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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Condição de teste | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Coletor Pulsa (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão | Resistor - Base (R1) | Resistor - Base de Emissor (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | R6009ENX | 3.5500 | ![]() | 397 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | R6009 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220FM | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 v | 9a (TC) | 10V | 535mohm @ 2.8a, 10V | 4V @ 1MA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 430 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BSM450D12P4G102 | 1.0000 | ![]() | 6512 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | CAIXA | Ativo | 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | BSM450 | Carboneto de Silício (sic) | 1.45kW (TC) | Módlo | download | 1 (ilimito) | 846-BSM450D12P4G102 | 4 | 2 n-canal | 1200V | 447a (TC) | - | 4.8V @ 218.4MA | - | 44000pf @ 10V | Padrão | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6030KNXC7G | 6.6700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tubo | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | R6030 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220FM | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 846-R6030KNXC7G | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 30a (ta) | 10V | 130mohm @ 14.5a, 10V | 5V @ 1MA | 56 nc @ 10 V | ± 20V | 2350 pf @ 25 V | - | 86W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1767T100Q | 0,6700 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-243AA | 2SD1767 | 500 MW | Mpt3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 80 v | 700 MA | 500na (ICBO) | Npn | 400mv @ 50Ma, 500mA | 120 @ 100mA, 3V | 120MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dta144eubtl | 0,0355 | ![]() | 9067 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | DTA144E | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-85 | DTA144 | 200 MW | Umt3f | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500na | PNP - Pré -tendencioso | 300mv @ 500µA, 10MA | 68 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT4045DW7TL | 12.2500 | ![]() | 996 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-8, D²PAK (7 leads + guia), TO-263CA | Sicfet (Carboneto de Silício) | TO-263-7L | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 750 v | 31a (TJ) | 18V | 59mohm @ 17a, 18V | 4.8V @ 8.89MA | 63 nc @ 18 V | +21V, -4V | 1460 pf @ 500 V | - | 93W | ||||||||||||||||||||||||
![]() | ZDX130N50 | 1.6372 | ![]() | 9797 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Volume | Não é para desenhos para Novos | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | ZDX130 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220FM | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | ZDX130N50CT-ND | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 v | 13a (TC) | 10V | 520mohm @ 6.5a, 10V | 4.5V @ 1MA | 40 nc @ 10 V | ± 30V | 2180 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | DTC115ECAT116 | 0,2800 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DTC115 | 200 MW | SST3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500na | Npn - pré -tendencioso | 300mv @ 250µA, 5MA | 82 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 100 Kohms | 100 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RX3L18BBGC16 | 7.6800 | ![]() | 7327 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tubo | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | RX3L18 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 846-RX3L18BBGC16 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 v | 240A (TA), 180A (TC) | 4.5V, 10V | 1.84mohm @ 90a, 10V | 2.5V @ 1MA | 160 nc @ 10 V | ± 20V | 11000 pf @ 30 V | - | 192W (TC) | ||||||||||||||||||||||
Sh8m24gzetb | 1.3200 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | Sh8m24 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.4W (TA) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N E P-Canal | 45V | 6a (ta) | 46mohm @ 4.5a, 10v, 63mohm @ 3.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 9.6NC @ 5V, 18.2NC @ 5V | 550pf @ 10V, 1700pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | HP8MA2TB1 | 1.8500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | HP8MA2 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3W (TA) | 8-HSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N E P-Canal | 30V | 18a (ta), 15a (ta) | 9.6mohm @ 18a, 10V, 17.9mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 1MA | 22NC @ 10V, 25NC @ 10V | 1100pf @ 15V, 1250pf @ 15V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | R6515KNX3C16 | 3.5300 | ![]() | 956 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tubo | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | R6515 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 846-R6515KNX3C16 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 v | 15a (TC) | 10V | 315mohm @ 6.5a, 10V | 5V @ 430µA | 27,5 nc @ 10 V | ± 20V | 1050 pf @ 25 V | - | 161W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | RGW60TS65CHRC11 | 12.8100 | ![]() | 8029 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | RGW60 | Padrão | 178 w | To-247n | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 846-RGW60TS65CHRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 15A, 10OHM, 15V | 34 ns | - | 650 v | 64 a | 120 a | 1.9V @ 15V, 30A | 70µJ (ON), 220µJ (Off) | 84 NC | 37ns/91ns | |||||||||||||||||||||
R6530KNZC8 | - | ![]() | 6614 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo para 3p-3 | R6530 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-3PF | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | 846-R6530KNZC8 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 v | 30a (TC) | 10V | 140mohm @ 14.5a, 10V | 5V @ 960µA | 56 nc @ 10 V | ± 20V | 2350 pf @ 25 V | - | 86W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RGW60TS65HRC11 | 6.3700 | ![]() | 4916 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | RGW60 | Padrão | 178 w | To-247n | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 846-RGW60TS65HRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400V, 15A, 10OHM, 15V | Parada de Campo da Trinceira | 650 v | 64 a | 120 a | 1.9V @ 15V, 30A | 84 NC | 36ns/107ns | |||||||||||||||||||||||
R6535ENZC8 | - | ![]() | 4858 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo para 3p-3 | R6535 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-3PF | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | 846-R6535ENZC8 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 v | 35a (TC) | 10V | 115mohm @ 18.1a, 10V | 4V @ 1.21MA | 110 nc @ 10 V | ± 20V | 2600 pf @ 25 V | - | 102W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Umd9nfhat | 0,4800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Umd9 | 150mW | Umt6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100mA | 500na | 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) | 300mv @ 250µA, 5MA | 68 @ 5MA, 5V | 250MHz | 10kohms | 47kohms | |||||||||||||||||||||||||
R6020ANZFL1C8 | - | ![]() | 4337 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C. | Através do buraco | Pacote completo para 3p-3 | R6020 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-3PF | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | 846-R6020ANZFL1C8 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 v | 20A (TA) | 10V | 220mohm @ 10a, 10V | 4.15V @ 1MA | 65 nc @ 10 V | ± 30V | 2040 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RGWX5TS65EHRC11 | 11.4700 | ![]() | 8732 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | RGWX5TS65 | Padrão | 348 w | To-247n | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 846-RGWX5TS65EHRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400V, 37.5a, 10ohm, 15v | 100 ns | Parada de Campo da Trinceira | 650 v | 132 a | 300 a | 1.9V @ 15V, 75A | 213 NC | 59NS/243NS | ||||||||||||||||||||||
![]() | RGW80TS65EHRC11 | 8.0200 | ![]() | 8016 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | RGW80 | Padrão | 214 w | To-247n | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 846-RGW80TS65EHRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400V, 20A, 10OHM, 15V | 86 ns | Parada de Campo da Trinceira | 650 v | 80 a | 160 a | 1.9V @ 15V, 40A | 110 NC | 43ns/148ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | SH8K32TB1 | 1.7000 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | Sh8k32 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-SOP (5.0x6.0) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 4.5a | 65mohm @ 4.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 10NC @ 5V | 500pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SP8J62TB1 | - | ![]() | 4034 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | SP8J62 | - | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 846-SP8J62TB1TR | Obsoleto | 2.500 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6012ANX | 2.7470 | ![]() | 1736 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Volume | Não é para desenhos para Novos | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | R6012 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220FM | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 v | 12a (ta) | 10V | 420mohm @ 6a, 10V | 4.5V @ 1MA | 35 nc @ 10 V | ± 30V | 1300 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR523V1T2L | - | ![]() | 7013 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6047KNZ4C13 | 14.2000 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tubo | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | R6047 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-247 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 846-R6047KNZ4C13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 v | 47a (TC) | 10V | 72mohm @ 25.8a, 10V | 5V @ 1MA | 100 nc @ 10 V | ± 20V | 4300 pf @ 25 V | - | 481W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | RGSX5TS65DHRC11 | 10.9100 | ![]() | 450 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tubo | Não é para desenhos para Novos | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | RGSX5TS65 | Padrão | 404 w | To-247n | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 846-RGSX5TS65DHRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 75A, 10OHM, 15V | 114 ns | Parada de Campo da Trinceira | 650 v | 114 a | 225 a | 2.15V @ 15V, 75A | 3,32MJ (ON), 1,9MJ (Desligado) | 79 NC | 43ns/113ns | |||||||||||||||||||||
![]() | R6009jnjgtl | 2.9400 | ![]() | 9436 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | R6009 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Lpts | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 600 v | 9a (TC) | 15V | 585mohm @ 4.5a, 15V | 7V @ 1.38MA | 22 NC @ 15 V | ± 30V | 645 pf @ 100 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Rgpz10bm40fhtl | 1.0665 | ![]() | 1008 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | RGPZ10 | Padrão | 107 w | TO-252 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 300V, 8A, 100OHM, 5V | - | 460 v | 20 a | 2.0V @ 5V, 10A | - | 14 NC | 500Ns/4µs | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Rs1l145gntb | 2.1000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | Rs1l | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-HSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 14.5a (ta), 47a (tc) | 4.5V, 10V | 9.7mohm @ 14.5a, 10V | 2.7V @ 200µA | 37 nc @ 10 V | ± 20V | 1880 pf @ 30 V | - | 3W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RGW40TS65DGC11 | 5.4500 | ![]() | 445 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tubo | Não é para desenhos para Novos | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | Padrão | 136 w | To-247n | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 20A, 10OHM, 15V | Parada de Campo da Trinceira | 650 v | 40 a | 80 a | 1.9V @ 15V, 20A | 330µJ (ON), 300µJ (OFF) | 59 NC | 33ns/76ns |
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