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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Atual - Corte do Coletor (Máx.) | Tipo de transistor | Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic | Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequência - Transição |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMBT4403 | 0,1200 |  | 126 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 mW | SOT-23-3L | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 40 V | 600 mA | 100nA | PNP | 750mV a 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 2V | 200MHz | |||||||||||||||
 | AS2302 | 0,1900 | | 34 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal N | 20 V | 3A (Ta) | 2,5 V, 4,5 V | 55mOhm @ 3A, 4,5V | 1,25 V a 250 µA | 3,81 nC a 4,5 V | ±10V | 220 pF a 10 V | - | 700mW (Ta) | |||||||||||
 | MMBT2222A | 0,1600 | | 37 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT2222 | 350 mW | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 40 V | 600 mA | 10nA | NPN | 1V a 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz | ||||||||||||||
 | MMBT5401 | 0,1200 | | 27 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 mW | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 150 V | 600 mA | 50nA (ICBO) | PNP | 500mV @ 5mA, 50mA | 60 @ 10mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||
 | AS3401 | 0,2900 | | 61 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 4,4A (Ta) | 2,5V, 10V | 55mOhm @ 4,4A, 10V | 1,4 V a 250 µA | 7,2 nC a 10 V | ±12V | 680 pF a 15 V | - | 1,2W (Ta) | |||||||||||
 | BC847B | 0,1000 | | 127 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 200 mW | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45V | 100 mA | 100nA | NPN | 500mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
 | BCP56-16 | 0,4300 | | 15 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-261-4, TO-261AA | 1,6W | SOT-223 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 80 V | 1A | 100nA (ICBO) | NPN | 500mV @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 2V | - | |||||||||||||||
 | AS2M040120P | 21.5100 | | 7607 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | SiCFET (carboneto de silício) | PARA-247-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 1200 V | 60A (Tc) | 20V | 55mOhm a 40A, 20V | 4V @ 10mA | 142 nC @ 20 V | +25V, -10V | 2,946 pF a 1,000 V | - | 330W (Tc) | |||||||||||
 | BSS123 | 0,1400 | | 73 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal N | 100V | 200mA (Ta) | 4,5V, 10V | 5 Ohm @ 200 mA, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 1,8 nC a 10 V | ±20V | 14 pF a 50 V | - | 350 mW (Ta) | |||||||||||
 | AS1M025120P | 39.5400 | | 128 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | SiCFET (carboneto de silício) | PARA-247-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 4530-AS1M025120P | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 1200 V | 90A (Tc) | 20V | 34mOhm a 50A, 20V | 4 V a 15 mA | 195 nC @ 20 V | +25V, -10V | 3600 pF a 1000 V | - | 463W (TC) | ||||||||||
 | AS1M040120T | 21.5300 | | 27 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-4 | SiCFET (carboneto de silício) | PARA-247-4 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 4530-AS1M040120T | EAR99 | 8541.21.0095 | 30 | Canal N | 1200 V | 60A (Tc) | 20V | 55mOhm a 40A, 20V | 4V @ 10mA | 142 nC @ 20 V | +25V, -10V | 2,946 pF a 1,000 V | - | 330W (Tc) | ||||||||||
 | AS3400 | 0,2900 | | 8 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 4530-AS3400DKR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 30 V | 5,6A (Ta) | 2,5V, 10V | 27mOhm @ 5,6A, 10V | 1,5 V a 250 µA | 4,8 nC a 4,5 V | ±12V | 535 pF a 15 V | - | 1,2W (Ta) | ||||||||||
 | MMBT2907A | 0,1200 | | 40 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 mW | SOT-23-3L | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 60 V | 800 mA | 20nA | PNP | 1,6 V a 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | 200MHz | |||||||||||||||
 | AS2312 | 0,2800 | | 33 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal N | 20 V | 6,8A (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 18mOhm @ 6,8A, 4,5V | 1V @ 250µA | 11,05 nC a 4,5 V | ±10V | 888 pF a 10 V | - | 1,2W (Ta) | |||||||||||
 | MMBT5551 | 0,1200 | | 36 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 mW | SOT-23-3L | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 4530-MMBT5551TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 160 V | 600 mA | 50nA (ICBO) | NPN | 200mV @ 5mA, 50mA | 80 @ 10mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||
 | AS2324 | 0,2900 | | 36 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 100V | 2A (Ta) | 4,5V, 10V | 280mOhm @ 2A, 10V | 3 V a 250 µA | 5,3 nC a 10 V | ±20V | 330 pF a 50 V | - | 1,2W (Ta) | |||||||||||
 | 2N7002E | 0,1400 | | 44 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 4530-2N7002ETR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal N | 60 V | 340mA (Ta) | 4,5V, 10V | 5 Ohm a 300 mA, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 2,4 nC a 10 V | ±20V | 18 pF a 30 V | - | 350 mW (Ta) | |||||||||
 | BSS138 | 0,1700 | | 95 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal N | 50 V | 220mA (Ta) | 4,5V, 10V | 3 Ohm @ 500 mA, 10 V | 1,6 V a 250 µA | ±20V | 27 pF a 25 V | - | 350 mW (Ta) | ||||||||||||
 | MMBT3904 | 0,1000 | | 194 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT390 | 300 mW | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 200 mA | 50nA | NPN | 300mV @ 5mA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 250MHz | ||||||||||||||
 | AS1M025120T | 39.5600 | | 30 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-4 | SiCFET (carboneto de silício) | PARA-247-4 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 4530-AS1M025120T | EAR99 | 8541.21.0095 | 30 | Canal N | 1200 V | 65A (Tc) | 20V | 34mOhm a 50A, 20V | 4 V a 15 mA | 195 nC @ 20 V | +25V, -10V | 4.200 pF a 1.000 V | - | 370W (Tc) | ||||||||||
 | AS1M080120P | 11.9700 | | 128 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | SiCFET (carboneto de silício) | PARA-247-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 4530-AS1M080120P | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 1200 V | 36A (Tc) | 20V | 98mOhm a 20A, 20V | 4V @ 5mA | 79 nC @ 20 V | +25V, -10V | 1475 pF a 1000 V | - | 192W (Tc) | ||||||||||
 | BSS84 | 0,1900 | | 153 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 50 V | 130mA (Ta) | 4,5V, 10V | 8Ohm @ 150mA, 10V | 2,5 V a 250 µA | ±20V | 30 pF a 30 V | - | 225mW (Ta) | ||||||||||||
 | AS6004 | 0,5000 | | 15 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23-3L | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 3.000 | Canal P | 60 V | 4A (Ta) | 4,5V, 10V | 120mOhm @ 4A, 10V | 3 V a 250 µA | 25 nC @ 10 V | ±20V | 930 pF a 30 V | - | 1,5W (Ta) | |||||||||||||
 | MMBT4401 | 0,1200 | | 162 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 mW | SOT-23-3L | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 40 V | 600 mA | 100nA | NPN | 750mV a 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 1V | 250MHz |
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