SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX)
2002A Goford Semiconductor 2002a 0.1098
RFQ
ECAD 8180 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-6L - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 3141-2002ATR Ear99 8541.29.0000 3.000 N-canal 190 v 5a (TC) 4.5V, 10V 540mohm @ 1a, 10v 3V A 250µA 16 nc @ 10 V ± 20V 733 pf @ 100 V - 1.4W (TC)
G06N06S2 Goford Semiconductor G06N06S2 0,2669
RFQ
ECAD 4744 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2.1W (TC) 8-SOP - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 3141-G06N06S2TR Ear99 8541.29.0000 4.000 2 n-canal 60V 6a (TC) 25mohm @ 6a, 10V 2.4V a 250µA 46NC @ 10V 1600pf @ 30V Padrão
GT013N04D5 Goford Semiconductor GT013N04D5 0,5251
RFQ
ECAD 4507 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-DFN (4.9x5.75) - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 3141-GT013N04D5TR Ear99 8541.29.0000 5.000 N-canal 40 v 195a (TC) 10V 1.7mohm @ 30a, 10V 4V A 250µA 50 nc @ 10 V ± 20V 3927 PF @ 20 V - 78W (TC)
GT011N03D5 Goford Semiconductor GT011N03D5 0,6416
RFQ
ECAD 8659 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-DFN (4.9x5.75) - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 3141-GT011N03D5TR Ear99 8541.29.0000 5.000 N-canal 30 v 170A (TC) 4.5V, 10V 1.2mohm @ 30a, 10V 2V A 250µA 98 nc @ 10 V ± 16V 4693 pf @ 15 V - 88W (TC)
6703 Goford Semiconductor 6703 0,0777
RFQ
ECAD 7826 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.1W (TA) SOT-23-6L - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 3141-6703tr Ear99 8541.29.0000 3.000 - 20V 2.9a (ta), 3a (ta) 59mohm @ 2.5a, 2.5V, 110mohm @ 3a, 4.5V 1,2V a 250µA, 1V a 250µA - 300pf @ 10V, 405pf @ 10V Padrão
GT080N08D5 Goford Semiconductor GT080N08D5 0,3673
RFQ
ECAD 3711 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-DFN (4.9x5.75) - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 3141-GT080N08D5TR Ear99 8541.29.0000 5.000 N-canal 85 v 65a (TC) 10V 8mohm @ 20a, 10V 4V A 250µA 39 NC @ 10 V ± 20V 1885 PF @ 50 V - 69W (TC)
GT030N08T Goford Semiconductor GT030N08T 2.3624
RFQ
ECAD 1020 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 3141-GT030N08T Ear99 8541.29.0000 50 N-canal 85 v 200a (TC) 10V 3mohm @ 20a, 10V 4V A 250µA 112 NC @ 10 V ± 20V 5822 pf @ 50 V - 260W (TC)
G75P04TI Goford Semiconductor G75P04TI 0,9408
RFQ
ECAD 5603 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 3141-G75P04TI Ear99 8541.29.0000 50 Canal P. 40 v 70A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 20a, 10V 2,5V a 250µA 106 nc @ 10 V ± 20V 6407 PF @ 20 V - 277W (TC)
G230P06K Goford Semiconductor G230P06K 0,8900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252 download Rohs Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0000 2.500 Canal P. 60 v 60a (TC) 10V 20mohm @ 10a, 10V 4V A 250µA 62 NC @ 10 V ± 20V 4581 pf @ 30 V - 115W (TC)
GT180P08M Goford Semiconductor GT180P08M 1.5800
RFQ
ECAD 800 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo download Rohs Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0000 800
G700P06H Goford Semiconductor G700P06H 0,5000
RFQ
ECAD 4 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223 download Rohs Compatível 3 (168 Horas) Ear99 8541.29.0000 2.500 Canal P. 60 v 5a (TC) 4.5V, 10V 75mohm @ 6a, 10V 2,5V a 250µA 15,8 nc @ 10 V ± 20V 1459 pf @ 30 V - 3.1W (TC)
GT035N10M Goford Semiconductor GT035N10M 2.8500
RFQ
ECAD 739 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-263 download Rohs Compatível 3 (168 Horas) Ear99 8541.29.0000 800 N-canal 100 v 190a (TC) 10V 3.5mohm @ 20a, 10V 4V A 250µA 68 nc @ 10 V ± 20V 6188 PF @ 50 V - 277W (TC)
GT080N10K Goford Semiconductor GT080N10K 1.5700
RFQ
ECAD 2 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252 download Rohs Compatível 3 (168 Horas) Ear99 8541.29.0000 2.500 N-canal 100 v 75a (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 50a, 10V 3V A 250µA 70 nc @ 10 V ± 20V 2056 PF @ 50 V - 100w (TC)
G130N06M Goford Semiconductor G130N06M 0,3210
RFQ
ECAD 4 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-263 download Rohs Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0000 800 N-canal 60 v 90A (TC) 4.5V, 10V 12mohm @ 20a, 10V 2.4V a 250µA 36,6 nc @ 10 V ± 20V 2867 pf @ 30 V - 85W (TC)
2301 Goford Semiconductor 2301 0,0270
RFQ
ECAD 120 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 20 v 3a (ta) 2.5V, 4.5V 56mohm @ 1.7a, 4.5V 900MV A 250µA 12 nc @ 2,5 V ± 10V 405 pf @ 10 V - 1W (TA)
G12P03D3 Goford Semiconductor G12P03D3 0,0920
RFQ
ECAD 100 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-DFN (3.15x3.05) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 Canal P. 30 v 12a (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 6a, 10V 2V A 250µA 24,5 nc @ 10 V ± 20V 1253 pf @ 15 V - 3W (TC)
G75P04T Goford Semiconductor G75P04T -
RFQ
ECAD 4272 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download Rohs Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0000 50 Canal P. 40 v 70A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 20a, 10V 2,5V a 250µA 106 nc @ 10 V ± 20V 6985 PF @ 20 V - 277W (TC)
G18P03S Goford Semiconductor G18P03S 0.1930
RFQ
ECAD 4 0,00000000 GoFord Semiconductor G Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOP download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 4.000 Canal P. 30 v 15a (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 10a, 10V 2,5V a 250µA 58 nc @ 10 V ± 20V 3570 pf @ 15 V - 3.1W (TC)
G1K8P06S2 Goford Semiconductor G1K8P06S2 0,0970
RFQ
ECAD 4 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2W (TC) 8-SOP download Rohs Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0000 4.000 2 Canal P. 60V 3.2a (TC) 170mohm @ 1a, 10v 2,5V a 250µA 11.3NC @ 10V 594pf @ 30V Padrão
G23N06K Goford Semiconductor G23N06K 0,1370
RFQ
ECAD 50 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252 (DPAK) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 23a 35mohm @ 20a, 10V 2,5V a 250µA 25 nc @ 10 V ± 20V 590 pf @ 15 V 38W
GT10N10 Goford Semiconductor GT10N10 0,1240
RFQ
ECAD 100 0,00000000 GoFord Semiconductor Gt Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 2.500 N-canal 100 v 7a (TC) 4.5V, 10V 140mohm @ 3.5a, 10V 2,5V a 250µA 4.3 NC @ 10 V ± 20V 206 pf @ 50 V - 17W (TC)
G16N03S Goford Semiconductor G16N03S 0.1160
RFQ
ECAD 4 0,00000000 GoFord Semiconductor G Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOP download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 4.000 N-canal 30 v 16a (TC) 5V, 10V 10mohm @ 10a, 10V 2,5V a 250µA 16,6 nc @ 10 V ± 20V 950 pf @ 15 V - 2.5W (TC)
G1K1P06HH Goford Semiconductor G1K1P06HH 0,0790
RFQ
ECAD 7 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223 download Rohs Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 60 v 4.5a (TC) 10V 110mohm @ 4a, 10V 4V A 250µA 11 NC @ 10 V ± 20V 981 pf @ 30 V - 3.1W (TC)
G7K2N20LLE Goford Semiconductor G7K2N20LLE 0,0690
RFQ
ECAD 9 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-6L download Rohs Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0000 3.000 N-canal 200 v 2a (TC) 4.5V, 10V 700MOHM @ 1A, 100V 2,5V a 250µA 10,8 nc @ 10 V ± 20V 577 pf @ 100 V - 1.8W (TC)
G75P04S Goford Semiconductor G75P04S 0,3260
RFQ
ECAD 4 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOP download Rohs Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0000 4.000 Canal P. 40 v 11a (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 10a, 10V 2,5V a 250µA 106 nc @ 10 V ± 20V 6893 pf @ 20 V - 2.5W (TC)
GT650N15K Goford Semiconductor GT650N15K 0,2750
RFQ
ECAD 5 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 150 v 20a (TC) 10V 65mohm @ 10a, 10V 4.5V a 250µA 12 nc @ 10 V ± 20V 600 pf @ 75 V - 68W (TC)
GC11N65K Goford Semiconductor GC11N65K 0,6080
RFQ
ECAD 50 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 v 11a (TC) 10V 360mohm @ 5.5a, 10V 4V A 250µA 21 NC @ 10 V ± 30V 901 pf @ 50 V - 78W (TC)
GT700P08T Goford Semiconductor GT700P08T -
RFQ
ECAD 3293 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 Canal P. 80 v 25a (TC) 10V 72mohm @ 2a, 10V 3,5V a 250µA 75 NC @ 10 V ± 20V 1639 pf @ 40 V 125W (TC)
G2002A Goford Semiconductor G2002A 0,0850
RFQ
ECAD 60 0,00000000 GoFord Semiconductor G Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-6L download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 200 v 2a (TC) 4.5V, 10V 540mohm @ 1a, 10v 3V A 250µA 16 nc @ 10 V ± 20V 733 pf @ 100 V - 2.5W (TC)
G1002 Goford Semiconductor G1002 0,0350
RFQ
ECAD 21 0,00000000 GoFord Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-3 download Rohs Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado 4822-G1002TR Ear99 8541.29.0000 3.000 N-canal 100 v 2a (TC) 4.5V, 10V 250mohm @ 2a, 10V 3V A 250µA 10 nc @ 10 V ± 20V 535 pf @ 50 V - 1.3W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque