SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caixa Número básico do produto Tecnologia Potência - Máx. Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Outros nomes HTSU Pacote Padrão Configuração Tipo FET Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs Vgs(th) (máx.) @ ID Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs Vgs (máx.) Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds Recurso FET Dissipação de energia (máx.)
RM150N60T2 Rectron USA RM150N60T2 0,5800
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ECAD 3725 0,00000000 Rectron EUA - Tubo Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 MOSFET (óxido metálico) PARA-220-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM150N60T2 8541.10.0080 5.000 Canal N 60 V 150A (Tc) 10V 4,5mOhm a 75A, 10V 4 V a 250 µA ±20V 6.500 pF a 25 V - 220W (Tc)
RMA7N20ED1 Rectron USA RMA7N20ED1 0,0290
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ECAD 9077 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -50°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície SC-101, SOT-883 MOSFET (óxido metálico) DFN1006-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RMA7N20ED1TR 8541.10.0080 40.000 Canal N 20 V 700mA (Tc) 2,5 V, 4,5 V 260mOhm @ 500mA, 4,5V 1,2 V a 250 µA ±8V 40 pF a 10 V - 550 mW (Ta)
RM50N60TI Rectron USA RM50N60TI 0,2400
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ECAD 2760 0,00000000 Rectron EUA - Tubo Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo Pacote completo TO-220-3 MOSFET (óxido metálico) TO-220F download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM50N60TI 8541.10.0080 5.000 Canal N 60 V 50A (Ta) 10V 20mOhm @ 20A, 10V 2,5 V a 250 µA ±20V 2050 pF a 30 V - 85W (Ta)
RM60N30DF Rectron USA RM60N30DF 0,1400
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ECAD 4964 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerVDFN MOSFET (óxido metálico) 8-DFN (5x6) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM60N30DFTR 8541.10.0080 40.000 Canal N 30 V 58A (Tc) 4,5V, 10V 8,5mOhm a 30A, 10V 2,5 V a 250 µA ±20V 1844 pF a 15 V - 46W (Tc)
RM130N100T2 Rectron USA RM130N100T2 0,6900
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ECAD 9163 0,00000000 Rectron EUA - Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 MOSFET (óxido metálico) PARA-220-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM130N100T2 8541.10.0080 5.000 Canal N 100V 130A (Tc) 10V 5,5mOhm a 50A, 10V 4 V a 250 µA ±20V 4570 pF a 25 V - 120W (Tc)
RMA4N60092 Rectron USA RMA4N60092 0,1400
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ECAD 9871 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Condutores formados MOSFET (óxido metálico) TO-92 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RMA4N60092TR 8541.10.0080 10.000 Canal N 600 V 400mA (Tc) 10V 8,5Ohm a 200mA, 10V 5 V a 250 µA ±30V 130 pF a 25 V - 2,5W (Tc)
RM8205F Rectron USA RM8205F 0,0680
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ECAD 8238 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo 150°C (TJ) Montagem em superfície SOT-23-6 RM8205 MOSFET (óxido metálico) 1,14W (Ta) SOT-23-6 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM8205FTR 8541.10.0080 30.000 2 canais N (duplo) 20V 6A (Ta) 17mOhm a 1A, 4,5V, 20mOhm a 6A, 4,5V 1,2 V a 250 µA - 1035pF a 20V -
RM6N800TI Rectron USA RM6N800TI 0,8200
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ECAD 7478 0,00000000 Rectron EUA - Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo Pacote completo TO-220-3 MOSFET (óxido metálico) TO-220F download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM6N800TI 8541.10.0080 5.000 Canal N 800V 6A (Tj) 10V 900mOhm @ 4A, 10V 4 V a 250 µA ±30V 1320 pF a 50 V - 32,4W (Tc)
RM6005S4 Rectron USA RM6005S4 0,1550
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ECAD 1297 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (óxido metálico) SOT-223-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM6005S4TR 8541.10.0080 30.000 Canal N 60 V 5A (Ta) 4,5V, 10V 55mOhm @ 4,5A, 10V 2,5 V a 250 µA ±20V 450 pF a 25 V - 2W (Ta)
2N7002KS6 Rectron USA 2N7002KS6 0,0430
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ECAD 6245 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo - Montagem em superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 2N7002 MOSFET (óxido metálico) 350 mW (Ta) SOT-363-6L download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-2N7002KS6TR 8541.10.0080 30.000 2 canais N (duplo) 60V 250mA (Ta) 5 Ohm @ 500 mA, 10 V 1,9 V a 250 µA - - -
RM150N150HD Rectron USA RM150N150HD 1.7500
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ECAD 3265 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB MOSFET (óxido metálico) PARA-263-2 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM150N150HDTR 8541.10.0080 8.000 Canal N 150 V 150A (Tc) 10V 7,2mOhm a 70A, 10V 4 V a 250 µA ±20V 5500 pF a 75 V - 320W (Tc)
RM3407 Rectron USA RM3407 0,1200
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ECAD 7167 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (óxido metálico) SOT-23 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM3407TR 8541.10.0080 12.000 Canal P 30 V 4,3A (Ta) 4,5V, 10V 52mOhm @ 4A, 10V 3 V a 250 µA ±20V 700 pF a 15 V - 1,5W (Ta)
RM80N80T2 Rectron USA RM80N80T2 0,5200
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ECAD 3910 0,00000000 Rectron EUA - Tubo Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 MOSFET (óxido metálico) PARA-220-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM80N80T2 8541.10.0080 5.000 Canal N 80 V 80A (Ta) 10V 8,5mOhm a 40A, 10V 4 V a 250 µA ±20V 4100 pF a 25 V - 170W (Ta)
RM150N60HD Rectron USA RM150N60HD 0,6700
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ECAD 5813 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB MOSFET (óxido metálico) PARA-263-2 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM150N60HDTR 8541.10.0080 8.000 Canal N 60 V 150A (Tc) 10V 4,5mOhm a 75A, 10V 4 V a 250 µA ±20V 6.500 pF a 25 V - 220W (Tc)
RM40P40LD Rectron USA RM40P40LD 0,2600
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ECAD 1155 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 MOSFET (óxido metálico) PARA-252-2 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM40P40LDTR 8541.10.0080 25.000 Canal P 40 V 40A (Tc) 10V 14mOhm @ 12A, 10V 3 V a 250 µA ±20V 2.960 pF a 20 V - 80W (Tc)
RM6A5P30S8 Rectron USA RM6A5P30S8 0,1900
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ECAD 7721 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) RM6A5 MOSFET (óxido metálico) 1,5W (Ta) 8-POP download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM6A5P30S8TR 8541.10.0080 40.000 2 canais P (duplo) 30V 6,5A (Ta) 25mOhm @ 6A, 10V 2,5 V a 250 µA 12,6nC a 4,5V 1345pF a 15V -
RM60N100DF Rectron USA RM60N100DF 0,4900
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ECAD 7225 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerVDFN MOSFET (óxido metálico) 8-DFN (5x6) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM60N100DFTR 8541.10.0080 40.000 Canal N 100V 60A (Tc) 10V 8,5mOhm a 30A, 10V 4,5 V a 250 µA ±20V 3500 pF a 50 V - 105W (Tc)
RM180N60T2 Rectron USA RM180N60T2 0,7300
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ECAD 2096 0,00000000 Rectron EUA - Tubo Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 MOSFET (óxido metálico) PARA-220-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM180N60T2 8541.10.0080 5.000 Canal N 60 V 180A (Tc) 10V 2,9mOhm a 20A, 10V 4 V a 250 µA ±20V 4500 pF a 30 V - 220W (Tc)
RM5N800HD Rectron USA RM5N800HD 0,6700
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ECAD 5232 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB MOSFET (óxido metálico) PARA-263-2 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM5N800HDTR 8541.10.0080 8.000 Canal N 800V 5A (Tc) 10V 1,2Ohm @ 2A, 10V 4,5 V a 250 µA ±30V 1320 pF a 50 V - 98W (Tc)
RM8N650T2 Rectron USA RM8N650T2 0,5200
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ECAD 8364 0,00000000 Rectron EUA - Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 MOSFET (óxido metálico) PARA-220-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM8N650T2 8541.10.0080 5.000 Canal N 650 V 8A (Tc) 10V 450mOhm @ 4A, 10V 3,5 V a 250 µA ±30V 680 pF a 50 V - 80W (Tc)
RM4N700LD Rectron USA RM4N700LD 0,3500
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ECAD 4905 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 MOSFET (óxido metálico) PARA-252-2 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM4N700LDTR 8541.10.0080 25.000 Canal N 700 V 4A (Tc) 10V 1,4Ohm a 2A, 10V 3,5 V a 250 µA ±30V 280 pF a 50 V - 46W (Tc)
RM20N650TI Rectron USA RM20N650TI 1.0400
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ECAD 3696 0,00000000 Rectron EUA - Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo Pacote completo TO-220-3 MOSFET (óxido metálico) TO-220F download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM20N650TI 8541.10.0080 5.000 Canal N 650 V 20A (Tc) 10V 210mOhm @ 10A, 10V 5 V a 250 µA ±30V 2600 pF a 50 V - 33W (Tc)
RM30N100T2 Rectron USA RM30N100T2 0,3900
Solicitação de cotação
ECAD 2008 0,00000000 Rectron EUA - Tubo Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 MOSFET (óxido metálico) PARA-220-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM30N100T2 8541.10.0080 5.000 Canal N 100V 30A (Tc) 10V 28mOhm a 15A, 10V 4 V a 250 µA ±20V 2.000 pF a 25 V - 75W (Tc)
RM5N650LD Rectron USA RM5N650LD 0,4500
Solicitação de cotação
ECAD 7945 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 MOSFET (óxido metálico) PARA-252-2 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM5N650LDTR 8541.10.0080 25.000 Canal N 650 V 5A (Tc) 10V 900mOhm @ 2,5A, 10V 3,5 V a 250 µA ±30V 460 pF a 50 V - 49W (Tc)
RM5N650IP Rectron USA RM5N650IP 0,4500
Solicitação de cotação
ECAD 6616 0,00000000 Rectron EUA - Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo Terminais TO-251-3, IPak MOSFET (óxido metálico) PARA-251 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM5N650IP 8541.10.0080 4.000 Canal N 650 V 5A (Tc) 10V 900mOhm @ 2,5A, 10V 3,5 V a 250 µA ±30V 460 pF a 50 V - 49W (Tc)
RM90N40DF Rectron USA RM90N40DF 0,4100
Solicitação de cotação
ECAD 8078 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerVDFN MOSFET (óxido metálico) 8-DFN (5x6) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM90N40DFTR 8541.10.0080 40.000 Canal N 40 V 90A (Tc) 4,5V, 10V 4mOhm @ 20A, 10V 2,5 V a 250 µA ±20V 5400 pF a 20 V - 65W (Tc)
RM2004NE Rectron USA RM2004NE 0,0900
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ECAD 9814 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície SOT-23-6 RM2004 MOSFET (óxido metálico) 1,25W (Ta) SOT-23-6 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM2004NETR 8541.10.0080 30.000 2 canais N (duplo) 20V 6A (Ta) 24mOhm @ 6A, 10V 1V @ 250µA 8nC a 4,5V 650pF a 10V -
RM50N60LD Rectron USA RM50N60LD 0,2400
Solicitação de cotação
ECAD 6169 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 MOSFET (óxido metálico) PARA-252-2 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM50N60LDTR 8541.10.0080 25.000 Canal N 60 V 50A (Tc) 10V 20mOhm @ 20A, 10V 2,5 V a 250 µA ±20V 2050 pF a 30 V - 85W (Tc)
RM80N80HD Rectron USA RM80N80HD 0,5200
Solicitação de cotação
ECAD 6436 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB MOSFET (óxido metálico) PARA-263-2 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM80N80HDTR 8541.10.0080 8.000 Canal N 80 V 80A (Ta) 10V 8,5mOhm a 40A, 10V 4 V a 250 µA ±20V 4400 pF a 25 V - 170W (Ta)
RM40N100LD Rectron USA RM40N100LD 0,3800
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ECAD 7839 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 MOSFET (óxido metálico) PARA-252-2 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM40N100LDTR 8541.10.0080 25.000 Canal N 100V 40A (Tc) 10V 17mOhm @ 28A, 10V 4 V a 250 µA ±20V 3400 pF a 30 V - 140W (Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    Mais de 2.000

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

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    15.000 m2

    Armazém em estoque