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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
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MMBZ5239B-G3-18 | - | ![]() | 6502 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5239 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 3 µA a 7 V | 9.1 v | 10 ohms | |||||||||||||
![]() | CSA2G-E3/H. | - | ![]() | 9719 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | CSA2 | Padrão | DO-214AC (SMA) | - | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,15 V @ 2 A | 2,1 µs | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 11pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | VS-71HFR20 | 8.6944 | ![]() | 4422 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 71HFR20 | Polaridada reversa padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,35 V @ 220 A | 15 mA a 200 V | -65 ° C ~ 180 ° C. | 70A | - | ||||||||||
![]() | TZMB43-GS18 | 0.0411 | ![]() | 7153 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, TZM | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | TZMB43 | 500 MW | SOD-80 MINIMELL | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 mA | 100 Na @ 33 V | 43 v | 90 ohms | |||||||||||
![]() | GP10-4007E-M3/54 | - | ![]() | 2180 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Gp10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 1 A | 3 µs | 5 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | BYVB32-50-E3/45 | 0,8940 | ![]() | 8652 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | BYVB32 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 50 v | 18a | 1,15 V @ 20 A | 25 ns | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
![]() | V3pl45-m3/i | 0,0990 | ![]() | 9578 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-220AA | V3pl45 | Schottky | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 112-V3PL45-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 540 mV @ 3 a | 450 µA @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 550pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
VS-20TQ035-M3 | 0,6673 | ![]() | 3663 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | 20TQ035 | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 35 v | 730 mV @ 40 A | 2,7 mA a 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | 1400pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||
![]() | MBRF2550Cthe3/45 | - | ![]() | 1511 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MBRF25 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 50 v | 15a | 750 mv @ 15 a | 1 mA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | US1GHM3_A/H. | 0.1193 | ![]() | 3805 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | US1G | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 112-US1GHM3_A/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
VS-8TQ080GPBF | - | ![]() | 3988 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | 8TQ080 | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Vs8tq080gpbf | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 720 mv @ 8 a | 280 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | 500pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||
![]() | VS-HFA16TB120S-M3 | 2.3300 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Hexfred® | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | HFA16 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 3,93 V @ 32 A | 135 ns | 20 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - | |||||||||
![]() | BZD17C13P-E3-18 | 0,1482 | ![]() | 8133 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 50.000 | 1,2 V @ 200 mA | 2 µA A 10 V | 13 v | ||||||||||||
![]() | GF1DHE3/5CA | - | ![]() | 1296 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214BA | GF1 | Padrão | DO-214BA (GF1) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | |||||||||
![]() | BZG03C30-HM3-08 | 0,5200 | ![]() | 16 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, BZG03C-M | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,67% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BZG03C30 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA A 22 V | 30 v | 15 ohms |
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