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | 500 MW | Ub | - | Alcançar Não Afetado | 150-JAN2N2907AUBP | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 mA | 50na | Pnp | 1.6V @ 50Ma, 500mA | 100 @ 1MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx2N6283 | 57.5358 | | 2040 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/504 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | 175 w | TO-204AA (TO-3) | - | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 1 MA | 1Ma | NPN - Darlington | 3V @ 200Ma, 20A | 1500 @ 1A, 3V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | MSCSM170DUM11T3AG | 325.9700 | | 5021 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | MSCSM170 | Carboneto de Silício (sic) | 1140W (TC) | Sp3f | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 150-MSCSM170DUM11T3AG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2-Canal N (Duplo) Fonte Comum | 1700V (1,7KV) | 240a (TC) | 11.3mohm @ 120a, 20V | 3.2V @ 10Ma | 712NC @ 20V | 13200pf @ 1000V | - | ||||||||||||||||||||||||
| 2C3486A-MSCL | 7.5450 | | 2137 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-2C3486A-MSCL | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N2369AUA/tr | 35.4578 | | 5901 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-SMD | 360 MW | Smd | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-2N2369AUA/TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 400na | Npn | 450mv @ 10ma, 100mA | 20 @ 100mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx2N6301p | 40.5517 | | 1808 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-213AA, TO-66-2 | 75 w | TO-66 (TO-213AA) | - | Alcançar Não Afetado | 150-Jantx2N6301p | 1 | 80 v | 8 a | 500µA | NPN - Darlington | 3V @ 80MA, 8A | 750 @ 4A, 3V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 89100-06TX | - | | 8567 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | - | Através do buraco | TO-213AA, TO-66-2 | TO-66 (TO-213AA) | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ARF466AG | 65.5000 | | 2871 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tubo | Ativo | 1000 v | TO-264-3, TO-264AA | ARF466 | 40.68MHz | MOSFET | To-264 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 13a | 300W | 16dB | - | 150 v |
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