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Diodos (166326)

Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Tolerância	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caso	Número básico do produto	Tecnologia	Potência - Máx.	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se	Corrente - Vazamento reverso @ Vr	Corrente - Média Retificada (Io)	Tipo de diodo	Tensão - Pico Reverso (Máx.)	Tensão - Zener (Nom) (Vz)	Impedância (Máx.) (Zzt)
KBP210G-BPS01	0,1788	Solicitação de cotação	3458	Micro Comercial	-	Volume	Ativo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	4-SIP, libras esterlinas	KBP210	padrão		GBP	download				353-KBP210G-BPS01	EAR99	8541.10.0080	1	1,05 V a 2 A	10 µA a 1000 V	2A	Monofásico	1kV
GBPC3501W-BP	2.0202	Solicitação de cotação	8442	Micro Comercial	-	Volume	Última compra		-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	4 quadrados, GBPC-W	GBPC3501	padrão		GBPC-W	download				353-GBPC3501W-BP	EAR99	8541.10.0080	1	1,1 V a 17,5 A	5 µA a 100 V	35A	Monofásico	100V
T15JA06G-K	2.8800	Solicitação de cotação	1	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Tubo	Ativo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	4-SIP, TS-6P	T15JA	padrão		TS-6P	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	1801-T15JA06G-K	EAR99	8541.10.0080	15	1,1 V a 15 A	5 µA a 800 V	15A	Monofásico	800V
DB204-BP	0,1230	Solicitação de cotação	9866	Micro Comercial	-	Volume	Ativo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	4-EDIP (0,321", 8,15 mm)	DB204	padrão		DB-1	download				353-DB204-BP	EAR99	8541.10.0080	1	1,1 V a 2 A	10 µA a 400 V	2A	Monofásico	400 V
TS20P07G C2G	-	Solicitação de cotação	2057	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Tubo	Descontinuado na SIC		-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	4-SIP, TS-6P	TS20P07	padrão		TS-6P	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	15	1,1 V a 20 A	10 µA a 1000 V	20 A	Monofásico	1kV
GBU6JL-7002M3/45	-	Solicitação de cotação	8373	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	4-SIP, GBU	GBU6	padrão		GBU	-	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	1	1 V @ 6 A	5 µA a 600 V	3,8A	Monofásico	600 V
DBLS154G C1G	-	Solicitação de cotação	1858	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Tubo	Ativo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	4-SMD, asa de gaivota	DBLS154	padrão		DBLS	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	50	1,1 V a 1,5 A	2 µA a 400 V	1,5A	Monofásico	400 V
TS25P05G C2G	-	Solicitação de cotação	5554	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Tubo	Descontinuado na SIC		-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	4-SIP, TS-6P	TS25P05	padrão		TS-6P	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	15	1,1 V a 25 A	10 µA a 600 V	25A	Monofásico	600 V
3N258-E4/72	-	Solicitação de cotação	7294	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Caixa	Obsoleto		-55°C ~ 165°C (TJ)	Através do furo	4-SIP, KBPM	3N258	padrão		KBPM	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	200	1,1 V a 3,14 A	5 µA a 800 V	2A	Monofásico	800V
GBPC3502W T0G	-	Solicitação de cotação	8956	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Bandeja	Ativo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	4 quadrados, GBPC-W	GBPC3502	padrão		GBPC-W	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	100	1,1 V a 17,5 A	5 µA a 200 V	35A	Monofásico	200 V
683-3	391.7400	Solicitação de cotação	1671	Tecnologia de Microchip	MIL-PRF-19500	Volume	Ativo		-65°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em chassi	4-Quadrado, NB	683-3	padrão		Observação	download	RoHS não compatível		REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	1	1,2 V a 5 A	10 µA a 300 V	20 A	Monofásico	300V
800-4	523.2150	Solicitação de cotação	4315	Tecnologia de Microchip	MIL-PRF-19500	Volume	Ativo		-65°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em chassi	MEU	800-4	padrão		MEU	download	RoHS não compatível		REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	1	950 mV a 10 A	20 µA a 150 V	40A	Trifásico	150 V
1N4436FS	204.6750	Solicitação de cotação	8722	Tecnologia de Microchip	-	Volume	Ativo									download			REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	1
3GBJ3510-BP	3.0000	Solicitação de cotação	5976	Micro Comercial	-	Volume	Ativo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	5-SIP, TSB-5	3GBJ3510	padrão		TSB-5	download				353-3GBJ3510-BP	EAR99	8541.10.0080	1	1,1 V a 17,5 A	10 µA a 1000 V	35A	Monofásico	1kV
MB14M-BP	-	Solicitação de cotação	3207	Micro Comercial	-	Volume	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	4-DIP (0,200", 5,08 mm)	MB14	Schottky		MB-1	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	5.000	500 mV por 1 A	500 µA a 40 V	1A	Monofásico	40 V
MMBZ5236B-G3-18	-	Solicitação de cotação	4620	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	±5%	-55°C ~ 150°C	Montagem em superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5236		225 mW	SOT-23-3	-	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0050	10.000		3 µA a 6 V				7,5 V	6 Ohms
ABS15JHREG	-	Solicitação de cotação	4425	Corporação de Semicondutores de Taiwan	Automotivo, AEC-Q101	Fita e Carretel (TR)	Ativo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	4-SMD, asa de gaivota	ABS15	padrão		ABS	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	1.000	1 V a 1,5 A	5 µA a 600 V	1,5A	Monofásico	600 V
BZT52-B13J	0,2400	Solicitação de cotação	46	Nexperia EUA Inc.	Automotivo, AEC-Q101	Fita e Carretel (TR)	Ativo	±2,31%	-55°C ~ 150°C (TA)	Montagem em superfície	SOD-123	BZT52		590 mW	SOD-123	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0050	10.000	900 mV a 10 mA	100 nA @ 8 V				13V	10 Ohms
CDLL4496/TR	14.2310	Solicitação de cotação	3421	Tecnologia de Microchip	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	±5%	-65°C ~ 175°C (TA)	Montagem em superfície	DO-213AB, MELF (vídeo)			1,5W	DO-213AB (MELF, LL41)	-	Compatível com ROHS3		REACH não afetado	150-CDLL4496/TR	EAR99	8541.10.0050	1	1 V a 200 mA	250 nA a 160 V				200 V	1500 Ohms
ABS10	0,4800	Solicitação de cotação	8	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	4-SMD, asa de gaivota	ABS10	padrão		ABS	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	5.000	950 mV a 400 mA	10 µA a 1000 V	1A	Monofásico	1kV
DFL1504S-E3/45	0,3298	Solicitação de cotação	7139	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Ativo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	4-SMD, asa de gaivota	DFL1504	padrão		DFS	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	5.000	1,1 V a 1,5 A	5 µA a 400 V	1,5A	Monofásico	400 V
DMA40U1800GU	21.1800	Solicitação de cotação	6511	IXYS	-	Tubo	Ativo		-40°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	5-SIP	DMA40	padrão		GUFP	-	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	238-DMA40U1800GU	EAR99	8541.10.0080	14	1,28 V a 30 A	40 µA a 1800 V	40A	Monofásico	1,8 kV
VS-KBPC801PBF	3.1900	Solicitação de cotação	1	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	VS-KBPC8	Volume	Ativo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	4 quadrados, D-72	KBPC801	padrão		D-72	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	100	1 V @ 3 A	10 µA a 100 V	8A	Monofásico	100V
JANS1N4492D	343.5150	Solicitação de cotação	9490	Tecnologia de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Volume	Ativo	±1%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	DO-204AL, DO041, Axial			1,5W	DO-41	-			REACH não afetado	150-JANS1N4492D	EAR99	8541.10.0050	1	1,5 V a 1 A	250 nA @ 104 V				130 V	500 Ohms
MDMA360UC1600TED	109.6283	Solicitação de cotação	2699	IXYS	-	Caixa	Ativo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em chassi	Módulo		padrão		-	-	Compatível com ROHS3		REACH não afetado	238-MDMA360UC1600TED	EAR99	8541.10.0080	6	1,8 V a 360 A	100 µA a 1600 V	360A	Trifásico	1,6kV
JANTXV1N756D-1/TR	12.7680	Solicitação de cotação	7863	Tecnologia de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Fita e Carretel (TR)	Ativo	±1%	-65°C ~ 175°C	Através do furo	DO-204AH, DO-35, Axial			500 mW	DO-35 (DO-204AH)	download	Compatível com ROHS3		REACH não afetado	150-JANTXV1N756D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1	1,1 V a 200 mA	1 µA a 6 V				8,2V	8 Ohms
VBO21-08NO7	14.3268	Solicitação de cotação	9305	IXYS	-	Caixa	Ativo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em chassi	ECO-PAC1	VBO21	padrão		ECO-PAC1	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	25	1,2 V a 10 A	10 µA a 800 V	21A	Monofásico	800V
JAN1N3047BUR-1/TR	-	Solicitação de cotação	3067	Tecnologia de Microchip	MIL-PRF-19500/115	Fita e Carretel (TR)	Ativo	±5%	-65°C ~ 175°C	Montagem em superfície	DO-213AB, MELF (vídeo)			1,5W	DO-213AB (MELF, LL41)	-				150-JAN1N3047BUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1	1,2 V a 200 mA	500 nA a 98,8 V				130 V	700 Ohms
JANHCA1N983C	-	Solicitação de cotação	9630	Tecnologia de Microchip	-	Volume	Ativo	±2%	-65°C ~ 175°C	Montagem em superfície	Morrer			500 mW	Morrer	-			REACH não afetado	150-JANHCA1N983C	EAR99	8541.10.0050	100	1,1 V a 200 mA	5 µA a 62,2 V				82 V	330 Ohms
MD100S16NM3	35.5217	Solicitação de cotação	600	Tecnologia Yangjie	-	Volume	Ativo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em chassi	Módulo		padrão		M3	-	Compatível com RoHS		REACH não afetado	4617-MD100S16NM3	EAR99		6	1,38 V a 100 A	100 µA a 1600 V	100A	Trifásico	1,6kV

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