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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Configuração de diodo | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BYC58X-600.127 | 0,8415 | ![]() | 3581 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | TO-220-2 Pacote Completo, Guia Isolado | PORC58 | padrão | TO-220FP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600 V | 3,2 V a 8 A | 12,5s | 150 µA a 600 V | 150°C (máx.) | 8A | - | |||||
![]() | WNB199V5APTSV | 0,9319 | ![]() | 8774 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Volume | Ativo | Montagem em superfície | Morrer | WNB199 | padrão | Bolachá | - | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600 V | 2 V a 60 A | 55 ns | 10 µA a 600 V | 175ºC | 60A | - | |||||||
| BYV32EX-300PQ | 1.1200 | ![]() | 35 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado | BYV32 | padrão | TO-220F | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 300V | 10A | 1,25 V a 10 A | 35 ns | 20 µA a 300 V | 175°C (máx.) | ||||||
![]() | WNS30H100CQ | 1.0800 | ![]() | 12 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-220-3 | WNS30 | Schottky | TO-220E | download | Compatível com RoHS | Não aplicável | 934072050127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 100V | 15A | 710 mV a 15 A | 50 µA a 100 V | 150°C (máx.) | |||||
![]() | WND08P16XQ | 0,3878 | ![]() | 1749 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | TO-220-2 Pacote Completo, Guia Isolado | WND08 | padrão | TO-220F | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1600V | 1,2 V a 8 A | 50 µA a 1600 V | 150ºC | 8A | - | ||||||
![]() | WB30FC120ALZ | 1.2113 | ![]() | 5763 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Volume | Ativo | Montagem em superfície | Morrer | WB30 | padrão | Bolachá | - | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1200 V | 3,5 V a 30 A | 65 ns | 250 µA a 1200 V | 175ºC | 30A | - | |||||||
![]() | WNSC2D16650CJQ | 4.5500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | TO-3P-3, SC-65-3 | WNSC2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-3PF | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 650 V | 16A | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 40 µA a 650 V | 175ºC | ||||||
![]() | NXPLQSC30650W6Q | 5.6197 | ![]() | 5212 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Volume | Última compra | Através do furo | PARA-247-3 | NXPLQSC | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-247-3 | download | 1 (ilimitado) | 934072091127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 240 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,95 V a 15 A | 0 ns | 250 µA a 650 V | 175°C (máx.) | 30A | 300pF @ 1V, 1MHz | |||||
![]() | NXPS20S100C,127 | - | ![]() | 5555 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Descontinuado na SIC | Através do furo | PARA-220-3 | NXPS20 | Schottky | PARA-220AB | - | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 934067127127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 100V | 10A | 580 mV a 3 A | 3 µA a 100 V | 175°C (máx.) | |||||
![]() | BYV34G-600.127 | 2.0100 | ![]() | 6 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | BYV34 | padrão | I2PAK | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 600 V | 20A | 1,48 V a 20 A | 60 ns | 50 µA a 600 V | 150°C (máx.) | |||||
![]() | WNSC5D16650CW6Q | - | ![]() | 7644 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-247-3 | WNSC5 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-247-3 | - | 1740-WNSC5D16650CW6Q | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 650 V | 16A | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 40 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | ||||||
![]() | WNSC2D06650XQ | 0,9150 | ![]() | 4213 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | TO-220-2 Pacote Completo, Guia Isolado | WNSC2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220F | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1740-WNSC2D06650XQ | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 6 A | 0 ns | 30 µA a 650 V | 175ºC | 6A | 198pF @ 1V, 1MHz | ||||
![]() | WNSC5D10650T6J | - | ![]() | 7976 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | Almofada exposta 4-VSFN | WNSC5 | SiC (carboneto de silício) Schottky | 5-DFN (8x8) | - | 1740-WNSC5D10650T6JTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 10A | 323pF @ 1V, 1MHz | ||||||
![]() | NUR460P/L06U | - | ![]() | 1821 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Volume | Obsoleto | Através do furo | DO-201AD, Axial | NUR460 | padrão | DO-201AD | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600 V | 1,28 V a 4 A | 75ns | 10 µA a 600 V | - | 4A | - | |||||
![]() | WND10P08YQ | 0,9500 | ![]() | 6 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | WND10 | padrão | IITO-220-2 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 800 V | 1,3 V a 10 A | 10 µA a 800 V | 150ºC | 10A | - | |||||||
![]() | BYC8D-600.127 | 0,9400 | ![]() | 6 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | PORC8 | padrão | TO-220AC | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600 V | 2,9 V a 8 A | 20 ns | 40 µA a 600 V | 150°C (máx.) | 8A | - | |||||
![]() | WNSC2D03650MBJ | 1.6700 | ![]() | 11 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-214AA, SMB | WNSC2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PME | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 3 A | 0 ns | 20 µA a 650 V | 175ºC | 3A | 130pF @ 1V, 1MHz | ||||||
![]() | BYV42E-200.127 | 1.4300 | ![]() | 12 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-220-3 | BYV42 | padrão | PARA-220AB | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 200 V | 30A | 1,2 V a 30 A | 28 ns | 100 µA a 200 V | 150°C (máx.) | |||||
![]() | WNSC051200Q | 2.8875 | ![]() | 1127 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Última compra | Através do furo | PARA-220-2 | WNSC0 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220AC | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,6 V a 5 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | 175°C (máx.) | 5A | 250pF @ 1V, 1MHz | |||||
![]() | NXPSC10650D6J | 6.0000 | ![]() | 7 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Carretel (TR) | Última compra | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | NXPSC | SiC (carboneto de silício) Schottky | DPAK | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 250 µA a 650 V | 175°C (máx.) | 10A | 300pF @ 1V, 1MHz | ||||||
| BYV29FD-600.118 | 0,9000 | ![]() | 15 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | PORV29 | padrão | DPAK | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600 V | 1,9 V a 8 A | 35 ns | 50 µA a 600 V | 150°C (máx.) | 9A | - | ||||||
| NXPSC10650Q | 5.5700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Descontinuado na SIC | Através do furo | PARA-220-2 | NXPSC | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220AC | download | Não aplicável | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 250 µA a 650 V | 175°C (máx.) | 10A | 300pF @ 1V, 1MHz | |||||||
| BYQ28ED-200.118 | 0,8500 | ![]() | 94 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | PORQ28 | padrão | DPAK | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 200 V | 10A | 1,25 V a 10 A | 25 ns | 10 µA a 200 V | 150°C (máx.) | ||||||
![]() | WNSC2D2012006Q | 2.9042 | ![]() | 7419 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Volume | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | WNSC2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220AC | download | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,65 V a 20 A | 0 ns | 100 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 20A | 950pF @ 1V, 1MHz | |||||||
![]() | BYW29E-150.127 | 0,8900 | ![]() | 17 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | PORW29 | padrão | TO-220AC | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 150 V | 1,05 V a 8 A | 25 ns | 10 µA a 150 V | 150°C (máx.) | 8A | - | |||||
![]() | WB100FC120ALZ | 2.5754 | ![]() | 3492 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Volume | Ativo | Montagem em superfície | Morrer | WB100 | padrão | Bolachá | - | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1200 V | 3,3 V a 100 A | 90 ns | 250 µA a 1200 V | 175ºC | 100A | - | |||||||
![]() | OF4487J | 0,3300 | ![]() | 9969 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | * | Fita e Carretel (TR) | Ativo | OF4487 | - | 1 (ilimitado) | 2.500 | ||||||||||||||||||||
![]() | BYR29X-800PQ | 0,3630 | ![]() | 3455 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | TO-220-2 Pacote Completo, Guia Isolado | BYR29 | padrão | TO-220FP | download | 1 (ilimitado) | 934069882127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 800 V | 1,7 V a 8 A | 55 ns | 10 µA a 800 V | 175°C (máx.) | 8A | - | |||||
![]() | WNSC2D04650TJ | 1.5000 | ![]() | 14 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | Almofada exposta 4-VSFN | WNSC2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | 5-DFN (8x8) | download | Compatível com RoHS | 3 (168 horas) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 4 A | 0 ns | 20 µA a 650 V | 175ºC | 4A | 125pF @ 1V, 1MHz | |||||
![]() | BYR5D-1200PJ | 0,2888 | ![]() | 9366 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | BYR5D | padrão | DPAK | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 934072040118 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1200 V | 2,2 V a 5 A | 62 ns | 50 µA a 1200 V | 175°C (máx.) | 5A | - |

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