SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caixa Número básico do produto Tecnologia Potência - Máx. Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Configuração Tipo FET Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs Vgs(th) (máx.) @ ID Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs Vgs (máx.) Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds Recurso FET Dissipação de energia (máx.) Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) Atual - Coletor (Ic) (Máx.) Atual - Corte do Coletor (Máx.) Tipo de transistor Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequência - Transição Resistor - Base (R1) Resistor - Emissor Base (R2)
RMP3N90IP Rectron USA RMP3N90IP 0,3300
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ECAD 8056 0,00000000 Rectron EUA - Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo Terminais TO-251-3, IPak MOSFET (óxido metálico) PARA-251 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RMP3N90IP 8541.10.0080 4.000 Canal N 900 V 3A (Tc) 10V 3,2Ohm a 1,5A, 10V 5 V a 250 µA ±30V 850 pF a 25 V - 50W (Tc)
CMBT2222A-T Rectron USA CMBT2222A-T 0,0240
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ECAD 198 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300 mW SOT-23 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-CMBT2222A-TTR EAR99 8541.10.0080 12.000 40 V 600 mA 10nA NPN 300mV a 15mA, 150mA 100 @ 150mA, 10V 300MHz
RM30P55LD Rectron USA RM30P55LD 0,3300
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ECAD 9543 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 MOSFET (óxido metálico) PARA-252-2 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM30P55LDTR 8541.10.0080 25.000 Canal P 55V 30A (Tc) 10V 40mOhm a 15A, 10V 4 V a 250 µA ±20V 3500 pF a 30 V - 65W (Tc)
RM60N75LD Rectron USA RM60N75LD 0,4100
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ECAD 3866 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 MOSFET (óxido metálico) PARA-252-2 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM60N75LDTR 8541.10.0080 25.000 Canal N 75V 60A (Tc) 10V 8,5mOhm a 30A, 10V 4 V a 250 µA ±20V 4400 pF a 25 V - 140W (Tc)
RM3010 Rectron USA RM3010 0,1300
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ECAD 6757 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) MOSFET (óxido metálico) 8-POP download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM3010TR 8541.10.0080 40.000 Canal N 30 V 10A (Ta) 4,5V, 10V 12mOhm @ 10A, 10V 3 V a 250 µA ±20V 1550 pF a 15 V - 2,5W (Ta)
RM2A8N60S4 Rectron USA RM2A8N60S4 0,1100
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ECAD 9497 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (óxido metálico) SOT-223-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM2A8N60S4TR 8541.10.0080 30.000 Canal N 60 V 2,8A (Ta) 4,5V, 10V 100mOhm @ 2,5A, 10V 2,5 V a 250 µA ±20V 715 pF a 15 V - 1,5W (Ta)
RM2309 Rectron USA RM2309 0,0360
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ECAD 2872 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (óxido metálico) SOT-23 - Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM2309TR 8541.10.0080 30.000 Canal P 30 V 3.1A (Ta) 4,5V, 10V 70mOhm @ 3A, 10V 3 V a 250 µA ±20V 226 pF a 15 V - 1W (Ta)
RM4435 Rectron USA RM4435 0,1400
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ECAD 5534 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) MOSFET (óxido metálico) 8-POP download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM4435TR 8541.10.0080 40.000 Canal P 30 V 9,1A (Ta), 11A (Tc) 4,5V, 10V 20mOhm @ 9,1A, 10V 3 V a 250 µA ±20V 1600 pF a 15 V - 3,1W (Ta)
RM80N20DN Rectron USA RM80N20DN 0,2600
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ECAD 3119 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerWDFN MOSFET (óxido metálico) 8-PPAK (3x3) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM80N20DNTR 8541.10.0080 25.000 Canal N 20 V 80A (Tc) 1,8 V, 4,5 V 3,5mOhm a 15A, 4,5V 1V @ 250µA ±12V 5500 pF a 10 V - 66W (Tc)
RM35N30DN Rectron USA RM35N30DN 0,2500
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ECAD 1173 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerVDFN MOSFET (óxido metálico) 8-DFN-EP (3x3) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM35N30DNTR 8541.10.0080 25.000 Canal N 30 V 35A (Tc) 4,5V, 10V 5,5mOhm a 12A, 10V 3 V a 250 µA ±20V 1265 pF a 15 V - 35W (Tc)
RM9926 Rectron USA RM9926 0,0840
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ECAD 7144 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) RM99 MOSFET (óxido metálico) 1,25W (Ta) 8-POP download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM9926TR 8541.10.0080 40.000 2 canais N (duplo) 20V 6A (Ta) 28mOhm @ 6A, 4,5V 1,2 V a 250 µA 10nC a 4,5V 640pF a 10V -
RM6005AR Rectron USA RM6005AR 0,1400
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ECAD 3382 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (óxido metálico) SOT-223-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM6005ARTR 8541.10.0080 30.000 Canal N 60 V 5A (Ta) 10V 35mOhm @ 5A, 10V 2,5 V a 250 µA ±20V 979 pF a 30 V - 2W (Ta)
RM27P30LDV Rectron USA RM27P30LDV 0,1600
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ECAD 2318 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 MOSFET (óxido metálico) PARA-252-2 - Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM27P30LDVTR 8541.10.0080 25.000 Canal P 30 V 27A (Tc) 4,5V, 10V 30mOhm @ 12A, 10V 2,5 V a 250 µA ±20V 930 pF a 15 V - 40W (Tc)
RM140N150T2 Rectron USA RM140N150T2 1.5100
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ECAD 2150 0,00000000 Rectron EUA - Tubo Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 MOSFET (óxido metálico) PARA-220-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM140N150T2 8541.10.0080 5.000 Canal N 150 V 140A (Tc) 10V 6,2mOhm a 70A, 10V 4 V a 250 µA ±20V 5900 pF a 75 V - 320W (Tc)
RM3N700S4 Rectron USA RM3N700S4 0,2900
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ECAD 2302 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície PARA-261-3 MOSFET (óxido metálico) SOT-223-2 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM3N700S4TR 8541.10.0080 30.000 Canal N 700 V 3A (Tc) 10V 1,5 Ohm @ 1,5 A, 10 V 4 V a 250 µA ±20V 225 pF a 100 V - 6,2W (Tc)
DTC123JKA Rectron USA DTC123JKA 0,0410
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ECAD 8984 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC123 200 mW SOT-23 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-DTC123JKATR EAR99 8541.10.0080 30.000 50 V 100 mA 500nA NPN - Pré-tendencioso 300mV @ 250µA, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 2,2 kOhms 46,2 kOhms
RM130N200T2 Rectron USA RM130N200T2 3.8400
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ECAD 4306 0,00000000 Rectron EUA - Tubo Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 MOSFET (óxido metálico) PARA-220-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM130N200T2 8541.10.0080 5.000 Canal N 200 V 132A (Tc) 10V 11mOhm a 20A, 10V 4 V a 250 µA ±20V 4970 pF a 100 V - 429W (Tc)
RM4N700S4 Rectron USA RM4N700S4 0,3200
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ECAD 2116 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície PARA-261-3 MOSFET (óxido metálico) SOT-223-2 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM4N700S4TR 8541.10.0080 30.000 Canal N 700 V 4A (Tc) 10V 1,3Ohm a 2A, 10V 4 V a 250 µA ±30V 304 pF a 50 V - 5,2W (Tc)
RM75N60LD Rectron USA RM75N60LD 0,2900
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ECAD 6542 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 MOSFET (óxido metálico) PARA-252-2 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM75N60LDTR 8541.10.0080 25.000 Canal N 60 V 75A (Tc) 10V 11,5mOhm a 30A, 10V 4 V a 250 µA ±20V 2350 pF a 25 V - 110W (Tc)
RM4P30S6 Rectron USA RM4P30S6 0,0520
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ECAD 2091 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície SOT-23-6 MOSFET (óxido metálico) SOT-23-6 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM4P30S6TR 8541.10.0080 30.000 Canal P 30 V 4,2A (Ta) 2,5V, 10V 55mOhm @ 4,2A, 10V 1,3 V a 250 µA ±12V 880 pF a 15 V - 1,2W (Ta)
RM13P40S8 Rectron USA RM13P40S8 0,2700
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ECAD 7991 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) MOSFET (óxido metálico) 8-POP download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM13P40S8TR 8541.10.0080 40.000 Canal P 40 V 13A (Ta) 10V 15mOhm @ 12A, 10V 2,5 V a 250 µA ±20V 2.800 pF a 20 V - 2,5W (Ta)
RM2N650LD Rectron USA RM2N650LD 0,3000
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ECAD 3845 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 MOSFET (óxido metálico) PARA-252-2 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM2N650LDTR 8541.10.0080 25.000 Canal N 650 V 2A (Tc) 10V 2,5Ohm @ 1A, 10V 3,5 V a 250 µA ±30V 190 pF a 50 V - 23W (Tc)
RM130N200HD Rectron USA RM130N200HD 3.8400
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ECAD 4700 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB MOSFET (óxido metálico) PARA-263-2 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM130N200HDTR 8541.10.0080 8.000 Canal N 200 V 132A (Tc) 10V 10,7mOhm a 20A, 10V 4 V a 250 µA ±20V 4970 pF a 100 V - 429W (Tc)
2N7002DS6 Rectron USA 2N7002DS6 0,0480
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ECAD 9024 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo - Montagem em superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 2N7002 MOSFET (óxido metálico) 350 mW (Ta) SOT-363-6L download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-2N7002DS6TR 8541.10.0080 30.000 2 canais N (duplo) 60V 250mA (Ta) 5 Ohm @ 500 mA, 10 V 1,9 V a 250 µA - - -
RM6602 Rectron USA RM6602 0,1300
Solicitação de cotação
ECAD 9658 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície SOT-23-6 Fino, TSOT-23-6 RM660 MOSFET (óxido metálico) 1,2W (Ta) TSOT-23-6L download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM6602TR 8541.10.0080 30.000 Canal N e P 30V 3,5A (Ta), 2,7A (Ta) 58mOhm a 3,5A, 10V, 100mOhm a 2,7A, 10V 2,2 V a 250 µA, 2,5 V a 250 µA 5nC @ 10V 210pF a 15V, 199pF a 15V -
RM6N800IP Rectron USA RM6N800IP 0,7000
Solicitação de cotação
ECAD 8536 0,00000000 Rectron EUA - Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo Terminais TO-251-3, IPak MOSFET (óxido metálico) PARA-251 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM6N800IP 8541.10.0080 4.000 Canal N 800V 6A (Tc) 10V 900mOhm @ 4A, 10V 4 V a 250 µA ±30V 1290 pF a 50 V - 98W (Tc)
RM4N650T2 Rectron USA RM4N650T2 0,4500
Solicitação de cotação
ECAD 6988 0,00000000 Rectron EUA - Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 MOSFET (óxido metálico) PARA-220-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM4N650T2 8541.10.0080 5.000 Canal N 650 V 4A (Tc) 10V 1,2 Ohm a 2,5 A, 10 V 3,5 V a 250 µA ±30V 280 pF a 50 V - 46W (Tc)
RM15P55LD Rectron USA RM15P55LD 0,2800
Solicitação de cotação
ECAD 7424 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 MOSFET (óxido metálico) PARA-252-2 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM15P55LDTR 8541.10.0080 25.000 Canal P 55V 15A (Tc) 10V 75mOhm @ 5A, 10V 3,5 V a 250 µA ±20V 1450 pF a 20 V - 35W (Tc)
RM80N60LD Rectron USA RM80N60LD 0,3100
Solicitação de cotação
ECAD 7058 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 MOSFET (óxido metálico) PARA-252-2 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM80N60LDTR 8541.10.0080 25.000 Canal N 60 V 80A (Tc) 10V 8,5mOhm a 20A, 10V 4 V a 250 µA ±20V 4000 pF a 30 V - 110W (Tc)
RM5A1P30S6 Rectron USA RM5A1P30S6 0,0760
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ECAD 4647 0,00000000 Rectron EUA - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície SOT-23-6 MOSFET (óxido metálico) SOT-23-6 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2516-RM5A1P30S6TR 8541.10.0080 30.000 Canal P 30 V 5.1A (Ta) 4,5V, 10V 32mOhm @ 4A, 10V 2,2 V a 250 µA ±20V 1280 pF a 15 V - 1,56W (Ta)
  • Daily average RFQ Volume

    Mais de 2.000

    Volume médio diário de RFQ

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    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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