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Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Tipo de montagem	Pacote/Caso	Número básico do produto	Tecnologia	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Velocidade	Configuração de diodo	Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.)	Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo)	Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se	Tempo de recuperação reversa (trr)	Corrente - Vazamento reverso @ Vr	Temperatura Operacional - Junção	Corrente - Média Retificada (Io)	Capacitância @ Vr, F
WNSC5D086506Q	-	Solicitação de cotação	4911	WeEn Semicondutores	-	Tubo	Ativo	Através do furo	PARA-220-2	WNSC5	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-220AC	-			1740-WNSC5D086506Q	EAR99	8541.10.0080	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,7 V a 8 A	0 ns	40 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	8A	267pF @ 1V, 1MHz
BYC75W-600PQ	3.6400	Solicitação de cotação	1	WeEn Semicondutores	-	Tubo	Ativo	Através do furo	PARA-247-2	PORC75	padrão	PARA-247-2	download		1 (ilimitado)	934069883127	EAR99	8541.10.0080	30	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)		600 V		2,75 V a 75 A	50 ns	10 µA a 600 V	175°C (máx.)	75A	-
WNS40H100CQ	1.5700	Solicitação de cotação	2	WeEn Semicondutores	-	Tubo	Ativo	Através do furo	PARA-220-3	WNS40	Schottky	TO-220E	download	Compatível com RoHS	Não aplicável	934072049127	EAR99	8541.10.0080	50	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)	1 par de cátodo comum	100V	20A	710 mV a 20 A		50 µA a 100 V	150°C (máx.)
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BYR29-600.127	0,4785	Solicitação de cotação	6230	WeEn Semicondutores	-	Tubo	Ativo	Através do furo	PARA-220-2	BYR29	padrão	TO-220AC	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	1.000	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)		600 V		1,5 V a 8 A	75ns	10 µA a 600 V	150°C (máx.)	8A	-
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WNSC5D08650D6J	-	Solicitação de cotação	5032	WeEn Semicondutores	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	WNSC5	SiC (carboneto de silício) Schottky	DPAK	-			1740-WNSC5D08650D6JTR	EAR99	8541.10.0080	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,7 V a 8 A	0 ns	40 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	8A	267pF @ 1V, 1MHz
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BYC30-600P,127	2.7400	Solicitação de cotação	8	WeEn Semicondutores	-	Tubo	Ativo	Através do furo	PARA-220-2	PORC30	padrão	TO-220AC	download	Compatível com RoHS	Não aplicável		EAR99	8541.10.0080	50	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)		600 V		1,8 V a 30 A	35 ns	10 µA a 600 V	175°C (máx.)	30A	-
BYV32E-300PQ	0,5940	Solicitação de cotação	9788	WeEn Semicondutores	-	Tubo	Ativo	Através do furo	PARA-220-3	BYV32	padrão	TO-220E	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	1.000	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)	1 par de cátodo comum	300V	10A	1,25 V a 10 A	35 ns	20 µA a 300 V	175°C (máx.)
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WNSC5D08650X6Q	-	Solicitação de cotação	4656	WeEn Semicondutores	-	Tubo	Ativo	Através do furo	PARA-220-2	WNSC5	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-220AC	-			1740-WNSC5D08650X6Q	EAR99	8541.10.0080	1	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,7 V a 8 A	0 ns	40 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	8A	267pF @ 1V, 1MHz
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WNSC2D201200WQ	8.3600	Solicitação de cotação	2	WeEn Semicondutores	-	Tubo	Ativo	Através do furo	PARA-247-2	WNSC2	SiC (carboneto de silício) Schottky	PARA-247-2	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)	1740-WNSC2D201200WQ	EAR99	8541.10.0080	600	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		1200 V		1,8 V a 20 A	0 ns	200 µA a 1200 V	175ºC	20A	845pF @ 1V, 1MHz
SK8DJ	0,4125	Solicitação de cotação	1280	WeEn Semicondutores	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	SK8D	padrão	DPAK	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)	934072035118	EAR99	8541.10.0080	2.500	Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)		800 V		1,1 V a 8 A		50 µA a 800 V	150°C (máx.)	8A	-
NXPS20H110C,127	-	Solicitação de cotação	7764	WeEn Semicondutores	-	Tubo	Descontinuado na SIC	Através do furo	PARA-220-3	NXPS20	Schottky	PARA-220AB	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	50	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)	1 par de cátodo comum	110V	10A	770 mV a 10 A		6 µA a 110 V	175°C (máx.)
WNSC04650T6J	1.0313	Solicitação de cotação	1979	WeEn Semicondutores	-	Fita e Carretel (TR)	Última compra	Montagem em superfície	Almofada exposta 4-VSFN	WNSC0	SiC (carboneto de silício) Schottky	5-DFN (8x8)	download		1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	3.000	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,7 V a 4 A	0 ns	25 µA a 650 V	175°C (máx.)	4A	141pF @ 1V, 1MHz
BYC30W-1200PQ	3.0400	Solicitação de cotação	851	WeEn Semicondutores	-	Tubo	Ativo	Através do furo	PARA-247-2	PORC30	padrão	PARA-247-2	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)	934072005127	EAR99	8541.10.0080	30	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)		1200 V		3,3 V a 30 A	65 ns	250 µA a 1200 V	175°C (máx.)	30A	-
WN3S30100CXQ	0,8700	Solicitação de cotação	6	WeEn Semicondutores	-	Tubo	Ativo	Através do furo	TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado	WN3S301	Schottky	TO-220F	download		1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	50	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)	1 par de cátodo comum	100V	15A	770 mV a 15 A		50 µA a 100 V	150ºC

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