SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Tipo de montagem Pacote/Caso Número básico do produto Tecnologia Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Estado do REACH Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Velocidade Configuração de diodo Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se Tempo de recuperação reversa (trr) Corrente - Vazamento reverso @ Vr Temperatura Operacional - Junção Corrente - Média Retificada (Io) Capacitância @ Vr, F
BYC58X-600,127 WeEn Semiconductors BYC58X-600.127 0,8415
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ECAD 3581 0,00000000 WeEn Semicondutores - Tubo Ativo Através do furo TO-220-2 Pacote Completo, Guia Isolado PORC58 padrão TO-220FP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 1.000 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 600 V 3,2 V a 8 A 12,5s 150 µA a 600 V 150°C (máx.) 8A -
WNB199V5APTSV WeEn Semiconductors WNB199V5APTSV 0,9319
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ECAD 8774 0,00000000 WeEn Semicondutores - Volume Ativo Montagem em superfície Morrer WNB199 padrão Bolachá - EAR99 8541.10.0080 1 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 600 V 2 V a 60 A 55 ns 10 µA a 600 V 175ºC 60A -
BYV32EX-300PQ WeEn Semiconductors BYV32EX-300PQ 1.1200
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ECAD 35 0,00000000 WeEn Semicondutores - Tubo Ativo Através do furo TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado BYV32 padrão TO-220F download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1 par de cátodo comum 300V 10A 1,25 V a 10 A 35 ns 20 µA a 300 V 175°C (máx.)
WNS30H100CQ WeEn Semiconductors WNS30H100CQ 1.0800
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ECAD 12 0,00000000 WeEn Semicondutores - Tubo Ativo Através do furo PARA-220-3 WNS30 Schottky TO-220E download Compatível com RoHS Não aplicável 934072050127 EAR99 8541.10.0080 50 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1 par de cátodo comum 100V 15A 710 mV a 15 A 50 µA a 100 V 150°C (máx.)
WND08P16XQ WeEn Semiconductors WND08P16XQ 0,3878
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ECAD 1749 0,00000000 WeEn Semicondutores - Tubo Ativo Através do furo TO-220-2 Pacote Completo, Guia Isolado WND08 padrão TO-220F download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) 1600V 1,2 V a 8 A 50 µA a 1600 V 150ºC 8A -
WB30FC120ALZ WeEn Semiconductors WB30FC120ALZ 1.2113
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ECAD 5763 0,00000000 WeEn Semicondutores - Volume Ativo Montagem em superfície Morrer WB30 padrão Bolachá - EAR99 8541.10.0080 1 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1200 V 3,5 V a 30 A 65 ns 250 µA a 1200 V 175ºC 30A -
WNSC2D16650CJQ WeEn Semiconductors WNSC2D16650CJQ 4.5500
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ECAD 2 0,00000000 WeEn Semicondutores - Tubo Ativo Através do furo TO-3P-3, SC-65-3 WNSC2 SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-3PF download 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1 par de cátodo comum 650 V 16A 1,7 V a 8 A 0 ns 40 µA a 650 V 175ºC
NXPLQSC30650W6Q WeEn Semiconductors NXPLQSC30650W6Q 5.6197
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ECAD 5212 0,00000000 WeEn Semicondutores - Volume Última compra Através do furo PARA-247-3 NXPLQSC SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-247-3 download 1 (ilimitado) 934072091127 EAR99 8541.10.0080 240 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,95 V a 15 A 0 ns 250 µA a 650 V 175°C (máx.) 30A 300pF @ 1V, 1MHz
NXPS20S100C,127 WeEn Semiconductors NXPS20S100C,127 -
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ECAD 5555 0,00000000 WeEn Semicondutores - Tubo Descontinuado na SIC Através do furo PARA-220-3 NXPS20 Schottky PARA-220AB - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) 934067127127 EAR99 8541.10.0080 50 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1 par de cátodo comum 100V 10A 580 mV a 3 A 3 µA a 100 V 175°C (máx.)
BYV34G-600,127 WeEn Semiconductors BYV34G-600.127 2.0100
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ECAD 6 0,00000000 WeEn Semicondutores - Tubo Ativo Através do furo TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA BYV34 padrão I2PAK download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1 par de cátodo comum 600 V 20A 1,48 V a 20 A 60 ns 50 µA a 600 V 150°C (máx.)
WNSC5D16650CW6Q WeEn Semiconductors WNSC5D16650CW6Q -
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ECAD 7644 0,00000000 WeEn Semicondutores - Tubo Ativo Através do furo PARA-247-3 WNSC5 SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-247-3 - 1740-WNSC5D16650CW6Q EAR99 8541.10.0080 1 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1 par de cátodo comum 650 V 16A 1,7 V a 8 A 0 ns 40 µA a 650 V -55°C ~ 175°C
WNSC2D06650XQ WeEn Semiconductors WNSC2D06650XQ 0,9150
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ECAD 4213 0,00000000 WeEn Semicondutores - Tubo Ativo Através do furo TO-220-2 Pacote Completo, Guia Isolado WNSC2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220F download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) 1740-WNSC2D06650XQ EAR99 8541.10.0080 50 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 6 A 0 ns 30 µA a 650 V 175ºC 6A 198pF @ 1V, 1MHz
WNSC5D10650T6J WeEn Semiconductors WNSC5D10650T6J -
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ECAD 7976 0,00000000 WeEn Semicondutores - Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície Almofada exposta 4-VSFN WNSC5 SiC (carboneto de silício) Schottky 5-DFN (8x8) - 1740-WNSC5D10650T6JTR EAR99 8541.10.0080 1 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 10 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 10A 323pF @ 1V, 1MHz
NUR460P/L06U WeEn Semiconductors NUR460P/L06U -
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ECAD 1821 0,00000000 WeEn Semicondutores - Volume Obsoleto Através do furo DO-201AD, Axial NUR460 padrão DO-201AD download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.10.0080 500 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 600 V 1,28 V a 4 A 75ns 10 µA a 600 V - 4A -
WND10P08YQ WeEn Semiconductors WND10P08YQ 0,9500
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ECAD 6 0,00000000 WeEn Semicondutores - Tubo Ativo Através do furo PARA-220-2 WND10 padrão IITO-220-2 download 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) 800 V 1,3 V a 10 A 10 µA a 800 V 150ºC 10A -
BYC8D-600,127 WeEn Semiconductors BYC8D-600.127 0,9400
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ECAD 6 0,00000000 WeEn Semicondutores - Tubo Ativo Através do furo PARA-220-2 PORC8 padrão TO-220AC download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 600 V 2,9 V a 8 A 20 ns 40 µA a 600 V 150°C (máx.) 8A -
WNSC2D03650MBJ WeEn Semiconductors WNSC2D03650MBJ 1.6700
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ECAD 11 0,00000000 WeEn Semicondutores - Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície DO-214AA, SMB WNSC2 SiC (carboneto de silício) Schottky PME download 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 3.000 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 3 A 0 ns 20 µA a 650 V 175ºC 3A 130pF @ 1V, 1MHz
BYV42E-200,127 WeEn Semiconductors BYV42E-200.127 1.4300
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ECAD 12 0,00000000 WeEn Semicondutores - Tubo Ativo Através do furo PARA-220-3 BYV42 padrão PARA-220AB download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1 par de cátodo comum 200 V 30A 1,2 V a 30 A 28 ns 100 µA a 200 V 150°C (máx.)
WNSC051200Q WeEn Semiconductors WNSC051200Q 2.8875
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ECAD 1127 0,00000000 WeEn Semicondutores - Tubo Última compra Através do furo PARA-220-2 WNSC0 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220AC download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 1.000 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,6 V a 5 A 0 ns 50 µA a 1200 V 175°C (máx.) 5A 250pF @ 1V, 1MHz
NXPSC10650D6J WeEn Semiconductors NXPSC10650D6J 6.0000
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ECAD 7 0,00000000 WeEn Semicondutores - Fita e Carretel (TR) Última compra Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 NXPSC SiC (carboneto de silício) Schottky DPAK download 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 2.500 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 10 A 0 ns 250 µA a 650 V 175°C (máx.) 10A 300pF @ 1V, 1MHz
BYV29FD-600,118 WeEn Semiconductors BYV29FD-600.118 0,9000
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ECAD 15 0,00000000 WeEn Semicondutores - Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 PORV29 padrão DPAK download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 2.500 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 600 V 1,9 V a 8 A 35 ns 50 µA a 600 V 150°C (máx.) 9A -
NXPSC10650Q WeEn Semiconductors NXPSC10650Q 5.5700
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ECAD 1 0,00000000 WeEn Semicondutores - Tubo Descontinuado na SIC Através do furo PARA-220-2 NXPSC SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220AC download Não aplicável EAR99 8541.10.0080 1.000 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 10 A 0 ns 250 µA a 650 V 175°C (máx.) 10A 300pF @ 1V, 1MHz
BYQ28ED-200,118 WeEn Semiconductors BYQ28ED-200.118 0,8500
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ECAD 94 0,00000000 WeEn Semicondutores - Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 PORQ28 padrão DPAK download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 2.500 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1 par de cátodo comum 200 V 10A 1,25 V a 10 A 25 ns 10 µA a 200 V 150°C (máx.)
WNSC2D2012006Q WeEn Semiconductors WNSC2D2012006Q 2.9042
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ECAD 7419 0,00000000 WeEn Semicondutores - Volume Ativo Através do furo PARA-220-2 WNSC2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220AC download EAR99 8541.10.0080 1.000 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,65 V a 20 A 0 ns 100 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 20A 950pF @ 1V, 1MHz
BYW29E-150,127 WeEn Semiconductors BYW29E-150.127 0,8900
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ECAD 17 0,00000000 WeEn Semicondutores - Tubo Ativo Através do furo PARA-220-2 PORW29 padrão TO-220AC download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 150 V 1,05 V a 8 A 25 ns 10 µA a 150 V 150°C (máx.) 8A -
WB100FC120ALZ WeEn Semiconductors WB100FC120ALZ 2.5754
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ECAD 3492 0,00000000 WeEn Semicondutores - Volume Ativo Montagem em superfície Morrer WB100 padrão Bolachá - EAR99 8541.10.0080 1 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1200 V 3,3 V a 100 A 90 ns 250 µA a 1200 V 175ºC 100A -
OF4487J WeEn Semiconductors OF4487J 0,3300
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ECAD 9969 0,00000000 WeEn Semicondutores * Fita e Carretel (TR) Ativo OF4487 - 1 (ilimitado) 2.500
BYR29X-800PQ WeEn Semiconductors BYR29X-800PQ 0,3630
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ECAD 3455 0,00000000 WeEn Semicondutores - Tubo Ativo Através do furo TO-220-2 Pacote Completo, Guia Isolado BYR29 padrão TO-220FP download 1 (ilimitado) 934069882127 EAR99 8541.10.0080 1.000 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 800 V 1,7 V a 8 A 55 ns 10 µA a 800 V 175°C (máx.) 8A -
WNSC2D04650TJ WeEn Semiconductors WNSC2D04650TJ 1.5000
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ECAD 14 0,00000000 WeEn Semicondutores - Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície Almofada exposta 4-VSFN WNSC2 SiC (carboneto de silício) Schottky 5-DFN (8x8) download Compatível com RoHS 3 (168 horas) EAR99 8541.10.0080 3.000 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 4 A 0 ns 20 µA a 650 V 175ºC 4A 125pF @ 1V, 1MHz
BYR5D-1200PJ WeEn Semiconductors BYR5D-1200PJ 0,2888
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ECAD 9366 0,00000000 WeEn Semicondutores - Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 BYR5D padrão DPAK download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) 934072040118 EAR99 8541.10.0080 2.500 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1200 V 2,2 V a 5 A 62 ns 50 µA a 1200 V 175°C (máx.) 5A -
  • Daily average RFQ Volume

    Mais de 2.000

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque