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| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Tecnologia | Poder - Máx | Entrada | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Condição de teste | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Coletor Pulsa (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C | Tensão - Quebra (V (BR) GSS) | Corrente - DRENO (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tensão - Corte (VGS desligado) @ id | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Termistor NTC | CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE | Resistência - rds (on) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão | Dreno atual (id) - max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | APT70GR120L | 13.2200 |  | 4409 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-264-3, TO-264AA | APT70GR120 | Padrão | 961 w | To-264 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V, 70A, 4.3OHM, 15V | NPT | 1200 v | 160 a | 280 a | 3.2V @ 15V, 70A | 3,82MJ (ON), 2,58MJ (Desligado) | 544 NC | 33ns/278ns | ||||||||||||||||||||||||||||
 | APT70GR120J | 29.8400 | | 7380 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SOT-227-4 | APT70GR120 | 543 w | Padrão | SOT-227 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | NPT | 1200 v | 112 a | 3.2V @ 15V, 70A | 1 MA | Não | 7,26 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||
 | APTC60DSKM24T3G | 129.7000 | | 7 | 0,00000000 | Microchip Technology | Coolmos ™ | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP3 | APTC60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 462W | SP3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal 2 n (Duplo Helicador) | 600V | 95a | 24mohm @ 47.5a, 10V | 3.9V @ 5MA | 300NC @ 10V | 14400pf @ 25V | Super Junction | |||||||||||||||||||||||||||||
 | APT42F50S | 11.1900 | | 1036 | 0,00000000 | Microchip Technology | Power MOS 8 ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-268-3, D³pak (2 leads + guia), TO-268AA | APT42F50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D3PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 v | 42a (TC) | 10V | 130mohm @ 21a, 10V | 5V @ 1MA | 170 nc @ 10 V | ± 30V | 6810 pf @ 25 V | - | 625W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | DN1509N8-G | 0,9500 | | 6937 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-243AA | DN1509N8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-243AA (SOT-89) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 90 v | 360mA (TJ) | 0v | 6ohm @ 200Ma, 0V | - | ± 20V | 150 pf @ 25 V | Modo de Esgotamento | 1.6W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
| LND150N8-G | 0,7900 | | 4221 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-243AA | LND150 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-89-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 500 v | 30MA (TJ) | 0v | 1000OHM @ 500µA, 0V | - | ± 20V | 10 pf @ 25 V | Modo de Esgotamento | 1.6W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | DN2535N3-G | 0,9100 | | 1 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Bolsa | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | DN2535 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-92 (TO-226) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 350 v | 120mA (TJ) | 0v | 25ohm a 120mA, 0V | - | ± 20V | 300 pf @ 25 V | Modo de Esgotamento | 1W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| TN0620N3-G | 1.6300 | | 7299 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Bolsa | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | TN0620 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-92-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 200 v | 250mA (TJ) | 5V, 10V | 6ohm @ 500Ma, 10V | 1.6V @ 1Ma | ± 20V | 150 pf @ 25 V | - | 1W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| VN10KN3-G | 0,6000 | | 5338 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Bolsa | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | VN10KN3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-92-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 60 v | 310mA (TJ) | 5V, 10V | 5ohm @ 500mA, 10V | 2.5V @ 1MA | ± 30V | 60 pf @ 25 V | - | 1W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N4860UB | 86.7825 | | 5573 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | 2N4860 | 360 MW | - | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 v | 18pf @ 10V | 30 v | 100 mA a 15 V | 6 V @ 500 PA | 40 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N5115UB | 52.5483 | | 7812 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | 2N5115 | 500 MW | Ub | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | Canal P. | 30 v | 25pf @ 15V | 30 v | 60 mA a 15 V | 6 V @ 1 NA | 100 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | MV2N5116 | - | | 6422 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN | MV2N5116 | 500 MW | TO-18 (TO-206AA) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | Canal P. | 30 v | 27pf @ 15V | 30 v | 25 mA a 15 V | 6 V @ 1 NA | 100 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MX2N4856UB | 68.7743 | | 3847 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | 2N4856 | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX2N4861 | 50.8193 | | 2285 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/385 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN | 2N4861 | 360 MW | TO-18 (TO-206AA) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | N-canal | 30 v | 18pf @ 10V | 30 v | 80 mA a 15 V | 4 V @ 0,5 NA | 60 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MQ2N5116 | 55.0487 | | 2867 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN | MQ2N5116 | 500 MW | To-18 | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | Canal P. | 30 v | 27pf @ 15V | 30 v | 5 mA a 15 V | 1 V @ 1 Ma | 175 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N2609 | 11.4114 | | 4430 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Bolsa | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN | 2N2609 | 300 MW | TO-18 (TO-206AA) | download | Alcançar Não Afetado | 2N2609ms | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | Canal P. | 10pf @ 5V | 30 v | 2 ma @ 5 V | 750 mv @ 1 a | 10 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX2N4091 | 69.2531 | | 1768 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/431 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN | 360 MW | TO-18 (TO-206AA) | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | N-canal | 40 v | 16pf @ 20V | 40 v | 30 mA a 20 V | 30 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX2N4091UB | 89.1233 | | 2604 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/431 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | 360 MW | 3-UB (3.09x2.45) | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | N-canal | 40 v | 16pf @ 20V | 40 v | 30 mA a 20 V | 30 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX2N4092 | 69.2531 | | 6441 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/431 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN | 360 MW | TO-18 (TO-206AA) | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | N-canal | 40 v | 16pf @ 20V | 40 v | 15 mA a 20 V | 50 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX2N4092UB | 89.1233 | | 8086 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/431 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | 360 MW | 3-UB (3.09x2.45) | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | N-canal | 40 v | 16pf @ 20V | 40 v | 15 mA a 20 V | 50 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX2N4093 | 69.2531 | | 4978 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/431 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN | 360 MW | TO-18 (TO-206AA) | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | N-canal | 40 v | 16pf @ 20V | 40 v | 8 mA a 20 V | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N2880 | 137.8412 | | 1671 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem do Pino | TO-210AA, TO-59-4, Stud | 2N2880 | 2 w | TO-59 | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 5 a | 20µA | Npn | 1,5V a 500mA, 5a | 40 @ 1A, 2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTMC120HR11CT3AG | - | | 4976 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | APTMC120 | Carboneto de Silício (sic) | 125W | SP3 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 1200V (1,2kV) | 26a (TC) | 98mohm @ 20a, 20V | 3V @ 5MA | 62NC @ 20V | 950pf @ 1000V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| APT200GN60J | 37.2200 | | 5213 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Isotop | APT200 | 682 w | Padrão | Isotop® | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | Parada de Campo da Trinceira | 600 v | 283 a | 1.85V @ 15V, 200a | 25 µA | Não | 14.1 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||
 | APT35GA90BD15 | 6.4400 | | 3769 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | APT35GA90 | Padrão | 290 w | To-247 [b] | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V, 18A, 10OHM, 15V | Pt | 900 v | 63 a | 105 a | 3.1V @ 15V, 18a | 642µJ (ON), 382µJ (Desligado) | 84 NC | 12ns/104ns | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Aptm100a18ftg | 195.3300 | | 9603 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp4 | APTM100 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 780W | Sp4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Meia Ponte) | 1000V (1KV) | 43a | 210mohm @ 21.5a, 10V | 5V @ 5MA | 372NC @ 10V | 10400pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| Aptm100dam90g | 230.0917 | | 9653 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp6 | APTM100 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Sp6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1000 v | 78a (TC) | 10V | 105mohm @ 39a, 10V | 5V @ 10Ma | 744 NC @ 10 V | ± 30V | 20700 pf @ 25 V | - | 1250W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| Aptm10dam05tg | 126.6100 | | 3900 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp4 | APTM10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Sp4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 v | 278a (TC) | 10V | 5mohm @ 125a, 10V | 4V @ 5MA | 700 NC @ 10 V | ± 30V | 20000 pf @ 25 V | - | 780W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| Aptm20am08ftg | 178.3214 | | 2593 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp4 | APTM20 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 781W | Sp4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Meia Ponte) | 200V | 208a | 10mohm @ 104a, 10V | 5V @ 5MA | 280NC @ 10V | 14400pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| APTM50SKM19G | 200.7200 | | 9424 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp6 | APTM50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Sp6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 v | 163a (TC) | 10V | 22.5mohm @ 81.5a, 10V | 5V @ 10Ma | 492 nc @ 10 V | ± 30V | 22400 pf @ 25 V | - | 1136W (TC) |
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