SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Corrente - Retificada Média (IO) Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT)
TZX11B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX11B-TAP 0,0287
RFQ
ECAD 8678 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, TZX Fita E CAIXA (TB) Ativo - -65 ° C ~ 175 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial TZX11 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 30.000 1,5 V @ 200 mA 1 µA A 8,2 V 11 v 25 ohms
TZX12D-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX12D-TAP 0,2300
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, TZX Fita de Corte (CT) Ativo - -65 ° C ~ 175 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial TZX12 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1,5 V @ 200 mA 1 µA A 9,5 V 12 v 35 ohms
TZX13C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX13C-TAP 0,2300
RFQ
ECAD 30 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, TZX Fita de Corte (CT) Ativo - -65 ° C ~ 175 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial TZX13 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1,5 V @ 200 mA 1 µA A 10 V 13 v 35 ohms
TZX22C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX22C-TAP 0,0287
RFQ
ECAD 5682 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, TZX Fita E CAIXA (TB) Ativo - -65 ° C ~ 175 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial TZX22 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 30.000 1,5 V @ 200 mA 1 µA A 17 V 22 v 65 ohms
TZX24X-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX24X-TAP 0,2200
RFQ
ECAD 8 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, TZX Fita de Corte (CT) Ativo - -65 ° C ~ 175 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial TZX24 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1,5 V @ 200 mA 1 µA @ 19 V 24 v 70 ohms
TZX27B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX27B-TAP 0,2300
RFQ
ECAD 27 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, TZX Fita de Corte (CT) Ativo - -65 ° C ~ 175 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial TZX27 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1,5 V @ 200 mA 1 µA A 21 V 27 v 80 ohms
TZX27C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX27C-TAP 0,2300
RFQ
ECAD 9745 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, TZX Fita de Corte (CT) Ativo - -65 ° C ~ 175 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial TZX27 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 112-TZX27C-TAPCT Ear99 8541.10.0050 30.000 1,5 V @ 200 mA 1 µA A 21 V 27 v 80 ohms
TZX30X-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX30X-TAP 0,0273
RFQ
ECAD 5944 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, TZX Fita E CAIXA (TB) Ativo - -65 ° C ~ 175 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial TZX30 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 30.000 1,5 V @ 200 mA 1 µA A 23 V 30 v 100 ohms
TZX33C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX33C-TAP 0,0285
RFQ
ECAD 6491 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, TZX Fita E CAIXA (TB) Ativo - -65 ° C ~ 175 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial TZX33 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 30.000 1,5 V @ 200 mA 1 µA A 25 V 33 v 120 ohms
TZX36C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX36C-TAP 0,2300
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, TZX Fita de Corte (CT) Ativo - -65 ° C ~ 175 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial TZX36 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1,5 V @ 200 mA 1 µA A 27 V 36 v 140 ohms
TZX4V3A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX4V3A-TAP 0,0290
RFQ
ECAD 2778 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, TZX Fita E CAIXA (TB) Ativo - -65 ° C ~ 175 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial TZX4V3 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 30.000 1,5 V @ 200 mA 5 µA A 1,5 V 4.3 v 100 ohms
TZX6V2A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX6V2A-TAP 0,0287
RFQ
ECAD 3265 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, TZX Fita E CAIXA (TB) Ativo - -65 ° C ~ 175 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial TZX6V2 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 30.000 1,5 V @ 200 mA 1 µA A 3 V 6.2 v 15 ohms
TZX7V5D-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX7V5D-TAP 0,0287
RFQ
ECAD 7599 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, TZX Fita E CAIXA (TB) Ativo - -65 ° C ~ 175 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial TZX7V5 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 30.000 1,5 V @ 200 mA 1 µA a 5 V 7,5 v 15 ohms
SMBZ5934B-M3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMBZ5934B-M3/5B 0.1906
RFQ
ECAD 7767 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície DO-214AA, SMB SMBZ5934 550 MW DO-214AA (SMBJ) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.200 1,5 V @ 200 mA 1 µA a 18,2 V 24 v 19 ohms
SMBZ5937B-M3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMBZ5937B-M3/5B 0.1906
RFQ
ECAD 9393 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície DO-214AA, SMB SMBZ5937 550 MW DO-214AA (SMBJ) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.200 1,5 V @ 200 mA 1 µA a 25,1 V 33 v 33 ohms
ZM4758A-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZM4758A-GS08 0,3900
RFQ
ECAD 11 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% 175 ° C. Montagem na Superfície Do-213ab, Mell (Vidro) ZM4758 1 w DO-213AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.500 5 µA a 42,6 V 56 v 110 ohms
ZMY13-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMY13-GS08 0,4200
RFQ
ECAD 11 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% 175 ° C. Montagem na Superfície Do-213ab, Mell (Vidro) ZMY13 1 w DO-213AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.500 500 Na @ 10 V 13 v 9 ohms
ZMY36-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMY36-GS08 0,4200
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% 175 ° C. Montagem na Superfície Do-213ab, Mell (Vidro) ZMY36 1 w DO-213AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.500 500 Na @ 27 V 36 v 60 ohms
ZMY68-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMY68-GS08 0,4200
RFQ
ECAD 11 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% 175 ° C. Montagem na Superfície Do-213ab, Mell (Vidro) ZMY68 1 w DO-213AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.500 500 Na @ 51 V 68 v 130 ohms
ZMY6V2-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMY6V2-GS08 0,4200
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% 175 ° C. Montagem na Superfície Do-213ab, Mell (Vidro) ZMY6V2 1 w DO-213AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.500 500 Na @ 2 V 6.2 v 2 ohms
VS-110MT120KPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-110MT120KPBF 83.4400
RFQ
ECAD 9926 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo MT-K 110MT120 Padrão Mt-k download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado VS110MT120KPBF Ear99 8541.10.0080 15 110 a Três fase 1,2 kV
ZM4745A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZM4745A-GS18 0,3900
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% 175 ° C. Montagem na Superfície Do-213ab, Mell (Vidro) ZM4745 1 w DO-213AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 5 µA A 12,2 V 16 v 16 ohms
ZMY12-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMY12-GS18 0,4200
RFQ
ECAD 7 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% 175 ° C. Montagem na Superfície Do-213ab, Mell (Vidro) ZMY12 1 w DO-213AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 500 Na @ 9 V 12 v 7 ohms
ZMY30-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMY30-GS18 0,4200
RFQ
ECAD 195 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% 175 ° C. Montagem na Superfície Do-213ab, Mell (Vidro) ZMY30 1 w DO-213AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 500 Na @ 22,5 V 30 v 20 ohms
ZPY75-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZPY75-TR 0,0545
RFQ
ECAD 6615 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% 175 ° C. Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Zpy75 1.3 w DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Zpy75tr Ear99 8541.10.0050 25.000 500 Na @ 56 V 75 v 70 ohms
KBP02M-M4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP02M-M4/51 -
RFQ
ECAD 5886 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Bandeja Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, KBPM KBP02 Padrão KBPM download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 600 1 V @ 1 A 5 µA A 200 V 1.5 a Fase Única 200 v
GBU8M-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8M-M3/45 2.2100
RFQ
ECAD 4411 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBU GBU8 Padrão GBU download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 8 A 5 µA A 1000 V 8 a Fase Única 1 kv
GSIB1540N-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GSIB1540N-M3/45 1.8371
RFQ
ECAD 5936 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-SIP, GSIB-5S GSIB1540 Padrão GSIB-5S download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.200 950 mV @ 7.5 A 10 µA A 400 V 15 a Fase Única 400 v
GSIB620N-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GSIB620N-M3/45 1.5423
RFQ
ECAD 2226 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-SIP, GSIB-5S GSIB620 Padrão GSIB-5S download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.200 950 mV @ 3 a 10 µA A 200 V 6 a Fase Única 200 v
GSIB640N-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GSIB640N-M3/45 1.5423
RFQ
ECAD 3629 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-SIP, GSIB-5S GSIB640 Padrão GSIB-5S download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.200 950 mV @ 3 a 10 µA A 400 V 6 a Fase Única 400 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque