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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TP65H150G4PS | 6.8700 | ![]() | 7335 | 0,00000000 | Transformar | - | Tubo | Ativo | - | 1 (ilimitado) | 1707-TP65H150G4PS | 50 | |||||||||||||||||||||
![]() | TPH3208PS | - | ![]() | 9166 | 0,00000000 | Transformar | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | TPH3208 | GaNFET (Cascode Nitreto de Gálio FET) | PARA-220AB | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 650 V | 20A (Tc) | 10V | 130mOhm @ 13A, 8V | 2,6 V a 300 µA | 14 nC @ 8 V | ±18V | 760 pF a 400 V | - | 96W (Tc) | ||
![]() | TPH3202LS | - | ![]() | 8182 | 0,00000000 | Transformar | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-PowerDFN | GaNFET (nitreto de glio) | 3-PQFN (8x8) | download | 3 (168 horas) | EAR99 | 8541.29.0095 | 60 | Canal N | 600 V | 9A (Tc) | 10V | 350mOhm @ 5,5A, 8V | 2,5 V a 250 µA | 9,3 nC a 4,5 V | ±18V | 760 pF a 480 V | - | 65W (Tc) | ||||
![]() | TP90H180PS | 11.5200 | ![]() | 146 | 0,00000000 | Transformar | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | TP90H180 | GaNFET (Cascode Nitreto de Gálio FET) | PARA-220AB | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 900 V | 15A (Tc) | 10V | 205mOhm @ 10A, 10V | 2,6 V a 500 µA | 10 nC @ 8 V | ±18V | 780 pF a 600 V | - | 78W (Tc) | ||
![]() | TPH3208LS | - | ![]() | 6350 | 0,00000000 | Transformar | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-PowerDFN | GaNFET (nitreto de glio) | 3-PQFN (8x8) | download | 3 (168 horas) | EAR99 | 8541.29.0095 | 60 | Canal N | 650 V | 20A (Tc) | 10V | 130mOhm @ 13A, 8V | 2,6 V a 300 µA | 14 nC @ 8 V | ±18V | 760 pF a 400 V | - | 96W (Tc) | ||||
![]() | TPH3206LSGB | - | ![]() | 7726 | 0,00000000 | Transformar | - | Bandeja | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-PowerDFN | GaNFET (nitreto de glio) | 3-PQFN (8x8) | download | 3 (168 horas) | 1707-TPH3206LSGB | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 650 V | 16A (Tc) | 8V | 180mOhm @ 10A, 8V | 2,6 V a 500 µA | 6,2 nC a 4,5 V | ±18V | 720 pF a 480 V | - | 81W (Tc) | |||
![]() | TP65H150G4LSG | 5.0100 | ![]() | 3843 | 0,00000000 | Transformar | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 2-PowerTSFN | TP65H150 | GaNFET (nitreto de glio) | 2-PQFN (8x8) | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 60 | Canal N | 650 V | 13A (Tc) | 10V | 180mOhm a 8,5A, 10V | 4,8 V a 500 µA | 8 nC @ 10 V | ±20V | 598 pF a 400 V | - | 52W (Tc) | |||
![]() | TP65H070LDG-TR | 13.1200 | ![]() | 1543 | 0,00000000 | Transformar | TP65H070L | Tubo | Descontinuado na SIC | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-PowerDFN | TP65H070 | GaNFET (Cascode Nitreto de Gálio FET) | 3-PQFN (8x8) | download | 3 (168 horas) | EAR99 | 8541.29.0095 | 60 | Canal N | 650 V | 25A (Tc) | 10V | 85mOhm @ 16A, 10V | 4,8 V a 700 µA | 9,3 nC a 10 V | ±20V | 600 pF a 400 V | - | 96W (Tc) | |||
![]() | TP65H300G4LSG-TR | 4.8000 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Transformar | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-PowerDFN | TP65H300 | GaNFET (nitreto de glio) | 3-PQFN (8x8) | download | 3 (168 horas) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 650 V | 6,5A (Tc) | 8V | 312mOhm @ 5A, 8V | 2,6 V a 500 µA | 9,6 nC a 8 V | ±18V | 760 pF a 400 V | - | 21W (Tc) | |||
![]() | TPH3208LD | - | ![]() | 5876 | 0,00000000 | Transformar | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-PowerDFN | GaNFET (nitreto de glio) | 4-PQFN (8x8) | download | 3 (168 horas) | EAR99 | 8541.29.0095 | 60 | Canal N | 650 V | 20A (Tc) | 10V | 130mOhm @ 13A, 8V | 2,6 V a 300 µA | 14 nC @ 8 V | ±18V | 760 pF a 400 V | - | 96W (Tc) | ||||
![]() | TPH3207WS | - | ![]() | 6540 | 0,00000000 | Transformar | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | GaNFET (nitreto de glio) | PARA-247-3 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 650 V | 50A (Tc) | 10V | 41mOhm @ 32A, 8V | 2,65 V a 700 µA | 42 nC @ 8 V | ±18V | 2.197 pF a 400 V | - | 178W (Tc) | |||
![]() | TP65H070G4PS | 8.6500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Transformar | SuperGaN® | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | GaNFET (nitreto de glio) | PARA-220AB | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 1707-TP65H070G4PS | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 650 V | 29A (Tc) | 10V | 85mOhm @ 18A, 10V | 4,7 V a 700 µA | 9 nC @ 10 V | ±20V | 638 pF a 400 V | - | 96W (Tc) | ||
![]() | TPH3206LS | - | ![]() | 3589 | 0,00000000 | Transformar | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-PowerDFN | GaNFET (nitreto de glio) | PQFN (8x8) | download | 3 (168 horas) | EAR99 | 8541.29.0095 | 60 | Canal N | 600 V | 17A (Tc) | 10V | 180mOhm @ 11A, 8V | 2,6 V a 500 µA | 9,3 nC a 4,5 V | ±18V | 760 pF a 480 V | - | 96W (Tc) | ||||
![]() | TP65H480G4JSG-TR | 3.9800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Transformar | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-SMD, cabo plano | TP65H480 | GaNFET (Cascode Nitreto de Gálio FET) | 3-PQFN (5x6) | download | 3 (168 horas) | 1707-TP65H480G4JSG-TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal N | 650 V | 3,6A (Tc) | 8V | 560mOhm @ 3,4A, 8V | 2,8 V a 500 µA | 9 nC @ 8 V | ±18V | 760 pF a 400 V | - | 13,2W (Tc) | ||
![]() | TP65H150LSG | - | ![]() | 1989 | 0,00000000 | Transformar | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-PowerDFN | GaNFET (nitreto de glio) | 3-PQFN (8x8) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | 1707-TP65H150LSG | EAR99 | 8541.29.0095 | 60 | Canal N | 650 V | 15A (Tc) | 10V | 180mOhm @ 10A, 10V | 4,8 V a 500 µA | 7,1 nC a 10 V | ±20V | 576 pF a 400 V | - | 69W (Tc) | ||
![]() | TPH3206LDB | - | ![]() | 5638 | 0,00000000 | Transformar | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-PowerDFN | GaNFET (nitreto de glio) | PQFN (8x8) | download | 3 (168 horas) | EAR99 | 8541.29.0095 | 60 | Canal N | 650 V | 16A (Tc) | 10V | 180mOhm @ 10A, 8V | 2,6 V a 500 µA | 6,2 nC a 4,5 V | ±18V | 720 pF a 480 V | - | 81W (Tc) | ||||
![]() | TPH3206PS | 9.9000 | ![]() | 659 | 0,00000000 | Transformar | - | Tubo | Não para novos designs | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | TPH3206 | GaNFET (nitreto de glio) | PARA-220AB | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 600 V | 17A (Tc) | 10V | 180mOhm @ 11A, 8V | 2,6 V a 500 µA | 9,3 nC a 4,5 V | ±18V | 760 pF a 480 V | - | 96W (Tc) | ||
![]() | TPH3206LDGB | - | ![]() | 9500 | 0,00000000 | Transformar | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-PowerDFN | GaNFET (nitreto de glio) | PQFN (8x8) | download | Compatível com RoHS | 3 (168 horas) | EAR99 | 8541.29.0095 | 60 | Canal N | 650 V | 16A (Tc) | 10V | 180mOhm @ 11A, 8V | 2,6 V a 500 µA | 9,3 nC a 4,5 V | ±18V | 760 pF a 480 V | - | 81W (Tc) | |||
![]() | TP65H050G4WS | 15.0700 | ![]() | 469 | 0,00000000 | Transformar | SuperGaN® | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | TP65H050 | GaNFET (nitreto de glio) | PARA-247-3 | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | 1707-TP65H050G4WS | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 650 V | 34A (Tc) | 10V | 60mOhm a 22A, 10V | 4,8 V a 700 µA | 24 nC @ 10 V | ±20V | 1000 pF a 400 V | - | 119W (Tc) | |
![]() | TPH3202PS | - | ![]() | 7536 | 0,00000000 | Transformar | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | GaNFET (nitreto de glio) | PARA-220AB | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 600 V | 9A (Tc) | 10V | 350mOhm @ 5,5A, 8V | 2,5 V a 250 µA | 9,3 nC a 4,5 V | ±18V | 760 pF a 480 V | - | 65W (Tc) | ||||
![]() | TPH3206PD | 10.7500 | ![]() | 96 | 0,00000000 | Transformar | - | Tubo | Não para novos designs | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | TPH3206 | GaNFET (nitreto de glio) | PARA-220AB | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 600 V | 17A (Tc) | 10V | 180mOhm @ 11A, 8V | 2,6 V a 500 µA | 9,3 nC a 4,5 V | ±18V | 760 pF a 480 V | - | 96W (Tc) | ||
![]() | TP65H035WSQA | 22.1500 | ![]() | 367 | 0,00000000 | Transformar | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | TP65H035 | GaNFET (Cascode Nitreto de Gálio FET) | PARA-247-3 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 60 | Canal N | 650 V | 47,2A(Tc) | 10V | 41mOhm @ 32A, 10V | 4,5V a 1mA | 24 nC @ 10 V | ±20V | 1500 pF a 400 V | 187W (Tc) | ||||
![]() | TP65H480G4JSG | 1.5354 | ![]() | 7595 | 0,00000000 | Transformar | SuperGaN® | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 2-PowerTSFN | GaNFET (nitreto de glio) | 2-PQFN (5x6) | download | 1707-TP65H480G4JSG | 4.000 | Canal N | 650 V | 3,6A (Tc) | 8V | 560mOhm @ 3,4A, 8V | 2,8 V a 500 µA | 9 nC @ 8 V | ±18V | 760 pF a 400 V | - | 13,2W (Tc) | ||||||
![]() | TPH3208LSG | - | ![]() | 5407 | 0,00000000 | Transformar | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-PowerDFN | GaNFET (nitreto de glio) | 3-PQFN (8x8) | download | Compatível com RoHS | 3 (168 horas) | EAR99 | 8541.29.0095 | 60 | Canal N | 650 V | 20A (Tc) | 10V | 130mOhm @ 14A, 8V | 2,6 V a 300 µA | 42 nC @ 8 V | ±18V | 760 pF a 400 V | - | 96W (Tc) | |||
![]() | TPH3206LSB | - | ![]() | 7803 | 0,00000000 | Transformar | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-PowerDFN | GaNFET (nitreto de glio) | PQFN (8x8) | download | 3 (168 horas) | EAR99 | 8541.29.0095 | 60 | Canal N | 650 V | 16A (Tc) | 10V | 180mOhm @ 10A, 8V | 2,6 V a 500 µA | 6,2 nC a 4,5 V | ±18V | 720 pF a 480 V | - | 81W (Tc) | ||||
![]() | TPH3208LDG | 10.8100 | ![]() | 150 | 0,00000000 | Transformar | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-PowerDFN | GaNFET (nitreto de glio) | 3-PQFN (8x8) | download | Compatível com RoHS | 3 (168 horas) | EAR99 | 8541.29.0095 | 60 | Canal N | 650 V | 20A (Tc) | 10V | 130mOhm @ 13A, 8V | 2,6 V a 300 µA | 14 nC @ 8 V | ±18V | 760 pF a 400 V | - | 96W (Tc) | |||
![]() | TP65H070LSG | - | ![]() | 6794 | 0,00000000 | Transformar | TP65H070L | Tubo | Descontinuado na SIC | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-PowerDFN | TP65H070 | GaNFET (Cascode Nitreto de Gálio FET) | 3-PQFN (8x8) | download | 3 (168 horas) | EAR99 | 8541.29.0095 | 60 | Canal N | 650 V | 25A (Tc) | 10V | 85mOhm @ 16A, 10V | 4,8 V a 700 µA | 9,3 nC a 10 V | ±20V | 600 pF a 400 V | - | 96W (Tc) | |||
![]() | TP90H050WS | 17.9700 | ![]() | 9053 | 0,00000000 | Transformar | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C | Através do furo | PARA-247-3 | TP90H050 | GaNFET (Cascode Nitreto de Gálio FET) | PARA-247-3 | download | 1 (ilimitado) | 1707-TP90H050WS | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 900 V | 34A (Tc) | 10V | 63mOhm @ 22A, 10V | 4,4 V a 700 µA | 17,5 nC a 10 V | ±20V | 980 pF a 600 V | - | 119W (Tc) | ||
![]() | TPH3208PD | - | ![]() | 1499 | 0,00000000 | Transformar | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C | Através do furo | PARA-220-3 | GaNFET (nitreto de glio) | PARA-220AB | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 650 V | 20A (Tc) | 10V | 130mOhm @ 13A, 8V | 2,6 V a 300 µA | 14 nC @ 8 V | ±18V | 760 pF a 400 V | - | 96W (Tc) | ||||
![]() | TP65H015G5WS | 33.5400 | ![]() | 274 | 0,00000000 | Transformar | SuperGaN™ | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | GaNFET (nitreto de glio) | PARA-247-3 | download | 1 (ilimitado) | 1707-TP65H015G5WS | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 650 V | 93A (Tc) | 10V | 18mOhm a 60A, 10V | 4,8V a 2mA | 100 nC @ 10 V | ±20V | 5218 pF a 400 V | - | 266W (Tc) |

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