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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
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![]() | RGP15D-E3/54 | 0,2320 | ![]() | 1708 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | RGP15 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 1,5 A | 150 ns | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1.5a | - | |||||||||||
![]() | SS3P6-E3/85A | - | ![]() | 5234 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-220AA | SS3P6 | Schottky | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 780 mV @ 3 a | 100 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 80pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | SS5p3-M3/87a | 0,2279 | ![]() | 7793 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Ss5p3 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 520 mV @ 5 A | 250 µA A 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 280pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | SS10P3CL-M3/87A | 0,3884 | ![]() | 8318 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Ss10p3 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 30 v | 5a | 520 mV @ 5 A | 850 µA A 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
![]() | PTV33B-E3/84A | - | ![]() | 5942 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 6% | 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-220AA | PTV33 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,5 V @ 200 mA | 10 µA a 25 V | 35 v | 18 ohms | |||||||||||||
![]() | SE07PD-E3/84A | - | ![]() | 7960 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-220AA | SE07 | Padrão | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,05 V @ 700 mA | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 700mA | 5pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | BYM10-400HE3/96 | - | ![]() | 4463 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell (Vidro) | BYM10 | Padrão | DO-213AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | BYM10-400HE3_A/H. | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 1 A | 10 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | Esh2che3/52t | - | ![]() | 5734 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Esh2 | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 930 mV @ 2 a | 35 ns | 2 µA A 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - | |||||||||||
![]() | Gf1bhe3/67a | - | ![]() | 2014 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214BA | GF1 | Padrão | DO-214BA (GF1) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | |||||||||||
![]() | GL34BHE3/98 | - | ![]() | 8055 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA (Vidro) | GL34 | Padrão | DO-213AA (GL34) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Gl34bhe3_a/h | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,2 V @ 500 mA | 1,5 µs | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500mA | 4pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | SL22HE3/52T | - | ![]() | 8237 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SL22 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 440 mV @ 2 a | 400 µA A 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 2a | - | ||||||||||||
Fes8athe3/45 | - | ![]() | 2526 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | FES8 | Padrão | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 950 mV @ 8 A | 35 ns | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | ||||||||||||
GBL005-E3/45 | 0,7456 | ![]() | 8984 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, gbl | GBL005 | Padrão | Gbl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | 1,1 V @ 4 A | 5 µA a 50 V | 3 a | Fase Única | 50 v | ||||||||||||||
![]() | GBU6B-E3/45 | 2.2100 | ![]() | 5826 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU6 | Padrão | GBU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 6 A | 5 µA A 100 V | 3.8 a | Fase Única | 100 v | |||||||||||||
![]() | GBU6C-E3/45 | - | ![]() | 6095 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU6 | Padrão | GBU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 6 A | 5 µA A 150 V | 3.8 a | Fase Única | 150 v | |||||||||||||
![]() | GBU8B-E3/45 | 2.0600 | ![]() | 120 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU8 | Padrão | GBU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 8 A | 5 µA A 100 V | 3.9 a | Fase Única | 100 v | |||||||||||||
![]() | GI2401-E3/45 | 0,8186 | ![]() | 9145 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | GI2401 | Padrão | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 50 v | 16a | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 50 µA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | KBP005M-E4/45 | - | ![]() | 4721 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBPM | KBP005 | Padrão | KBPM | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 1 V @ 1 A | 5 µA a 50 V | 1.5 a | Fase Única | 50 v | |||||||||||||
![]() | MB6M-E3/45 | 0,6900 | ![]() | 24 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,200 ", 5,08 mm) | MB6 | Padrão | Mbm | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 100 | 1 V @ 400 mA | 5 µA A 600 V | 500 MA | Fase Única | 600 v | |||||||||||||
![]() | UH1D-E3/61T | - | ![]() | 2152 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | UH1 | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,05 V @ 1 A | 30 ns | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | |||||||||||
![]() | 3N253-E4/51 | - | ![]() | 1306 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Bandeja | Obsoleto | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBPM | 3N253 | Padrão | KBPM | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1,1 V @ 3,14 A | 5 µA a 50 V | 2 a | Fase Única | 50 v | |||||||||||||
![]() | MBRB2050CTHE3/45 | - | ![]() | 5610 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB20 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 50 v | 10a | 800 mv @ 10 a | 150 µA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
![]() | SS8P2LHM3/86A | - | ![]() | 6970 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | SS8P2 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 570 mV @ 8 a | 200 µA a 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 330pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | SMBZ5928B-E3/52 | 0,1676 | ![]() | 9674 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SMBZ5928 | 3 w | DO-214AA (SMBJ) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 1,5 V @ 200 mA | 1 µA A 9,9 V | 13 v | 7 ohms | |||||||||||||
![]() | SS10P4C-M3/86A | 0,9100 | ![]() | 6427 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | SS10P4 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 40 v | 5a | 530 mV @ 5 A | 550 µA A 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
VSIB15A20-E3/45 | - | ![]() | 9697 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, GSIB-5S | Vsib15 | Padrão | GSIB-5S | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1 V @ 7.5 A | 10 µA A 200 V | 3.5 a | Fase Única | 200 v | ||||||||||||||
VSIB2060-E3/45 | - | ![]() | 5503 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, GSIB-5S | Vsib2060 | Padrão | GSIB-5S | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1 V @ 10 A | 10 µA A 600 V | 3.5 a | Fase Única | 600 v | ||||||||||||||
VSIB2560-E3/45 | - | ![]() | 9102 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, GSIB-5S | Vsib2560 | Padrão | GSIB-5S | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1 V @ 12.5 A | 10 µA A 600 V | 3.5 a | Fase Única | 600 v | ||||||||||||||
VSIB680-E3/45 | - | ![]() | 4282 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, GSIB-5S | Vsib68 | Padrão | GSIB-5S | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 950 mV @ 3 a | 10 µA a 800 V | 2.8 a | Fase Única | 800 v | ||||||||||||||
VSIB6A20-E3/45 | - | ![]() | 3486 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, GSIB-5S | Vsib6a | Padrão | GSIB-5S | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1 V @ 3 A | 10 µA A 200 V | 2.8 a | Fase Única | 200 v |
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