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Transistores(257)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Atual - Corte do Coletor (Máx.) | Tipo de transistor | Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic | Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequência - Transição | Resistor - Base (R1) | Resistor - Emissor Base (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DTC123JCA | 0,0410 |  | 1173 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DTC123 | 200 mW | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-DTC123JCATR | EAR99 | 8541.10.0080 | 30.000 | 50 V | 100 mA | 500nA | NPN - Pré-tendencioso | 300mV @ 250µA, 5mA | 80 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 2,2 kOhms | 46,2 kOhms | |||||||||||||||
 | RM2305B | 0,0390 | | 9804 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM2305BTR | 8541.10.0080 | 30.000 | Canal P | 20 V | 3A (Ta), 4,1A (Tc) | 1,8 V, 4,5 V | 52mOhm @ 4,1A, 4,5V | 1V @ 250µA | ±12V | 740 pF a 4 V | - | 1,7 W (Ta) | |||||||||||||||
 | RM3134 | 0,0600 | | 2255 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RM313 | MOSFET (óxido metálico) | 150mW | SOT-363-6L | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM3134TR | 8541.10.0080 | 30.000 | 2 canais N (duplo) | 20V | 750mA (Ta) | 380mOhm @ 650mA, 4,5V | 1,1 V a 250 µA | 0,75nC a 4,5V | 120pF @ 16V | - | |||||||||||||||
 | RM8N650TI | 0,5200 | | 1596 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | Pacote completo TO-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | TO-220F | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM8N650TI | 8541.10.0080 | 5.000 | Canal N | 650 V | 8A (Tj) | 10V | 450mOhm @ 4A, 10V | 3,5 V a 250 µA | ±30V | 680 pF a 50 V | - | 31,7W (Tc) | |||||||||||||||
 | RM25P30S8 | 0,3500 | | 8986 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | MOSFET (óxido metálico) | 8-POP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM25P30S8TR | 8541.10.0080 | 40.000 | Canal P | 30 V | 25A (Ta) | 4,5V, 10V | 9mOhm @ 15A, 10V | 2,5 V a 250 µA | ±20V | 3960 pF a 15 V | - | 3,5W (Ta) | |||||||||||||||
 | RM002N30DF | 0,3200 | | 9560 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerVDFN | MOSFET (óxido metálico) | 8-DFN (5x6) | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM002N30DFTR | 8541.10.0080 | 40.000 | Canal N | 30 V | 85A (Tc) | 4,5V, 10V | 2,4mOhm a 30A, 10V | 2,5 V a 250 µA | ±20V | 4345 pF a 15 V | - | 187W (Tc) | |||||||||||||||
 | RM45P20D3 | 0,2500 | | 9074 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerVDFN | MOSFET (óxido metálico) | 8-DFN-EP (3,3x3,3) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM45P20D3TR | 8541.10.0080 | 25.000 | Canal P | 19V | 45A (Tc) | 1,8 V, 4,5 V | 7mOhm a 20A, 4,5V | 1V @ 250µA | ±12V | 3500 pF a 10 V | - | 80W (Tc) | |||||||||||||||
| RM12P30S8 | 0,1650 | | 7635 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | MOSFET (óxido metálico) | 8-POP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM12P30S8TR | 8541.10.0080 | 40.000 | Canal P | 30 V | 12A (Ta) | 4,5V, 10V | 15mOhm @ 10A, 10V | 3 V a 250 µA | ±20V | 1750 pF a 15 V | - | 3W (Ta) | |||||||||||||||
| RM150N40DF | 0,5600 | | 3261 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerVDFN | MOSFET (óxido metálico) | 8-DFN (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM150N40DFTR | 8541.10.0080 | 40.000 | Canal N | 40 V | 150A (Tc) | 4,5V, 10V | 1,8mOhm a 75A, 10V | 2,2 V a 250 µA | ±20V | 7150 pF a 20 V | - | 88W (Tc) | |||||||||||||||
 | RM4N650LD | 0,3300 | | 3330 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-252-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM4N650LDTR | 8541.10.0080 | 25.000 | Canal N | 650 V | 4A (Tc) | 10V | 1,2 Ohm a 2,5 A, 10 V | 3,5 V a 250 µA | ±30V | 280 pF a 50 V | - | 46W (Tc) | |||||||||||||||
 | RM115N65T2 | 0,4600 | | 7143 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM115N65T2 | 8541.10.0080 | 5.000 | Canal N | 65 V | 115A (Tc) | 4,5V, 10V | 4,7mOhm a 15A, 10V | 2,5 V a 250 µA | +20V, -12V | 5900 pF a 30 V | - | 160W (Tc) | |||||||||||||||
| RM830 | 0,2400 | | 2168 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM830 | 8541.10.0080 | 5.000 | Canal N | 500 V | 5A (Tc) | 10V | 1,4 Ohm a 2,5 A, 10 V | 4 V a 250 µA | ±30V | 900 pF a 25 V | - | 87,5W (Tc) | |||||||||||||||
 | RMA7P20ED1 | 0,0290 | | 7509 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -50°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SC-101, SOT-883 | MOSFET (óxido metálico) | DFN1006-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RMA7P20ED1TR | 8541.10.0080 | 40.000 | Canal P | 20 V | 700mA (Tc) | 2,5 V, 4,5 V | 420mOhm @ 500mA, 4,5V | 1V @ 250µA | ±8V | 52 pF a 4 V | - | 900 mW (Ta) | |||||||||||||||
 | RM4N650IP | 0,3300 | | 6734 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | Terminais TO-251-3, IPak | MOSFET (óxido metálico) | PARA-251 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM4N650IP | 8541.10.0080 | 4.000 | Canal N | 650 V | 4A (Tc) | 10V | 1,2 Ohm a 2,5 A, 10 V | 3,5 V a 250 µA | ±30V | 280 pF a 50 V | - | 46W (Tc) | |||||||||||||||
| 2N7002KD1 | 0,0300 | | 1143 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SC-101, SOT-883 | 2N7002 | MOSFET (óxido metálico) | DFN1006-3 | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-2N7002KD1TR | 8541.10.0080 | 30.000 | Canal N | 60 V | 350mA (Ta) | 5V, 10V | 2,8Ohm a 200mA, 10V | 1,9 V a 250 µA | ±20V | 50 pF a 25 V | - | 350 mW (Ta) | ||||||||||||||
| RM50N200T2 | 1.2200 | | 3702 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM50N200T2 | 8541.10.0080 | 5.000 | Canal N | 200 V | 51A (Tc) | 10V | 32mOhm @ 10A, 10V | 4 V a 250 µA | ±20V | 1598 pF a 100 V | - | 214W (Tc) | |||||||||||||||
| RM2309E | 0,0540 | | 4943 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | - | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM2309ETR | 8541.10.0080 | 30.000 | Canal P | 30 V | - | 4,5V, 10V | 38mOhm @ 1A, 10V | 2,5 V a 250 µA | ±20V | - | - | ||||||||||||||||
| RM20N150LD | 0,2600 | | 1142 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-252-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM20N150LDTR | 8541.10.0080 | 25.000 | Canal N | 150 V | 20A (Ta) | 10V | 65mOhm @ 10A, 10V | 4,5 V a 250 µA | ±20V | 600 pF a 75 V | - | 68W (Ta) | |||||||||||||||
| RM11N800TI | 1.4400 | | 3242 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | Pacote completo TO-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | TO-220F | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM11N800TI | 8541.10.0080 | 5.000 | Canal N | 800V | 11A (Tj) | 10V | 420mOhm @ 5,5A, 10V | 4 V a 250 µA | ±30V | 2600 pF a 50 V | - | 33,8W (Tc) | |||||||||||||||
 | RM20N650HD | 1.0400 | | 5912 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | PARA-263-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM20N650HDTR | 8541.10.0080 | 8.000 | Canal N | 650 V | 20A (Tc) | 10V | 210mOhm @ 10A, 10V | 5 V a 250 µA | ±30V | 2600 pF a 50 V | - | 180W (Tc) | |||||||||||||||
| RM3401Y | 0,0460 | | 5047 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM3401YTR | 8541.10.0080 | 30.000 | Canal P | 30 V | 4,2A (Ta) | 2,5V, 10V | 55mOhm @ 4,2A, 10V | 1,3 V a 250 µA | ±12V | 880 pF a 15 V | - | 1,2W (Ta) | |||||||||||||||
| RM100N30DF | 0,3600 | | 1653 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerVDFN | MOSFET (óxido metálico) | 8-DFN (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM100N30DFTR | 8541.10.0080 | 40.000 | Canal N | 30 V | 100A (Tc) | 4,5V, 10V | 2,5mOhm a 20A, 10V | 2,5 V a 250 µA | ±20V | 5000 pF a 15 V | - | 65W (Tc) | |||||||||||||||
| RM5N700LD | 0,4700 | | 4418 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-252-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM5N700LDTR | 8541.10.0080 | 25.000 | Canal N | 700 V | 5A (Tc) | 10V | 950mOhm @ 2,5A, 10V | 3,5 V a 250 µA | ±30V | 460 pF a 50 V | - | 49W (Tc) | |||||||||||||||
| RMD0A8P20ES9 | 0,0600 | | 7140 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RMD0A8 | MOSFET (óxido metálico) | 800 mW (Ta) | SOT-363-6L | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RMD0A8P20ES9TR | 8541.10.0080 | 30.000 | 2 canais P (duplo) | 20V | 800mA (Ta) | 1,2 Ohm a 500 mA, 4,5 V | 1V @ 250µA | 0,0018C a 4,5V | 87pF a 10V | - | |||||||||||||||
| RM5N800IP | 0,6900 | | 4172 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | Terminais TO-251-3, IPak | MOSFET (óxido metálico) | PARA-251 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM5N800IP | 8541.10.0080 | 4.000 | Canal N | 800V | 5A (Tc) | 10V | 1,2 Ohm a 2,5 A, 10 V | 3,5 V a 250 µA | ±30V | 680 pF a 50 V | - | 81W (Tc) | |||||||||||||||
| RM120N40T2 | 0,5100 | | 6176 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM120N40T2 | 8541.10.0080 | 5.000 | Canal N | 40 V | 120A (Tc) | 4,5V, 10V | 4mOhm @ 20A, 10V | 2,5 V a 250 µA | ±20V | 5400 pF a 20 V | - | 130W (Tc) | |||||||||||||||
| RM3075S8(N) | 0,1700 | | 1414 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | RM3075 | MOSFET (óxido metálico) | 2W (Ta) | 8-POP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM3075S8(N)TR | 8541.10.0080 | 40.000 | Canal N e P | 30V | 6,8A (Ta), 4,6A (Ta) | 27mOhm @ 6,8A, 10V | 2,3 V a 10 µA | 14nC a 10V, 16nC a 10V | 383pF a 15V | - | |||||||||||||||
 | RM8810 | 0,0900 | | 4687 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOT-23-6 | RM88 | MOSFET (óxido metálico) | 1,5W (Ta) | SOT-23-6 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM8810TR | 8541.10.0080 | 30.000 | 2 canais N (duplo) | 20V | 7A (Ta) | 20mOhm @ 6A, 4,5V | 1V @ 250µA | 14nC a 4,5V | 1295pF a 10V | - | |||||||||||||||
| RM12N650IP | 0,5400 | | 5130 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | Terminais TO-251-3, IPak | MOSFET (óxido metálico) | PARA-251 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM12N650IP | 8541.10.0080 | 40.000 | Canal N | 650 V | 11,5A (Tc) | 10V | 360mOhm @ 7A, 10V | 4 V a 250 µA | ±30V | 870 pF a 50 V | - | 101W (Tc) | |||||||||||||||
| RM15N650T2 | 0,9200 | | 4091 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2516-RM15N650T2 | 8541.10.0080 | 5.000 | Canal N | 650 V | 15A (Tc) | 10V | 260mOhm @ 8A, 10V | 3,5 V a 250 µA | ±30V | 1360 pF a 50 V | - | 145W (Tc) |
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