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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Configuração de diodo | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NXPSC06650Q | - | ![]() | 8998 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Última compra | Através do furo | PARA-220-2 | NXPSC | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220AC | download | Não aplicável | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 6 A | 0 ns | 200 µA a 650 V | 175°C (máx.) | 6A | 190pF @ 1V, 1MHz | |||||||
![]() | BYV72EW-200.127 | 1.9400 | ![]() | 9 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-247-3 | BYV72 | padrão | PARA-247-3 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 200 V | 15A | 1,2 V a 30 A | 28 ns | 100 µA a 200 V | 150°C (máx.) | |||||
| NXPSC08650Q | - | ![]() | 9977 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Última compra | Através do furo | PARA-220-2 | NXPSC | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220AC | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 230 µA a 650 V | 175°C (máx.) | 8A | 260pF @ 1V, 1MHz | |||||||
![]() | NXPLQSC20650W6Q | 5.2685 | ![]() | 7020 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Volume | Última compra | Através do furo | PARA-247-3 | NXPLQSC | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-247-3 | download | 1 (ilimitado) | 934072086127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 240 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,85 V a 10 A | 0 ns | 230 µA a 650 V | 175°C (máx.) | 20A | 250pF @ 1V, 1MHz | |||||
![]() | WNSC2D06650DJ | 1.7300 | ![]() | 7 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | WNSC2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | DPAK | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 6 A | 0 ns | 30 µA a 650 V | 175°C | 6A | 198pF @ 1V, 1MHz | |||||
![]() | WNSC2D10650Q | 2.9800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | WNSC2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 1740-WNSC2D10650Q | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | 175°C | 10A | 310pF @ 1V, 1MHz | ||||
![]() | BYC30W-600PQ | 2.5100 | ![]() | 1 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-247-2 | PORC30 | padrão | PARA-247-2 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600V | 2,75 V a 30 A | 22 ns | 10 µA a 600 V | 175°C (máx.) | 30A | - | |||||
![]() | NXPSC166506Q | 6.5300 | ![]() | 3 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Última compra | Através do furo | PARA-220-2 | NXPSC | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220AC | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 16 A | 0 ns | 100 µA a 650 V | 175°C (máx.) | 16A | 534pF @ 1V, 1MHz | ||||||
![]() | BYV29B-600PJ | 0,4125 | ![]() | 8437 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | PORV29 | padrão | D2PAK | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 934072015118 | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600V | 1,3 V a 8 A | 75ns | 10 µA a 600 V | 175°C (máx.) | 9A | - | ||||
![]() | BYQ42E-200Q | 0,6270 | ![]() | 1193 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-220-3 | PORQ42 | padrão | PARA-220AB | download | 1 (ilimitado) | 934069644127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 200 V | 15A | 1,05 V a 15 A | 25 ns | 20 µA a 200 V | 150°C (máx.) | |||||
| NXPLQSC10650Q | - | ![]() | 1984 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Última compra | Através do furo | PARA-220-2 | NXPLQSC | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220AC | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,85 V a 10 A | 0 ns | 230 µA a 650 V | 175°C (máx.) | 10A | 250pF @ 1V, 1MHz | |||||||
![]() | BYC10-600PQ | 0,4620 | ![]() | 9599 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | PORC10 | padrão | TO-220AC | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600V | 1,8 V a 10 A | 19 ns | 150°C (máx.) | 10A | - | ||||||
![]() | PORV44-500.127 | 1.8400 | ![]() | 4 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-220-3 | BYV44 | padrão | PARA-220AB | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 500 V | 30A | 1,36 V a 30 A | 60 ns | 50 µA a 500 V | 150°C (máx.) | |||||
![]() | BYV42E-150.127 | 1.4200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-220-3 | BYV42 | padrão | PARA-220AB | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 150 V | 30A | 1,2 V a 30 A | 28 ns | 100 µA a 150 V | 150°C (máx.) | |||||
| NUR460/L03.112 | - | ![]() | 9309 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Obsoleto | Através do furo | DO-201AD, Axial | NUR460 | padrão | DO-201AD | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600V | 1,28 V a 4 A | 65 ns | 50 µA a 600 V | 150°C (máx.) | 4A | - | ||||||
![]() | PORC8-600.127 | 0,9300 | ![]() | 5 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | PORC8 | padrão | TO-220AC | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600V | 2,9 V a 8 A | 52 ns | 150 µA a 600 V | 150°C (máx.) | 8A | - | |||||
![]() | BYC75W-1200PQ | 6.0000 | ![]() | 888 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-247-2 | PORC75 | padrão | PARA-247-2 | download | Compatível com RoHS | Não aplicável | 934072042127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1200 V | 85 ns | 250 µA a 1200 V | 175°C (máx.) | 75A | - | |||||
![]() | BYR29X-600.127 | 0,5610 | ![]() | 7922 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | TO-220-2 Pacote Completo, Guia Isolado | BYR29 | padrão | TO-220FP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600V | 1,7 V a 8 A | 75ns | 10 µA a 600 V | 150°C (máx.) | 8A | - | |||||
![]() | WNSC2D201200CW6Q | 4.1890 | ![]() | 5335 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-247-3 | WNSC2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-247-3 | download | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 1200 V | 20A | 1,65 V a 10 A | 0 ns | 110 µA a 1200 V | 175°C | |||||||
![]() | BYC5B-600.118 | 0,5610 | ![]() | 4615 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | PORC5 | padrão | D2PAK | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 500 V | 2,9 V a 5 A | 50 ns | 100 µA a 600 V | 150°C (máx.) | 5A | - | |||||
| WNSC6D06650Q | 1.2375 | ![]() | 9878 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | WNSC6 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220AC | download | 1 (ilimitado) | 1740-WNSC6D06650Q | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,4 V a 6 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | 175°C | 6A | 327pF @ 1V, 1MHz | ||||||
![]() | WNSC101200WQ | 5.4441 | ![]() | 8880 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Última compra | Através do furo | PARA-247-2 | WNSC1 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-247-2 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,6 V a 10 A | 0 ns | 110 µA a 1200 V | 175°C (máx.) | 10A | 510pF @ 1V, 1MHz | |||||
![]() | BYQ28ED-200PLJ | 0,2640 | ![]() | 2745 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | PORQ28 | padrão | DPAK | download | 1 (ilimitado) | 934072019118 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 200 V | 10A | 1,1 V a 10 A | 25 ns | 10 µA a 200 V | 150°C (máx.) | |||||
![]() | WNSC201200CWQ | 9.8340 | ![]() | 9464 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Última compra | Através do furo | PARA-247-3 | WNSC2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-247-3 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,6 V a 10 A | 0 ns | 110 µA a 1200 V | 175°C (máx.) | 20A | 510pF @ 1V, 1MHz | |||||
![]() | WNSC2D20650CJQ | 3.4196 | ![]() | 2 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Através do furo | TO-3P-3, SC-65-3 | WNSC2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-3PF | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 480 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 650 V | 20A | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | 175°C | ||||||
![]() | WND35P12BJ | 1.6000 | ![]() | 11 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | WND35 | padrão | D2PAK | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1200 V | 1,4 V a 35 A | 50 µA a 1200 V | -40°C ~ 150°C | 35A | - | |||||||
![]() | BYC30WT-600PQ | 2.5100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-247-3 | PORC30 | padrão | PARA-247-3 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 934068091127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600V | 2,75 V a 30 A | 22 ns | 10 µA a 600 V | 175°C (máx.) | 30A | - | ||||
![]() | NXPSC206506Q | 7.6200 | ![]() | 3 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Última compra | Através do furo | PARA-220-2 | NXPSC | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220AC | download | 1 (ilimitado) | 934072076127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 20 A | 0 ns | 500 µA a 650 V | 175°C (máx.) | 20A | 600pF @ 1V, 1MHz | |||||
![]() | WNSC6D20650B6J | 5.1900 | ![]() | 5 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | WNSC6 | SiC (carboneto de silício) Schottky | D2PAK | download | 3 (168 horas) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,55 V a 20 A | 0 ns | 80 µA a 650 V | 175°C | 20A | 780pF @ 1V, 1MHz | ||||||
| BYV410X-600PQ | 1.3100 | ![]() | 9 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado | BYV410 | padrão | TO-220F | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 600V | 20A | 1,75 V a 16 A | 55 ns | 10 µA a 600 V | 175°C (máx.) |

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