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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4006GP-E3/54 | 0,4900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4006 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA A 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | VBT3080S-M3/4W | 0,6151 | ![]() | 8471 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | VBT3080 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 80 v | 950 mV @ 30 A | 1 mA a 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 30a | - | ||||||||||
![]() | VS-HFA16TB120S-M3 | 2.3300 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Hexfred® | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | HFA16 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 3,93 V @ 32 A | 135 ns | 20 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - | |||||||||
![]() | 1N4007-E3/73 | 0,2400 | ![]() | 34 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4007 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 1 A | 5 µA A 1000 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | V15p10hm3/i | 0,4620 | ![]() | 8123 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | V15p10 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 710 mV @ 15 A | 500 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - | ||||||||||||
![]() | 8TQ100STRL | - | ![]() | 7343 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 8TQ100 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 720 mv @ 8 a | 550 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - | ||||||||||
SB040-E3/54 | - | ![]() | 1022 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | MPG06, axial | SB040 | Schottky | MPG06 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 550 mV a 600 mA | 500 µA A 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 600mA | - | |||||||||||
![]() | BAT54W-E3-08 | 0,3800 | ![]() | 22 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123 | BAT54 | Schottky | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA A 25 V | 125 ° C (Máximo) | 200Ma | 10pf @ 1V, 1MHz | |||||||||
![]() | VS-43CTQ100STRLPBF | - | ![]() | 2489 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 43CTQ100 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 20a | 810 mV @ 20 A | 1 ma @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||
GP30MHE3/73 | - | ![]() | 2771 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, SuperiorIcier® | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-201D, axial | GP30 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 3 A | 5 µs | 5 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | ||||||||||
![]() | V6KM120DU-M3/H. | 0,2723 | ![]() | 5547 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | V6km120 | Schottky | Flatpak 5x6 (Duplo) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 120 v | 3a | 820 mv @ 3 a | 300 µA A 120 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||
![]() | BZD27C12P-M-18 | - | ![]() | 9529 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZD27-M | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 3 µA A 9,1 V | 12 v | 7 ohms | |||||||||||
![]() | SML4729A-E3/5A | - | ![]() | 2699 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SML4729 | 1 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 100 µA @ 1 V | 3,6 v | 10 ohms | ||||||||||||
![]() | MBRB7H50-E3/45 | - | ![]() | 3686 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB7 | Schottky | TO-263AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 730 mV @ 7.5 A | 50 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 7.5a | - | ||||||||||
![]() | SMBZ5941B-E3/52 | 0,1676 | ![]() | 4875 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SMBZ5941 | 3 w | DO-214AA (SMBJ) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 1,5 V @ 200 mA | 1 µA A 35,8 V | 47 v | 67 ohms | |||||||||||
![]() | FEPF16FT-E3/45 | 0,9068 | ![]() | 2681 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | FEPF16 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 300 v | 8a | 1,3 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
![]() | Vs-vske56/06 | 34.4760 | ![]() | 4840 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Add-a-pak (3) | Vske56 | Padrão | Add-a-Pak® | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSVSKE5606 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 10 mA a 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 60a | - | ||||||||||
![]() | Cs2g-e3/i | 0,3900 | ![]() | 310 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | CS2 | Padrão | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.200 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,15 V @ 2 A | 2,1 µs | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.6a | 12pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | BZD27C13P-M-08 | - | ![]() | 1315 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZD27-M | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 2 µA A 10 V | 13 v | 10 ohms | |||||||||||
MMBZ5236B-HE3-08 | - | ![]() | 7222 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5236 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 3 µA a 6 V | 7,5 v | 6 ohms | |||||||||||||
![]() | Ugb8fthe3_a/p | - | ![]() | 7577 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | UGB8 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,25 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA A 300 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | |||||||||
![]() | BZG04-43-HM3-08 | 0,2079 | ![]() | 3537 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, BZG04-M | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BZG04-43 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 500 mA | 5 µA @ 43 V | 51 v | ||||||||||||
![]() | MBRB20100CT-M3/4W | 1.0225 | ![]() | 6242 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB20100 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 10a | 800 mv @ 10 a | 100 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | Es2ahe3_a/i | 0.1947 | ![]() | 1245 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | ES2A | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 900 mV @ 2 a | 20 ns | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 18pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | UG2D-E3/73 | 0,4300 | ![]() | 728 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | UG2 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 2 a | 25 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | |||||||||
BZX84B4V3-G3-08 | 0,0389 | ![]() | 4478 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZX84-G | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B4V3 | 300 MW | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 90 ohms | |||||||||||||
![]() | SML4745A-E3/5A | 0,5000 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SML4745 | 1 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 5 µA A 12,2 V | 16 v | 16 ohms | ||||||||||||
![]() | VS-30BQ040-M3/9AT | 0,9500 | ![]() | 18 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | 30BQ040 | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 530 mV @ 3 a | 500 µA A 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 230pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||
MMBZ5239C-E3-08 | - | ![]() | 3714 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5239 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 3 µA a 7 V | 9.1 v | 10 ohms | |||||||||||||
![]() | VS-10MQ060NPBF | - | ![]() | 1684 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | 10MQ060 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 710 mV @ 1.5 A | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2.1a | - |
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