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Diodos (166326)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Razão de Capacitânncia Condição da Razão de Capacitância Q @ vr, f
MAVR-000250-0287FT MACOM Technology Solutions Mavr-000250-0287ft 1.6800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Macom Technology Solutions - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mavr-000250 SOT-23 - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 1.8pf @ 4V, 1MHz Solteiro 12 v 3.5 C0.5/C4 450 @ 2V, 50MHz
2M82ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M82ZHA0G -
RFQ
 ECAD 9193 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Fita E CAIXA (TB) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial 2m82 2 w DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.500 500 Na @ 62,2 V 82 v 100 ohms
Z2SMB30 Diotec Semiconductor Z2SMB30 0,2149
RFQ
 ECAD 5940 0,00000000 Diotec Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície DO-214AA, SMB 2 w SMB (DO-214AA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 2796-Z2SMB30TR 8541.10.0000 3.000 1 µA A 14 V 30 v 8 ohms
CDLL4781A/TR Microchip Technology CDLL4781A/TR 38.1900
RFQ
 ECAD 9978 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem NA Superfície DO-213AA 500 MW DO-213AA download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 150-CDLL4781A/TR Ear99 8541.10.0050 1 10 µA a 6 V 8,5 v 100 ohms
CDS5189 Microchip Technology CDS5189 -
RFQ
 ECAD 5924 0,00000000 Microchip Technology * Volume Ativo - Alcançar Não Afetado 150-CDS5189 50
1N5253B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5253B-TAP 0,2300
RFQ
 ECAD 4593 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Fita de Corte (CT) Ativo ± 5% 175 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 1N5253 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 30.000 1,1 V @ 200 mA 100 Na @ 19 V 25 v 35 ohms
ZMY82-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMY82-GS08 -
RFQ
 ECAD 8856 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% 175 ° C. Montagem NA Superfície Do-213ab, Mell (Vidro) ZMY82 1 w DO-213AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.500 500 Na @ 61 V 82 v 160 ohms
1N4462 TR PBFREE Central Semiconductor Corp 1N4462 TR PBFREE 0,3465
RFQ
 ECAD 8220 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1,5 w DO-41 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 1 µA A 4,5 V 7,5 v 2,5 ohms
GP10AHM3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10AHM3/54 -
RFQ
 ECAD 3245 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Gp10 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,1 V @ 1 A 3 µs 5 µA a 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 8pf @ 4V, 1MHz
JANTXV1N4623D-1/TR Microchip Technology Jantxv1n4623d-1/tr 18.6300
RFQ
 ECAD 6829 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Ativo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcançar Não Afetado 150-JANTXV1N4623D-1/TR Ear99 8541.10.0050 100 1,1 V @ 200 mA 2 µA @ 2 V 4.3 v 1600 ohms
SFAF808G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF808G 0,8505
RFQ
 ECAD 6972 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 SFAF808 Padrão ITO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 8 a 35 ns 10 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a 60pf @ 4V, 1MHz
VS-VSKCS330/030 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vs-vskcs330/030 -
RFQ
 ECAD 5904 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Obsoleto Montagem do chassi Add-a-pak (3) VSKCS330 Schottky Add-a-Pak® - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) VSVSKCS330030 Ear99 8541.10.0080 10 - 1 par cátodo comum 30 v 165a -
1N4004GPHM3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4004GPHM3/54 -
RFQ
 ECAD 3126 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4004 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,1 V @ 1 A 5 µA A 400 V -50 ° C ~ 150 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
1N4448W RHG Taiwan Semiconductor Corporation 1N4448W RHG 0,2000
RFQ
 ECAD 9962 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície SOD-123F 1N4448 Padrão SOD-123F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 75 v 1 V @ 100 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C. 150mA 4pf @ 0V, 1MHz
TUAU6GH M3G Taiwan Semiconductor Corporation TUAU6GH M3G 1.3600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície TO-277, 3-POWERDFN TUAU6 Padrão SMPC4.6U - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 6 A 50 ns 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 175 ° C. 6a 64pf @ 4V, 1MHz
JANS1N6336US/TR Microchip Technology JANS1N6336US/TR 154.0106
RFQ
 ECAD 1869 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/533 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície SQ-Melf, b 500 MW B, Sq-Melf download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 150-JANS1N6336US/TR Ear99 8541.10.0050 1 1,4 V @ 1 A 50 Na @ 25 V 33 v 40 ohms
MMBZ5259AW_R1_00001 Panjit International Inc. MMBZ5259AW_R1_00001 0,0189
RFQ
 ECAD 8358 0,00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície SC-70, SOT-323 MMBZ5259 200 MW SOT-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.252.000 100 Na @ 30 V 39 v 80 ohms
DSEP40-03AS-TUB IXYS DSEP40-03AS-TUB 3.0790
RFQ
 ECAD 7838 0,00000000 Ixys - Tubo Ativo Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab DSEP40 Padrão TO-263 (D2PAK) - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 238-DSEP40-03AS-TUB Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 300 v 1,46 V @ 40 A 35 ns 5 µA A 300 V -55 ° C ~ 175 ° C. 40A 50pf @ 150V, 1MHz
BZV55-B2V4,115 Nexperia USA Inc. BZV55-B2V4,115 0,3400
RFQ
 ECAD 752 0,00000000 Nexperia EUA Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C. Montagem NA Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 BZV55-B2V4 500 MW LLDS; Mínimo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 2.500 900 mV a 10 mA 50 µA @ 1 V 2,4 v 100 ohms
MMBZ5244A_R1_00001 Panjit International Inc. MMBZ5244A_R1_00001 0,0189
RFQ
 ECAD 9944 0,00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5244 410 MW SOT-23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.252.000 100 Na @ 10,5 V 14 v 15 ohms
EGP20A Fairchild Semiconductor EGP20A 0,2200
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial Padrão DO-15 download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-EGP20A-600039 1.348 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 950 mV @ 2 a 50 ns 5 µA a 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 2a 70pf @ 4V, 1MHz
RB521S-30G9JTE61 Rohm Semiconductor RB521S-30G9JTE61 -
RFQ
 ECAD 5761 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Obsoleto RB521 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 846-RB521S-30G9JTE61TR Ear99 8541.10.0070 3.000
CZRUR7V5B-HF Comchip Technology CZRUR7V5B-HF 0,0680
RFQ
 ECAD 9220 0,00000000 Tecnologia Comchip - Tape & Reel (TR) Ativo ± 3% -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem NA Superfície 2-SMD, sem chumbo CZRUR7V5 150 MW 0603/SOD-523F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 4.000 900 mV a 10 mA 500 Na @ 6 V 7,5 v 7 ohms
FESB8CT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB8CT-E3/81 0,7496
RFQ
 ECAD 6481 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab FESB8 Padrão TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 950 mV @ 8 A 35 ns 10 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a -
SB1040CT_T0_00001 Panjit International Inc. SB1040CT_T0_00001 0,6600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Panjit International Inc. - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 SB1040 Schottky TO-220AB download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado 3757-SB1040CT_T0_00001 Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 40 v 10a 550 mV @ 5 A 200 µA a 40 V -50 ° C ~ 125 ° C.
DF04S-G Comchip Technology DF04S-G 0,6100
RFQ
 ECAD 321 0,00000000 Tecnologia Comchip - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota DF04 Padrão Dfs download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 1 A 10 µA A 400 V 1 a Fase Única 400 v
ABS1510 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd ABS1510 0,3500
RFQ
 ECAD 9594 0,00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota Padrão Abs download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 4.000 950 mV @ 700 mA 5 µA A 1000 V 1.5 a Fase Única 1 kv
1N6761-1 Microchip Technology 1N6761-1 82.6950
RFQ
 ECAD 8422 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N6761 Schottky DO-41 download Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 690 mV @ 1 a 100 µA A 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 70pf @ 5V, 1MHz
VS-90SQ030 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-90SQ030 -
RFQ
 ECAD 4973 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Obsoleto Através do buraco Do-204ar, axial 90SQ030 Schottky Do-204ar download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 300 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 480 mV @ 9 A 1,75 mA a 30 V -55 ° C ~ 150 ° C. 9a -
2EZ12D5/TR8 Microsemi Corporation 2EZ12D5/TR8 -
RFQ
 ECAD 8242 0,00000000 Microsemi Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 2Ez12 2 w DO-204AL (DO-41) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.500 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 9,1 V 12 v 4,5 ohms
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    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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    2800+

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