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Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caso	Número básico do produto	Tecnologia	Potência - Máx.	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Configuração	Tipo FET	Ganho	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)	Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)	Atual - Coletor (Ic) (Máx.)	Atual - Corte do Coletor (Máx.)	Tipo de transistor	Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic	Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequência - Transição	Figura de ruído (dB Typ @ f)
IAUA250N04S6N008AUMA1	3.3100	Solicitação de cotação	1	Tecnologias Infineon	Automotivo, AEC-Q101, OptiMOS™ 6	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	5-PowerSFN	IAUA250	MOSFET (óxido metálico)		PG-HSOF-5-1	download	Compatível com ROHS3	3 (168 horas)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	2.000		Canal N		40 V	51A (Ta)	7V, 10V	0,8mOhm a 100A, 10V	3V @ 90µA	109 nC @ 10 V	±20V	7088 pF a 25 V	-	172W (Tc)
BCW65C	1.0000	Solicitação de cotação	3062	Tecnologias Infineon	-	Volume	Ativo								download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.21.0075	3.000
BC817K-25WH6327	0,0500	Solicitação de cotação	23	Tecnologias Infineon	Automotivo, AEC-Q101	Volume	Ativo	150°C (TJ)	Montagem em superfície	SC-70, SOT-323	BC817		500 mW	PG-SOT323-3-1	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido		EAR99	8541.21.0075	6.217														45V	500 mA	100nA (ICBO)		700mV a 50mA, 500mA	160 @ 100mA, 1V	170MHz
IPD122N10N3GATMA1	1.6300	Solicitação de cotação	22	Tecnologias Infineon	OptiMOS™	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	IPD122	MOSFET (óxido metálico)		PG-TO252-3	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal N		100V	59A (Tc)	6V, 10V	12,2mOhm a 46A, 10V	3,5 V a 46 µA	35 nC @ 10 V	±20V	2500 pF a 50 V	-	94W (Tc)
AUIRFN8403TR	-	Solicitação de cotação	7640	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	8-PowerTDFN	IRFN8403	MOSFET (óxido metálico)		8-PQFN (5x6)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	4.000		Canal N		40 V	95A (Tc)	10V	3,3mOhm a 50A, 10V	3,9 V a 100 µA	98 nC @ 10 V	±20V	3174 pF a 25 V	-	4,3 W (Ta), 94 W (Tc)
IMT65R022M1HXTMA1	-	Solicitação de cotação	3711	Tecnologias Infineon	*	Fita e Carretel (TR)	Descontinuado na SIC				IMT65R				-	Compatível com ROHS3		REACH não afetado				2.000
ISC007N04NM6ATMA1	3.3300	Solicitação de cotação	3685	Tecnologias Infineon	OptiMOS™ 6	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	8-PowerTDFN	ISC007N	MOSFET (óxido metálico)		PG-TDSON-8 FL	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	5.000		Canal N		40 V	48A (Ta), 381A (Tc)	6V, 10V	0,7mOhm a 50A, 10V	2,8 V a 1,05 mA	117 nC @ 10 V	±20V	8.400 pF a 20 V	-	3W (Ta), 188W (Tc)
IPF042N10NF2SATMA1	2.5100	Solicitação de cotação	792	Tecnologias Infineon	ForteIRFET™ 2	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-7, D²Pak (6 derivações + guia)		MOSFET (óxido metálico)		PG-TO263-7	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	800		Canal N		100V	21A (Ta), 139A (Tc)	6V, 10V	4,25mOhm a 80A, 10V	3,8 V a 93 µA	85 nC @ 10 V	±20V	4000 pF a 50 V	-	3,8 W (Ta), 167 W (Tc)
BSS119NH7978XTSA1	0,1200	Solicitação de cotação	15	Tecnologias Infineon	OptiMOS™	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (óxido metálico)		PG-SOT23-3-5	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canal N		100V	190mA (Ta)	4,5V, 10V	6Ohm a 190mA, 10V	2,3V a 13µA	0,6 nC a 10 V	±20V	20,9 pF a 25 V	-	500mW (Ta)
IRFR7546TRPBF	1.0400	Solicitação de cotação	9	Tecnologias Infineon	ForteIRFET™	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	IRFR7546	MOSFET (óxido metálico)		DPAK	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	2.000		Canal N		60 V	56A (Tc)	6V, 10V	7,9mOhm a 43A, 10V	3,7 V a 100 µA	87 nC @ 10 V	±20V	3020 pF a 25 V	-	99W (Tc)
IRF8010SPBF	-	Solicitação de cotação	5468	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Tubo	Descontinuado na SIC	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB		MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	50		Canal N		100V	80A (Tc)	10V	15mOhm a 45A, 10V	4 V a 250 µA	120 nC @ 10 V	±20V	3830 pF a 25 V	-	260W (Tc)
BSL205NL6327	-	Solicitação de cotação	3099	Tecnologias Infineon	OptiMOS™	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	SOT-23-6 Fino, TSOT-23-6	BSL205	MOSFET (óxido metálico)	500mW	PG-TSOP6-6	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canais N (duplo)			20V	2,5A		50 mOhm @ 2,5 A, 4,5 V	1,2 V a 11 µA	3,2nC a 4,5V		419pF a 10V	Portão de nível lógico
IPAN60R125PFD7SXKSA1	2.8800	Solicitação de cotação	2	Tecnologias Infineon	CoolMOS™PFD7	Tubo	Ativo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	Pacote completo TO-220-3	IPAN60	MOSFET (óxido metálico)		PG-TO220-FP	download	Compatível com ROHS3	Não aplicável	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	50		Canal N		650 V	25A (Tc)	10V	125mOhm a 7,8A, 10V	4,5 V a 390 µA	36 nC @ 10 V	±20V	1503 pF a 400 V	-	32W (Tc)
IPA040N06NXKSA1	2.6000	Solicitação de cotação	4247	Tecnologias Infineon	OptiMOS™	Tubo	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	Pacote completo TO-220-3	IPA040	MOSFET (óxido metálico)		PG-TO220-FP	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	500		Canal N		60 V	69A (Tc)	6V, 10V	4mOhm @ 69A, 10V	3,3 V a 50 µA	44 nC @ 10 V	±20V	3375 pF a 30 V	-	36W (Tc)
IPSA70R1K2P7SAKMA1	0,7900	Solicitação de cotação	6	Tecnologias Infineon	CoolMOS™ P7	Tubo	Não para novos designs	-40°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA	IPSA70	MOSFET (óxido metálico)		PG-TO251-3	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	75		Canal N		700 V	4,5A (Tc)	10V	1,2 Ohm a 900 mA, 10 V	3,5 V a 40 µA	4,8 nC a 400 V	±16V	174 pF a 400 V	-	25W (Tc)
BCX5116H6327XTSA1	-	Solicitação de cotação	7007	Tecnologias Infineon	Automotivo, AEC-Q101	Fita e Carretel (TR)	Descontinuado na SIC	150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-243AA	BCX5116		2W	PG-SOT89	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0075	1.000														45V	1A	100nA (ICBO)	PNP	500mV @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 2V	125 MHz
IRF7726TRPBF	-	Solicitação de cotação	4867	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Fita e Carretel (TR)	Descontinuado na SIC	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", 3,00 mm de largura)	IRF7726	MOSFET (óxido metálico)		Micro8™	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	4.000		Canal P		30 V	7A (Ta)	4,5V, 10V	26mOhm @ 7A, 10V	2,5 V a 250 µA	69 nC @ 10 V	±20V	2204 pF a 25 V	-	1,79W (Ta)
IPA80R310CEXKSA1	-	Solicitação de cotação	3884	Tecnologias Infineon	CoolMOS™CE	Tubo	Descontinuado na SIC	-40°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	Pacote completo TO-220-3	IPA80R	MOSFET (óxido metálico)		PG-TO220-FP	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	50		Canal N		800V	6,8A (Tc)		310mOhm @ 11A, 10V	3,9V a 1mA	91 nC @ 10 V		2320 pF a 100 V	-	35W (Tc)
IPW50R350CPFKSA1	-	Solicitação de cotação	1989	Tecnologias Infineon	CoolMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3	IPW50R	MOSFET (óxido metálico)		PG-TO247-3-1	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	240		Canal N		550 V	10A (Tc)	10V	350mOhm @ 5,6A, 10V	3,5 V a 370 µA	25 nC @ 10 V	±20V	1020 pF a 100 V	-	89W (Tc)
IPI60R385CP	1.0300	Solicitação de cotação	78	Tecnologias Infineon	CoolMOS™	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA		MOSFET (óxido metálico)		PG-TO262-3-1	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		600V	9A (Tc)	10V	385mOhm @ 5,2A, 10V	3,5 V a 340 µA	22 nC @ 10 V	±20V	790 pF a 100 V	-	83W (Tc)
IRF3711ZCS	-	Solicitação de cotação	6394	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB		MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado	*IRF3711ZCS	EAR99	8541.29.0095	50		Canal N		20 V	92A (Tc)	4,5V, 10V	6mOhm @ 15A, 10V	2,45 V a 250 µA	24 nC @ 4,5 V	±20V	2150 pF a 10 V	-	79W (Tc)
IRF7488TRPBF	-	Solicitação de cotação	8813	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)		MOSFET (óxido metálico)		8-SO	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	4.000		Canal N		80 V	6,3A (Ta)	10V	29mOhm @ 3,8A, 10V	4 V a 250 µA	57 nC @ 10 V	±20V	1680 pF a 25 V	-	2,5W (Ta)
IPD60R180P7ATMA1	2.7400	Solicitação de cotação	12	Tecnologias Infineon	CoolMOS™ P7	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	IPD60R	MOSFET (óxido metálico)		PG-TO252-3	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal N		600V	18A (Tc)	10V	180mOhm @ 5,6A, 10V	4 V a 280 µA	25 nC @ 10 V	±20V	1081 pF a 400 V	-	72W (Tc)
IRFS3004TRL7PP	4.9900	Solicitação de cotação	5	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-7, D²Pak (6 derivações + guia), TO-263CB	IRFS3004	MOSFET (óxido metálico)		D2PAK (7 derivações)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	800		Canal N		40 V	240A (Tc)	10V	1,25mOhm a 195A, 10V	4 V a 250 µA	240 nC @ 10 V	±20V	9130 pF a 25 V	-	380W (Tc)
BFP183WE6327	1.0000	Solicitação de cotação	5743	Tecnologias Infineon	-	Volume	Ativo	150°C (TJ)	Montagem em superfície	SC-82A, SOT-343			450mW	PG-SOT343-4	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.21.0075	1			22dB											12V	65mA		NPN		70 @ 15mA, 8V	8GHz	0,9dB ~ 1,4dB a 900 MHz ~ 1,8 GHz
IPA65R190CFDXKSA1	-	Solicitação de cotação	3510	Tecnologias Infineon	CoolMOS™	Tubo	Descontinuado na SIC	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	Pacote completo TO-220-3	IPA65R	MOSFET (óxido metálico)		PG-TO220-3-111	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	50		Canal N		650 V	17,5A (Tc)	10V	190mOhm @ 7,3A, 10V	4,5 V a 730 µA	68 nC @ 10 V	±20V	1850 pF a 100 V	-	34W (Tc)
IRFS4620PBF	-	Solicitação de cotação	4240	Tecnologias Infineon	HEXFET®	Tubo	Descontinuado na SIC	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB		MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1.000		Canal N		200 V	24A (Tc)	10V	77,5mOhm a 15A, 10V	5 V a 100 µA	38 nC @ 10 V	±20V	1710 pF a 50 V	-	144W (Tc)
IPC50R045CPX1SA1	-	Solicitação de cotação	6579	Tecnologias Infineon	-	Volume	Ativo				IPC50				-	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	SP000236099		0000.00.0000	1					-
SPB20N60S5ATMA1	-	Solicitação de cotação	6488	Tecnologias Infineon	CoolMOS™	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB	SPB20N	MOSFET (óxido metálico)		PG-TO263-3-2	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1.000		Canal N		600V	20A (Tc)	10V	190mOhm @ 13A, 10V	5,5V a 1mA	103 nC @ 10 V	±20V	3000 pF a 25 V	-	208W (Tc)
IPB320N20N3GATMA1	3.6100	Solicitação de cotação	13	Tecnologias Infineon	OptiMOS™	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB	IPB320	MOSFET (óxido metálico)		PG-TO263-3	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1.000		Canal N		200 V	34A (Tc)	10V	32mOhm @ 34A, 10V	4V @ 90µA	29 nC @ 10 V	±20V	2350 pF a 100 V	-	136W (Tc)

2.000+
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
Unidade de produto padrão
2.800+
Fabricantes mundiais
15.000 m²
Armazém em estoque

Transistores(13833)

2.000+

30.000.000

2.800+

15.000 m2

15.000 m²