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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Outros nomes | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RM150N60T2 | 0,5800 | ![]() | 3725 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM150N60T2 | 8541.10.0080 | 5.000 | Canal N | 60 V | 150A (Tc) | 10V | 4,5mOhm a 75A, 10V | 4 V a 250 µA | ±20V | 6.500 pF a 25 V | - | 220W (Tc) | |||||
![]() | RMA7N20ED1 | 0,0290 | ![]() | 9077 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -50°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SC-101, SOT-883 | MOSFET (óxido metálico) | DFN1006-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RMA7N20ED1TR | 8541.10.0080 | 40.000 | Canal N | 20 V | 700mA (Tc) | 2,5 V, 4,5 V | 260mOhm @ 500mA, 4,5V | 1,2 V a 250 µA | ±8V | 40 pF a 10 V | - | 550 mW (Ta) | |||||
![]() | RM50N60TI | 0,2400 | ![]() | 2760 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | Pacote completo TO-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | TO-220F | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM50N60TI | 8541.10.0080 | 5.000 | Canal N | 60 V | 50A (Ta) | 10V | 20mOhm @ 20A, 10V | 2,5 V a 250 µA | ±20V | 2050 pF a 30 V | - | 85W (Ta) | |||||
![]() | RM60N30DF | 0,1400 | ![]() | 4964 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerVDFN | MOSFET (óxido metálico) | 8-DFN (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM60N30DFTR | 8541.10.0080 | 40.000 | Canal N | 30 V | 58A (Tc) | 4,5V, 10V | 8,5mOhm a 30A, 10V | 2,5 V a 250 µA | ±20V | 1844 pF a 15 V | - | 46W (Tc) | |||||
![]() | RM130N100T2 | 0,6900 | ![]() | 9163 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM130N100T2 | 8541.10.0080 | 5.000 | Canal N | 100V | 130A (Tc) | 10V | 5,5mOhm a 50A, 10V | 4 V a 250 µA | ±20V | 4570 pF a 25 V | - | 120W (Tc) | |||||
![]() | RMA4N60092 | 0,1400 | ![]() | 9871 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Condutores formados | MOSFET (óxido metálico) | TO-92 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RMA4N60092TR | 8541.10.0080 | 10.000 | Canal N | 600 V | 400mA (Tc) | 10V | 8,5Ohm a 200mA, 10V | 5 V a 250 µA | ±30V | 130 pF a 25 V | - | 2,5W (Tc) | |||||
![]() | RM8205F | 0,0680 | ![]() | 8238 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOT-23-6 | RM8205 | MOSFET (óxido metálico) | 1,14W (Ta) | SOT-23-6 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM8205FTR | 8541.10.0080 | 30.000 | 2 canais N (duplo) | 20V | 6A (Ta) | 17mOhm a 1A, 4,5V, 20mOhm a 6A, 4,5V | 1,2 V a 250 µA | - | 1035pF a 20V | - | |||||
![]() | RM6N800TI | 0,8200 | ![]() | 7478 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | Pacote completo TO-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | TO-220F | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM6N800TI | 8541.10.0080 | 5.000 | Canal N | 800V | 6A (Tj) | 10V | 900mOhm @ 4A, 10V | 4 V a 250 µA | ±30V | 1320 pF a 50 V | - | 32,4W (Tc) | |||||
![]() | RM6005S4 | 0,1550 | ![]() | 1297 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (óxido metálico) | SOT-223-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM6005S4TR | 8541.10.0080 | 30.000 | Canal N | 60 V | 5A (Ta) | 4,5V, 10V | 55mOhm @ 4,5A, 10V | 2,5 V a 250 µA | ±20V | 450 pF a 25 V | - | 2W (Ta) | |||||
![]() | 2N7002KS6 | 0,0430 | ![]() | 6245 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | - | Montagem em superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 2N7002 | MOSFET (óxido metálico) | 350 mW (Ta) | SOT-363-6L | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-2N7002KS6TR | 8541.10.0080 | 30.000 | 2 canais N (duplo) | 60V | 250mA (Ta) | 5 Ohm @ 500 mA, 10 V | 1,9 V a 250 µA | - | - | - | |||||
![]() | RM150N150HD | 1.7500 | ![]() | 3265 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | PARA-263-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM150N150HDTR | 8541.10.0080 | 8.000 | Canal N | 150 V | 150A (Tc) | 10V | 7,2mOhm a 70A, 10V | 4 V a 250 µA | ±20V | 5500 pF a 75 V | - | 320W (Tc) | |||||
![]() | RM3407 | 0,1200 | ![]() | 7167 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM3407TR | 8541.10.0080 | 12.000 | Canal P | 30 V | 4,3A (Ta) | 4,5V, 10V | 52mOhm @ 4A, 10V | 3 V a 250 µA | ±20V | 700 pF a 15 V | - | 1,5W (Ta) | |||||
![]() | RM80N80T2 | 0,5200 | ![]() | 3910 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM80N80T2 | 8541.10.0080 | 5.000 | Canal N | 80 V | 80A (Ta) | 10V | 8,5mOhm a 40A, 10V | 4 V a 250 µA | ±20V | 4100 pF a 25 V | - | 170W (Ta) | |||||
![]() | RM150N60HD | 0,6700 | ![]() | 5813 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | PARA-263-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM150N60HDTR | 8541.10.0080 | 8.000 | Canal N | 60 V | 150A (Tc) | 10V | 4,5mOhm a 75A, 10V | 4 V a 250 µA | ±20V | 6.500 pF a 25 V | - | 220W (Tc) | |||||
![]() | RM40P40LD | 0,2600 | ![]() | 1155 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-252-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM40P40LDTR | 8541.10.0080 | 25.000 | Canal P | 40 V | 40A (Tc) | 10V | 14mOhm @ 12A, 10V | 3 V a 250 µA | ±20V | 2.960 pF a 20 V | - | 80W (Tc) | |||||
![]() | RM6A5P30S8 | 0,1900 | ![]() | 7721 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | RM6A5 | MOSFET (óxido metálico) | 1,5W (Ta) | 8-POP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM6A5P30S8TR | 8541.10.0080 | 40.000 | 2 canais P (duplo) | 30V | 6,5A (Ta) | 25mOhm @ 6A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 12,6nC a 4,5V | 1345pF a 15V | - | |||||
![]() | RM60N100DF | 0,4900 | ![]() | 7225 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerVDFN | MOSFET (óxido metálico) | 8-DFN (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM60N100DFTR | 8541.10.0080 | 40.000 | Canal N | 100V | 60A (Tc) | 10V | 8,5mOhm a 30A, 10V | 4,5 V a 250 µA | ±20V | 3500 pF a 50 V | - | 105W (Tc) | |||||
![]() | RM180N60T2 | 0,7300 | ![]() | 2096 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM180N60T2 | 8541.10.0080 | 5.000 | Canal N | 60 V | 180A (Tc) | 10V | 2,9mOhm a 20A, 10V | 4 V a 250 µA | ±20V | 4500 pF a 30 V | - | 220W (Tc) | |||||
![]() | RM5N800HD | 0,6700 | ![]() | 5232 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | PARA-263-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM5N800HDTR | 8541.10.0080 | 8.000 | Canal N | 800V | 5A (Tc) | 10V | 1,2Ohm @ 2A, 10V | 4,5 V a 250 µA | ±30V | 1320 pF a 50 V | - | 98W (Tc) | |||||
![]() | RM8N650T2 | 0,5200 | ![]() | 8364 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM8N650T2 | 8541.10.0080 | 5.000 | Canal N | 650 V | 8A (Tc) | 10V | 450mOhm @ 4A, 10V | 3,5 V a 250 µA | ±30V | 680 pF a 50 V | - | 80W (Tc) | |||||
![]() | RM4N700LD | 0,3500 | ![]() | 4905 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-252-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM4N700LDTR | 8541.10.0080 | 25.000 | Canal N | 700 V | 4A (Tc) | 10V | 1,4Ohm a 2A, 10V | 3,5 V a 250 µA | ±30V | 280 pF a 50 V | - | 46W (Tc) | |||||
![]() | RM20N650TI | 1.0400 | ![]() | 3696 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | Pacote completo TO-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | TO-220F | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM20N650TI | 8541.10.0080 | 5.000 | Canal N | 650 V | 20A (Tc) | 10V | 210mOhm @ 10A, 10V | 5 V a 250 µA | ±30V | 2600 pF a 50 V | - | 33W (Tc) | |||||
![]() | RM30N100T2 | 0,3900 | ![]() | 2008 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM30N100T2 | 8541.10.0080 | 5.000 | Canal N | 100V | 30A (Tc) | 10V | 28mOhm a 15A, 10V | 4 V a 250 µA | ±20V | 2.000 pF a 25 V | - | 75W (Tc) | |||||
![]() | RM5N650LD | 0,4500 | ![]() | 7945 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-252-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM5N650LDTR | 8541.10.0080 | 25.000 | Canal N | 650 V | 5A (Tc) | 10V | 900mOhm @ 2,5A, 10V | 3,5 V a 250 µA | ±30V | 460 pF a 50 V | - | 49W (Tc) | |||||
![]() | RM5N650IP | 0,4500 | ![]() | 6616 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | Terminais TO-251-3, IPak | MOSFET (óxido metálico) | PARA-251 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM5N650IP | 8541.10.0080 | 4.000 | Canal N | 650 V | 5A (Tc) | 10V | 900mOhm @ 2,5A, 10V | 3,5 V a 250 µA | ±30V | 460 pF a 50 V | - | 49W (Tc) | |||||
![]() | RM90N40DF | 0,4100 | ![]() | 8078 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerVDFN | MOSFET (óxido metálico) | 8-DFN (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM90N40DFTR | 8541.10.0080 | 40.000 | Canal N | 40 V | 90A (Tc) | 4,5V, 10V | 4mOhm @ 20A, 10V | 2,5 V a 250 µA | ±20V | 5400 pF a 20 V | - | 65W (Tc) | |||||
![]() | RM2004NE | 0,0900 | ![]() | 9814 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOT-23-6 | RM2004 | MOSFET (óxido metálico) | 1,25W (Ta) | SOT-23-6 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM2004NETR | 8541.10.0080 | 30.000 | 2 canais N (duplo) | 20V | 6A (Ta) | 24mOhm @ 6A, 10V | 1V @ 250µA | 8nC a 4,5V | 650pF a 10V | - | |||||
![]() | RM50N60LD | 0,2400 | ![]() | 6169 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-252-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM50N60LDTR | 8541.10.0080 | 25.000 | Canal N | 60 V | 50A (Tc) | 10V | 20mOhm @ 20A, 10V | 2,5 V a 250 µA | ±20V | 2050 pF a 30 V | - | 85W (Tc) | |||||
![]() | RM80N80HD | 0,5200 | ![]() | 6436 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | PARA-263-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM80N80HDTR | 8541.10.0080 | 8.000 | Canal N | 80 V | 80A (Ta) | 10V | 8,5mOhm a 40A, 10V | 4 V a 250 µA | ±20V | 4400 pF a 25 V | - | 170W (Ta) | |||||
![]() | RM40N100LD | 0,3800 | ![]() | 7839 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-252-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM40N100LDTR | 8541.10.0080 | 25.000 | Canal N | 100V | 40A (Tc) | 10V | 17mOhm @ 28A, 10V | 4 V a 250 µA | ±20V | 3400 pF a 30 V | - | 140W (Tc) |

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