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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tolerância | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Máx.) | Tensão - Zener (Nom) (Vz) | Impedância (Máx.) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| UG4A-M3/54 | 0,2307 | ![]() | 2154 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Através do furo | DO-201AD, Axial | UG4 | padrão | DO-201AD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.400 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 50 V | 950 mV a 4 A | 30 segundos | 5 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 4A | 20pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | GBU8K-4E3/51 | - | ![]() | 3729 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, GBU | GBU8 | padrão | GBU | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 8 A | 5 µA a 800 V | 3,9A | Monofásico | 800V | ||||||||||||
![]() | V10PWM60-M3/I | 0,3036 | ![]() | 5355 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | Schottky | SlimDPAK | download | REACH não afetado | 112-V10PWM60-M3/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 60 V | 610 mV a 10 A | 400 µA a 60 V | -40°C ~ 175°C | 10A | 1580pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | SMBZ5933B-E3/5B | 0,1676 | ![]() | 4020 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -55°C ~ 150°C | Montagem em superfície | DO-214AA, SMB | SMBZ5933 | 3 W | DO-214AA (SMBJ) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.200 | 1,5 V a 200 mA | 1 µA a 16,7 V | 22V | 17,5 Ohms | |||||||||||
![]() | BZX55F2V4-TR | - | ![]() | 5652 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | ±1% | 175°C | Através do furo | DO-204AH, DO-35, Axial | BZX55 | 500 mW | DO-35 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V a 200 mA | 50 µA a 1 V | 2,4 V | 85 Ohms | |||||||||||
![]() | GBU4G-E3/51 | 1.9500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, GBU | GBU4 | padrão | GBU | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 4 A | 5 µA a 400 V | 3A | Monofásico | 400 V | |||||||||||
![]() | V30K45-M3/I | 0,4538 | ![]() | 6752 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | eSMP®, TMBS® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | V30K45 | Schottky | FlatPAK (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 45V | 630 mV a 30 A | 2 mA a 45 V | -40°C ~ 150°C | 30A | 4000pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | MMSZ4702-HE3_A-08 | 0,0533 | ![]() | 9570 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOD-123 | 500 mW | SOD-123 | download | 112-MMSZ4702-HE3_A-08TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 900 mV a 10 mA | 50 nA a 11,4 V | 15V | |||||||||||||||
![]() | VS-110MT80KPBF | 79.1507 | ![]() | 6800 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | Módulo MT-K | 110MT80 | padrão | MT-K | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | VS110MT80KPBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 110A | Trifásico | 800V | ||||||||||||
![]() | SMZJ3788BHE3_A/H | - | ![]() | 8341 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -55°C ~ 150°C | Montagem em superfície | DO-214AA, SMB | SMZJ3788 | 1,5W | DO-214AA (SMBJ) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 50 µA a 7 V | 9,1 V | 4 Ohms | ||||||||||||
![]() | BZG05C4V3-HM3-08 | 0,4200 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, BZG05C-M | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±6,98% | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | DO-214AC, SMA | BZG05C4V3 | 1,25W | DO-214AC (SMA) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 3 µA a 1 V | 4,3V | 13 Ohms | |||||||||||
![]() | G3SBA60L-5703E3/51 | - | ![]() | 1575 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, GBU | G3SBA60 | padrão | GBU | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 2 A | 5 µA a 600 V | 2.3A | Monofásico | 600 V | ||||||||||||
![]() | BAS16D-E3-08 | 0,2600 | ![]() | 60 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SOD-123 | BAS16 | padrão | SOD-123 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 75V | 1,25 V a 150 mA | 6 ns | 1 µA a 75 V | -55°C ~ 150°C | 250mA | 2pF a 0 V, 1 MHz | |||||||||
![]() | VS-93MT160KPBF | 101.6367 | ![]() | 3413 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | Módulo MT-K | 93MT160 | padrão | MT-K | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | VS93MT160KPBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 90A | Trifásico | 1,6kV | ||||||||||||
![]() | 2KBP005M-E4/45 | - | ![]() | 9713 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 165°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, KBPM | 2KBP005 | padrão | KBPM | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 1,1 V a 3,14 A | 5 µA a 50 V | 2A | Monofásico | 50 V | |||||||||||
| BZT52C16-HE3_A-08 | 0,0533 | ![]() | 7515 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, BZT52 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOD-123 | 300 mW | SOD-123 | download | 112-BZT52C16-HE3_A-08TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 nA @ 12 V | 16V | 40 Ohms | ||||||||||||||||
![]() | RS2G-2HE3_A/H | - | ![]() | 2189 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | Montagem em superfície | DO-214AA, SMB | padrão | DO-214AA (SMBJ) | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 112-RS2G-2HE3_A/HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.200 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 400 V | 1,3 V a 1,5 A | 150 ns | 5 µA a 400 V | -55°C ~ 150°C | 1,5A | 20pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | V30K45HM3/I | 0,4991 | ![]() | 7573 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | V30K45 | Schottky | FlatPAK (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 45V | 630 mV a 30 A | 2 mA a 45 V | -40°C ~ 150°C | 30A | 4000pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | MMSZ5226C-HE3_A-18 | 0,0566 | ![]() | 2465 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±2% | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOD-123 | 500 mW | SOD-123 | download | 112-MMSZ5226C-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mV a 10 mA | 25 µA a 1 V | 3,3V | 28 Ohms | ||||||||||||||
![]() | VS-60MT160KPBF | 69.1800 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | Módulo MT-K | 60MT160 | padrão | MT-K | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 60A | Trifásico | 1,6kV | |||||||||||||
| GSIB6A40N-M3/45 | - | ![]() | 8946 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, GSIB-5S | GSIB6 | padrão | GSIB-5S | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1 V @ 3 A | 10 µA a 400 V | 15A | Monofásico | 400 V | ||||||||||||
![]() | BZD27B27P-HE3-18 | 0,1238 | ![]() | 6950 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, BZD27B | Fita e Carretel (TR) | Ativo | - | -65°C ~ 175°C | Montagem em superfície | DO-219AB | BZD27B27 | 800 mW | DO-219AB (SMF) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 50.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 20 V | 27V | 15 Ohms | |||||||||||
![]() | ZGL41-140A-E3/97 | 0,2020 | ![]() | 7372 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -55°C ~ 150°C | Montagem em superfície | DO-213AB, MELF | ZGL41 | 1W | GL41 (DO-213AB) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V a 200 mA | 1 µA a 106,4 V | 140V | 525 Ohms | |||||||||||
![]() | BZG05B3V6-M3-18 | 0,1980 | ![]() | 5298 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZG05B-M | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±1,94% | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | DO-214AC, SMA | BZG05B3V6 | 1,25W | DO-214AC (SMA) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V a 200 mA | 20 µA a 1 V | 3,6V | 20 Ohms | |||||||||||
![]() | BZT55C6V8-GS08 | 0,2100 | ![]() | 379 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, BZT55 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Montagem em superfície | Variante SOD-80 | BZT55C6V8 | 500 mW | SOD-80 QuadroMELF | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V a 200 mA | 100 nA @ 3 V | 6,8 V | 8 Ohms | |||||||||||
![]() | BZX384B68-G3-08 | 0,0445 | ![]() | 8719 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | BZX384-G | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±2% | -55°C ~ 150°C | Montagem em superfície | SC-76, SOD-323 | BZX384B68 | 200 mW | SOD-323 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 50 nA a 47,6 V | 68 V | 240 Ohms | ||||||||||||
![]() | VS-MBRD340TR-M3 | 0,6500 | ![]() | 8502 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MBRD340 | Schottky | D-PAK (TO-252AA) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 40 V | 600 mV a 3 A | 200 µA a 20 V | -40°C ~ 150°C | 3A | 189pF @ 5V, 1MHz | ||||||||||
![]() | VB30120S-M3/4W | 0,8938 | ![]() | 8978 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | VB30120 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 120V | 1,1 V a 30 A | 500 µA a 120 V | -40°C ~ 150°C | 30A | - | ||||||||||
![]() | ES3CHE3/57T | - | ![]() | 6202 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | Montagem em superfície | DO-214AB, SMC | ES3 | padrão | DO-214AB (SMC) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 150 V | 900 mV a 3 A | 30 segundos | 10 µA a 150 V | -55°C ~ 150°C | 3A | 45pF @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | VS-20UT04 | - | ![]() | 2358 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Através do furo | Terminais TO-251-3, IPak | 20UT04 | Schottky | IPAK (TO-251) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 45V | 610 mV a 20 A | 100 µA a 45 V | -55°C ~ 150°C | 20A | 1900pF @ 5V, 1MHz |

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