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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Número básico do produto | Tecnologia | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Configuração de diodo | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SS150TC60110 | - | ![]() | 4711 | 0,00000000 | IXYS-RF | - | Tubo | Obsoleto | Montagem em superfície | 6-SMD, almofada exposta de chumbo plano | SS150 | SiC (carboneto de silício) Schottky | DE150 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 3 cátodo comum | 600 V | 10A | 1,8 V a 5 A | 0 ns | 50 µA a 600 V | -55°C ~ 175°C | |
![]() | SS275TC12205 | - | ![]() | 8110 | 0,00000000 | IXYS-RF | - | Tubo | Obsoleto | Montagem em superfície | 6-SMD, almofada exposta de chumbo plano | SS275 | SiC (carboneto de silício) Schottky | DE275 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 3 cátodo comum | 1200 V | 5A | 1,8 V a 5 A | 0 ns | 200 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | |
![]() | SS150TA60110 | - | ![]() | 2555 | 0,00000000 | IXYS-RF | - | Tubo | Obsoleto | Montagem em superfície | 6-SMD, almofada exposta de chumbo plano | SS150 | SiC (carboneto de silício) Schottky | DE150 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 3 anodo comum | 600 V | 10A | 1,8 V a 5 A | 0 ns | 50 µA a 600 V | -55°C ~ 175°C | |
![]() | SS275TA12205 | - | ![]() | 3662 | 0,00000000 | IXYS-RF | - | Tubo | Obsoleto | Montagem em superfície | 6-SMD, almofada exposta de chumbo plano | SS275 | SiC (carboneto de silício) Schottky | DE275 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 3 anodo comum | 1200 V | 5A | 1,8 V a 5 A | 0 ns | 200 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | |
![]() | SS275TI12205 | - | ![]() | 5189 | 0,00000000 | IXYS-RF | - | Tubo | Obsoleto | Montagem em superfície | 6-SMD, almofada exposta de chumbo plano | SS275 | SiC (carboneto de silício) Schottky | DE275 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 3 Independente | 1200 V | 5A | 1,8 V a 5 A | 0 ns | 200 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | |
![]() | SS150TI60110 | - | ![]() | 1132 | 0,00000000 | IXYS-RF | - | Tubo | Obsoleto | Montagem em superfície | 6-SMD, almofada exposta de chumbo plano | SS150 | SiC (carboneto de silício) Schottky | DE150 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 3 Independente | 600 V | 10A | 1,8 V a 5 A | 0 ns | 50 µA a 600 V | -55°C ~ 175°C |

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