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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BYC10X-600,127 | 1.2500 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada | BYC10 | Padrão | TO-220FP | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 2,9 V @ 10 A | 55 ns | 200 µA A 600 V | 150 ° C (Máximo) | 10a | - | |||||
![]() | WNSC2D401200W6Q | 7.1044 | ![]() | 5248 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Volume | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | WNSC2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247-2 | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,6 V @ 40 A | 0 ns | 200 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 40A | 2068pf @ 1V, 1MHz | |||||||
![]() | WNSC2D101200WQ | 4.7000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | WNSC2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247-2 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1740-WNSC2D101200WQ | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,65 V @ 10 A | 0 ns | 110 µA A 1200 V | 175 ° C. | 10a | 490pf @ 1V, 1MHz | ||||
![]() | BYV60W-600PT2Q | 2.8700 | ![]() | 500 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | Padrão | To-247-2 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | 1740-byv60w-600pt2q | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 60 A | 79 ns | 10 µA A 600 V | 175 ° C. | 60a | - | |||||
![]() | BYC30DW-600PQ | 1.2888 | ![]() | 7925 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Volume | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | BYC30 | Padrão | To-247-2 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 934072031127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 450 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 3,3 V @ 30 A | 33 ns | 10 µA A 600 V | 175 ° C (max) | 30a | - | ||||
![]() | BYC10DX-600,127 | 0,9700 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada | BYC10 | Padrão | TO-220FP | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 2,5 V @ 10 A | 18 ns | 200 µA A 600 V | 150 ° C (Máximo) | 10a | - | |||||
![]() | BYV415J-600PQ | 1.2375 | ![]() | 1012 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | TO-3PFM, SC-93-3 | BYV415 | - | TO-3PF | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 934071203127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 480 | - | - | - | - | ||||||||
![]() | WNSC5D06650T6J | - | ![]() | 5098 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 4-VSFN PAD EXPOSTO | WNSC5 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | 5-DFN (8x8) | - | 1740-WNSC5D06650T6JTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,7 V @ 6 A | 0 ns | 30 µA A 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 6a | 201pf @ 1V, 1MHz | ||||||
![]() | WNSC2D301200W6Q | 5.3483 | ![]() | 9168 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Volume | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | WNSC2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247-2 | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,6 V @ 30 A | 0 ns | 150 µA A 1,2 KV | -55 ° C ~ 175 ° C. | 30a | 1407pf @ 1V, 1MHz | |||||||
![]() | NUR460P/L03U | - | ![]() | 9407 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Do-201D, axial | NUR460 | Padrão | Do-201d | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 934067361112 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,05 V @ 3 A | 75 ns | 10 µA A 600 V | 175 ° C (max) | 4a | - | ||||
![]() | WNSC2D151200W6Q | 2.8554 | ![]() | 4612 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Volume | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | WNSC2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247-2 | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 150 µA A 1200 V | 175 ° C. | 15a | 700pf @ 1V, 1MHz | |||||||
![]() | BYV410-600PQ | 0,4219 | ![]() | 9831 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Volume | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | BYV410 | Padrão | To-220E | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 20a | 1,7 V @ 10 A | 55 ns | 10 µA A 600 V | 175 ° C. | |||||||
![]() | WNSC5D08650X6Q | - | ![]() | 4656 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | WNSC5 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-220AC | - | 1740-WNSC5D08650X6Q | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,7 V @ 8 a | 0 ns | 40 µA A 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | 267pf @ 1V, 1MHz | ||||||
![]() | WND10M600XQ | 0,3419 | ![]() | 9013 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada | WND10 | Padrão | TO-220F | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 980 mV @ 10 A | 10 µA A 600 V | 150 ° C. | 10a | - | ||||||||
![]() | BYC60W-1200PQ | 3.3854 | ![]() | 3177 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Volume | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | BYC60 | Padrão | To-247-2 | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 450 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 3,3 V @ 60 A | 96 ns | 250 µA A 1200 V | 175 ° C. | 60a | - | |||||||
![]() | BYR16W-1200Q | 1.4871 | ![]() | 2592 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | BYR16 | Padrão | To-247-2 | download | 1 (ilimito) | 934067917127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 2,7 V @ 16 a | 105 ns | 100 µA A 1200 V | 175 ° C (max) | 16a | - | |||||
![]() | BYC75W-600PQ | 3.6400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | BYC75 | Padrão | To-247-2 | download | 1 (ilimito) | 934069883127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2,75 V @ 75 A | 50 ns | 10 µA A 600 V | 175 ° C (max) | 75a | - | |||||
![]() | BYV29B-500,118 | 1.0100 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | BYV29 | Padrão | D2PAK | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 1,25 V @ 8 a | 60 ns | 50 µA A 500 V | 150 ° C (Máximo) | 9a | - | |||||
![]() | NXPSC08650B6J | 4.8600 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Nxpsc | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | D2PAK | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,7 V @ 8 a | 0 ns | 230 µA @ 650 V | 175 ° C (max) | 8a | 260pf @ 1V, 1MHz | ||||||
![]() | BYV410-600,127 | 1.6000 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | BYV410 | Padrão | TO-220AB | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 20a | 2.1 V @ 10 A | 35 ns | 50 µA A 600 V | 150 ° C (Máximo) | |||||
![]() | WB35SD160ALZ | 0,6908 | ![]() | 7815 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | Morrer | WB35 | Padrão | Wafer | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1600 v | 1,2 V @ 35 A | 50 µA A 1600 V | 150 ° C. | 35a | - | ||||||||
![]() | BYV29X-500,127 | 0,4290 | ![]() | 8271 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada | BYV29 | Padrão | TO-220FP | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 1,25 V @ 8 a | 60 ns | 50 µA A 500 V | 150 ° C (Máximo) | 9a | - | |||||
![]() | WND45P16WQ | 3.0000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | WND45 | Padrão | To-247-2 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1600 v | 1,4 V @ 45 A | 10 µA A 1600 V | 150 ° C. | 45a | - | ||||||
![]() | BYT28-300,127 | 0,5280 | ![]() | 9594 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | BYT28 | Padrão | TO-220AB | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 300 v | 10a | 1,4 V @ 10 A | 60 ns | 10 µA A 300 V | 150 ° C (Máximo) | |||||
![]() | WNS40H100CQ | 1.5700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | WNS40 | Schottky | To-220E | download | Rohs Compatível | Não Aplicável | 934072049127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 20a | 710 mV @ 20 A | 50 µA A 100 V | 150 ° C (Máximo) | |||||
![]() | BYV74W-400,127 | 1.1897 | ![]() | 6692 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | BYV74 | Padrão | To-247-3 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 400 v | 30a | 1,36 V @ 30 A | 60 ns | 50 µA A 400 V | 150 ° C (Máximo) | |||||
![]() | WNSC2D051200D6J | 0,7632 | ![]() | 5175 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | WNSC2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | DPAK | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,6 V @ 5 A | 0 ns | 25 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | 260pf @ 1V, 1MHz | |||||||
![]() | BYV32E-300PQ | 0,5940 | ![]() | 9788 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | BYV32 | Padrão | To-220E | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 300 v | 10a | 1,25 V @ 10 A | 35 ns | 20 µA A 300 V | 175 ° C (max) | |||||
![]() | BYC10B-600,118 | 0,5445 | ![]() | 4641 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | BYC10 | Padrão | D2PAK | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 2,9 V @ 10 A | 55 ns | 200 µA A 600 V | 150 ° C (Máximo) | 10a | - | |||||
![]() | BYV415K-600PQ | 2.5100 | ![]() | 900 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | TO-3P-3, SC-65-3 | BYV415 | Padrão | TO-3P | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 15a | 2,1 V @ 15 A | 45 ns | 10 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. |
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