SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caso Número básico do produto Tecnologia Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Tipo FET Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs Vgs(th) (máx.) @ ID Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs Vgs (máx.) Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds Recurso FET Dissipação de energia (máx.)
TP65H150G4PS Transphorm TP65H150G4PS 6.8700
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ECAD 7335 0,00000000 Transformar - Tubo Ativo - 1 (ilimitado) 1707-TP65H150G4PS 50
TPH3208PS Transphorm TPH3208PS -
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ECAD 9166 0,00000000 Transformar - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 TPH3208 GaNFET (Cascode Nitreto de Gálio FET) PARA-220AB download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 650 V 20A (Tc) 10V 130mOhm @ 13A, 8V 2,6 V a 300 µA 14 nC @ 8 V ±18V 760 pF a 400 V - 96W (Tc)
TPH3202LS Transphorm TPH3202LS -
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ECAD 8182 0,00000000 Transformar - Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície 3-PowerDFN GaNFET (nitreto de glio) 3-PQFN (8x8) download 3 (168 horas) EAR99 8541.29.0095 60 Canal N 600 V 9A (Tc) 10V 350mOhm @ 5,5A, 8V 2,5 V a 250 µA 9,3 nC a 4,5 V ±18V 760 pF a 480 V - 65W (Tc)
TP90H180PS Transphorm TP90H180PS 11.5200
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ECAD 146 0,00000000 Transformar - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 TP90H180 GaNFET (Cascode Nitreto de Gálio FET) PARA-220AB download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 900 V 15A (Tc) 10V 205mOhm @ 10A, 10V 2,6 V a 500 µA 10 nC @ 8 V ±18V 780 pF a 600 V - 78W (Tc)
TPH3208LS Transphorm TPH3208LS -
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ECAD 6350 0,00000000 Transformar - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 3-PowerDFN GaNFET (nitreto de glio) 3-PQFN (8x8) download 3 (168 horas) EAR99 8541.29.0095 60 Canal N 650 V 20A (Tc) 10V 130mOhm @ 13A, 8V 2,6 V a 300 µA 14 nC @ 8 V ±18V 760 pF a 400 V - 96W (Tc)
TPH3206LSGB Transphorm TPH3206LSGB -
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ECAD 7726 0,00000000 Transformar - Bandeja Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 3-PowerDFN GaNFET (nitreto de glio) 3-PQFN (8x8) download 3 (168 horas) 1707-TPH3206LSGB EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 650 V 16A (Tc) 8V 180mOhm @ 10A, 8V 2,6 V a 500 µA 6,2 nC a 4,5 V ±18V 720 pF a 480 V - 81W (Tc)
TP65H150G4LSG Transphorm TP65H150G4LSG 5.0100
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ECAD 3843 0,00000000 Transformar - Fita Cortada (CT) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 2-PowerTSFN TP65H150 GaNFET (nitreto de glio) 2-PQFN (8x8) - 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 60 Canal N 650 V 13A (Tc) 10V 180mOhm a 8,5A, 10V 4,8 V a 500 µA 8 nC @ 10 V ±20V 598 pF a 400 V - 52W (Tc)
TP65H070LDG-TR Transphorm TP65H070LDG-TR 13.1200
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ECAD 1543 0,00000000 Transformar TP65H070L Tubo Descontinuado na SIC -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 3-PowerDFN TP65H070 GaNFET (Cascode Nitreto de Gálio FET) 3-PQFN (8x8) download 3 (168 horas) EAR99 8541.29.0095 60 Canal N 650 V 25A (Tc) 10V 85mOhm @ 16A, 10V 4,8 V a 700 µA 9,3 nC a 10 V ±20V 600 pF a 400 V - 96W (Tc)
TP65H300G4LSG-TR Transphorm TP65H300G4LSG-TR 4.8000
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ECAD 6 0,00000000 Transformar - Fita Cortada (CT) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 3-PowerDFN TP65H300 GaNFET (nitreto de glio) 3-PQFN (8x8) download 3 (168 horas) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal N 650 V 6,5A (Tc) 8V 312mOhm @ 5A, 8V 2,6 V a 500 µA 9,6 nC a 8 V ±18V 760 pF a 400 V - 21W (Tc)
TPH3208LD Transphorm TPH3208LD -
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ECAD 5876 0,00000000 Transformar - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 4-PowerDFN GaNFET (nitreto de glio) 4-PQFN (8x8) download 3 (168 horas) EAR99 8541.29.0095 60 Canal N 650 V 20A (Tc) 10V 130mOhm @ 13A, 8V 2,6 V a 300 µA 14 nC @ 8 V ±18V 760 pF a 400 V - 96W (Tc)
TPH3207WS Transphorm TPH3207WS -
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ECAD 6540 0,00000000 Transformar - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 GaNFET (nitreto de glio) PARA-247-3 download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 Canal N 650 V 50A (Tc) 10V 41mOhm @ 32A, 8V 2,65 V a 700 µA 42 nC @ 8 V ±18V 2.197 pF a 400 V - 178W (Tc)
TP65H070G4PS Transphorm TP65H070G4PS 8.6500
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ECAD 1 0,00000000 Transformar SuperGaN® Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 GaNFET (nitreto de glio) PARA-220AB - Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 1707-TP65H070G4PS EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 650 V 29A (Tc) 10V 85mOhm @ 18A, 10V 4,7 V a 700 µA 9 nC @ 10 V ±20V 638 pF a 400 V - 96W (Tc)
TPH3206LS Transphorm TPH3206LS -
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ECAD 3589 0,00000000 Transformar - Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície 3-PowerDFN GaNFET (nitreto de glio) PQFN (8x8) download 3 (168 horas) EAR99 8541.29.0095 60 Canal N 600 V 17A (Tc) 10V 180mOhm @ 11A, 8V 2,6 V a 500 µA 9,3 nC a 4,5 V ±18V 760 pF a 480 V - 96W (Tc)
TP65H480G4JSG-TR Transphorm TP65H480G4JSG-TR 3.9800
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ECAD 3 0,00000000 Transformar - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 3-SMD, cabo plano TP65H480 GaNFET (Cascode Nitreto de Gálio FET) 3-PQFN (5x6) download 3 (168 horas) 1707-TP65H480G4JSG-TR EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal N 650 V 3,6A (Tc) 8V 560mOhm @ 3,4A, 8V 2,8 V a 500 µA 9 nC @ 8 V ±18V 760 pF a 400 V - 13,2W (Tc)
TP65H150LSG Transphorm TP65H150LSG -
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ECAD 1989 0,00000000 Transformar - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 3-PowerDFN GaNFET (nitreto de glio) 3-PQFN (8x8) download Compatível com ROHS3 3 (168 horas) 1707-TP65H150LSG EAR99 8541.29.0095 60 Canal N 650 V 15A (Tc) 10V 180mOhm @ 10A, 10V 4,8 V a 500 µA 7,1 nC a 10 V ±20V 576 pF a 400 V - 69W (Tc)
TPH3206LDB Transphorm TPH3206LDB -
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ECAD 5638 0,00000000 Transformar - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 4-PowerDFN GaNFET (nitreto de glio) PQFN (8x8) download 3 (168 horas) EAR99 8541.29.0095 60 Canal N 650 V 16A (Tc) 10V 180mOhm @ 10A, 8V 2,6 V a 500 µA 6,2 nC a 4,5 V ±18V 720 pF a 480 V - 81W (Tc)
TPH3206PS Transphorm TPH3206PS 9.9000
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ECAD 659 0,00000000 Transformar - Tubo Não para novos designs -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 TPH3206 GaNFET (nitreto de glio) PARA-220AB download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 600 V 17A (Tc) 10V 180mOhm @ 11A, 8V 2,6 V a 500 µA 9,3 nC a 4,5 V ±18V 760 pF a 480 V - 96W (Tc)
TPH3206LDGB Transphorm TPH3206LDGB -
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ECAD 9500 0,00000000 Transformar - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 3-PowerDFN GaNFET (nitreto de glio) PQFN (8x8) download Compatível com RoHS 3 (168 horas) EAR99 8541.29.0095 60 Canal N 650 V 16A (Tc) 10V 180mOhm @ 11A, 8V 2,6 V a 500 µA 9,3 nC a 4,5 V ±18V 760 pF a 480 V - 81W (Tc)
TP65H050G4WS Transphorm TP65H050G4WS 15.0700
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ECAD 469 0,00000000 Transformar SuperGaN® Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 TP65H050 GaNFET (nitreto de glio) PARA-247-3 download Compatível com ROHS3 3 (168 horas) 1707-TP65H050G4WS EAR99 8541.29.0095 30 Canal N 650 V 34A (Tc) 10V 60mOhm a 22A, 10V 4,8 V a 700 µA 24 nC @ 10 V ±20V 1000 pF a 400 V - 119W (Tc)
TPH3202PS Transphorm TPH3202PS -
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ECAD 7536 0,00000000 Transformar - Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 GaNFET (nitreto de glio) PARA-220AB download 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 600 V 9A (Tc) 10V 350mOhm @ 5,5A, 8V 2,5 V a 250 µA 9,3 nC a 4,5 V ±18V 760 pF a 480 V - 65W (Tc)
TPH3206PD Transphorm TPH3206PD 10.7500
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ECAD 96 0,00000000 Transformar - Tubo Não para novos designs -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 TPH3206 GaNFET (nitreto de glio) PARA-220AB download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 600 V 17A (Tc) 10V 180mOhm @ 11A, 8V 2,6 V a 500 µA 9,3 nC a 4,5 V ±18V 760 pF a 480 V - 96W (Tc)
TP65H035WSQA Transphorm TP65H035WSQA 22.1500
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ECAD 367 0,00000000 Transformar Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 TP65H035 GaNFET (Cascode Nitreto de Gálio FET) PARA-247-3 download 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 60 Canal N 650 V 47,2A(Tc) 10V 41mOhm @ 32A, 10V 4,5V a 1mA 24 nC @ 10 V ±20V 1500 pF a 400 V 187W (Tc)
TP65H480G4JSG Transphorm TP65H480G4JSG 1.5354
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ECAD 7595 0,00000000 Transformar SuperGaN® Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 2-PowerTSFN GaNFET (nitreto de glio) 2-PQFN (5x6) download 1707-TP65H480G4JSG 4.000 Canal N 650 V 3,6A (Tc) 8V 560mOhm @ 3,4A, 8V 2,8 V a 500 µA 9 nC @ 8 V ±18V 760 pF a 400 V - 13,2W (Tc)
TPH3208LSG Transphorm TPH3208LSG -
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ECAD 5407 0,00000000 Transformar - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 3-PowerDFN GaNFET (nitreto de glio) 3-PQFN (8x8) download Compatível com RoHS 3 (168 horas) EAR99 8541.29.0095 60 Canal N 650 V 20A (Tc) 10V 130mOhm @ 14A, 8V 2,6 V a 300 µA 42 nC @ 8 V ±18V 760 pF a 400 V - 96W (Tc)
TPH3206LSB Transphorm TPH3206LSB -
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ECAD 7803 0,00000000 Transformar - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 3-PowerDFN GaNFET (nitreto de glio) PQFN (8x8) download 3 (168 horas) EAR99 8541.29.0095 60 Canal N 650 V 16A (Tc) 10V 180mOhm @ 10A, 8V 2,6 V a 500 µA 6,2 nC a 4,5 V ±18V 720 pF a 480 V - 81W (Tc)
TPH3208LDG Transphorm TPH3208LDG 10.8100
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ECAD 150 0,00000000 Transformar - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 3-PowerDFN GaNFET (nitreto de glio) 3-PQFN (8x8) download Compatível com RoHS 3 (168 horas) EAR99 8541.29.0095 60 Canal N 650 V 20A (Tc) 10V 130mOhm @ 13A, 8V 2,6 V a 300 µA 14 nC @ 8 V ±18V 760 pF a 400 V - 96W (Tc)
TP65H070LSG Transphorm TP65H070LSG -
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ECAD 6794 0,00000000 Transformar TP65H070L Tubo Descontinuado na SIC -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 3-PowerDFN TP65H070 GaNFET (Cascode Nitreto de Gálio FET) 3-PQFN (8x8) download 3 (168 horas) EAR99 8541.29.0095 60 Canal N 650 V 25A (Tc) 10V 85mOhm @ 16A, 10V 4,8 V a 700 µA 9,3 nC a 10 V ±20V 600 pF a 400 V - 96W (Tc)
TP90H050WS Transphorm TP90H050WS 17.9700
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ECAD 9053 0,00000000 Transformar - Tubo Ativo -55°C ~ 150°C Através do furo PARA-247-3 TP90H050 GaNFET (Cascode Nitreto de Gálio FET) PARA-247-3 download 1 (ilimitado) 1707-TP90H050WS EAR99 8541.29.0095 30 Canal N 900 V 34A (Tc) 10V 63mOhm @ 22A, 10V 4,4 V a 700 µA 17,5 nC a 10 V ±20V 980 pF a 600 V - 119W (Tc)
TPH3208PD Transphorm TPH3208PD -
Solicitação de cotação
ECAD 1499 0,00000000 Transformar - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C Através do furo PARA-220-3 GaNFET (nitreto de glio) PARA-220AB download 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 650 V 20A (Tc) 10V 130mOhm @ 13A, 8V 2,6 V a 300 µA 14 nC @ 8 V ±18V 760 pF a 400 V - 96W (Tc)
TP65H015G5WS Transphorm TP65H015G5WS 33.5400
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ECAD 274 0,00000000 Transformar SuperGaN™ Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 GaNFET (nitreto de glio) PARA-247-3 download 1 (ilimitado) 1707-TP65H015G5WS EAR99 8541.29.0095 30 Canal N 650 V 93A (Tc) 10V 18mOhm a 60A, 10V 4,8V a 2mA 100 nC @ 10 V ±20V 5218 pF a 400 V - 266W (Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    Mais de 2.000

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

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