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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WDMF75M16T | 25.7984 | ![]() | 2484 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | WDMF75 | Padrão | WMM01 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | 1,25 V @ 75 A | 50 µA A 1600 V | 75 a | Três fase | 1,6 kV | |||||||||
![]() | WNSC5D066506Q | - | ![]() | 6859 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | WNSC5 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-220AC | - | 1740-WNSC5D066506Q | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,7 V @ 6 A | 0 ns | 30 µA A 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 6a | 201pf @ 1V, 1MHz | ||||||||
![]() | WNSC2D201200WQ | 8.3600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | WNSC2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247-2 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1740-WNSC2D201200WQ | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,8 V @ 20 A | 0 ns | 200 µA A 1200 V | 175 ° C. | 20a | 845pf @ 1V, 1MHz | ||||||
BYC5-1200PQ | 0,4290 | ![]() | 3754 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | BYC5 | Padrão | TO-220AC | download | 1 (ilimito) | 934072033127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 3,2 V @ 5 A | 36 ns | 100 µA A 1200 V | 175 ° C (max) | 5a | - | ||||||||
WNS20S100CXQ | 0,2805 | ![]() | 9647 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | WNS20 | Schottky | TO-220F | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 10a | 950 mV @ 10 A | 50 µA A 100 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||
BYW29ED-200.118 | 1.0400 | ![]() | 112 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | BYW29 | Padrão | DPAK | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 20 A | 25 ns | 10 µA A 200 V | 150 ° C (Máximo) | 8a | - | ||||||||
![]() | WNSC2D101200WQ | 4.7000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | WNSC2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247-2 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1740-WNSC2D101200WQ | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,65 V @ 10 A | 0 ns | 110 µA A 1200 V | 175 ° C. | 10a | 490pf @ 1V, 1MHz | ||||||
![]() | WNSC5D08650X6Q | - | ![]() | 4656 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | WNSC5 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-220AC | - | 1740-WNSC5D08650X6Q | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,7 V @ 8 a | 0 ns | 40 µA A 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | 267pf @ 1V, 1MHz | ||||||||
![]() | BYC60W-1200PQ | 3.3854 | ![]() | 3177 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Volume | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | BYC60 | Padrão | To-247-2 | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 450 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 3,3 V @ 60 A | 96 ns | 250 µA A 1200 V | 175 ° C. | 60a | - | |||||||||
![]() | WND10M600XQ | 0,3419 | ![]() | 9013 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada | WND10 | Padrão | TO-220F | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 980 mV @ 10 A | 10 µA A 600 V | 150 ° C. | 10a | - | ||||||||||
![]() | WNSC2D401200W6Q | 7.1044 | ![]() | 5248 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Volume | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | WNSC2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247-2 | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,6 V @ 40 A | 0 ns | 200 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 40A | 2068pf @ 1V, 1MHz | |||||||||
![]() | BYC10X-600,127 | 1.2500 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada | BYC10 | Padrão | TO-220FP | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 2,9 V @ 10 A | 55 ns | 200 µA A 600 V | 150 ° C (Máximo) | 10a | - | |||||||
![]() | BYV410-600PQ | 0,4219 | ![]() | 9831 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Volume | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | BYV410 | Padrão | To-220E | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 20a | 1,7 V @ 10 A | 55 ns | 10 µA A 600 V | 175 ° C. | |||||||||
![]() | WNSC2D151200W6Q | 2.8554 | ![]() | 4612 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Volume | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | WNSC2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247-2 | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 150 µA A 1200 V | 175 ° C. | 15a | 700pf @ 1V, 1MHz | |||||||||
![]() | WNSC5D30650CW6Q | - | ![]() | 9895 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Volume | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | WNSC5 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247-3 | - | 1740-WNSC5D30650CW6Q | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1 par cátodo comum | 650 v | 30a | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA A 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||
![]() | BYC15-1200PQ | 1.3100 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Volume | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | BYC15 | Padrão | TO-220AC | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 934072039127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 3,2 V @ 15 A | 61 ns | 100 µA A 1200 V | 175 ° C (max) | 15a | - | ||||||
![]() | WNSC401200CWQ | 11.5500 | ![]() | 6471 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Última Vez compra | Através do buraco | To-247-3 | WNSC4 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247-3 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,75 V @ 20 A | 0 ns | 200 µA A 1200 V | 175 ° C (max) | 40A | 810pf @ 1V, 1MHz | |||||||
WNSC6D08650Q | 1.5900 | ![]() | 3905 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | WNSC6 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-220AC | download | 1 (ilimito) | 1740-WNSC6D08650Q | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,4 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA A 650 V | 175 ° C. | 8a | 402pf @ 1V, 1MHz | ||||||||
![]() | BYQ60W-600PT2Q | 2.8400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | BYQ60 | Padrão | To-247-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 1740-BYQ60W-600PT2Q | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2 V @ 60 A | 55 ns | 10 µA A 600 V | 175 ° C. | 60a | - | ||||||
![]() | WNSC2D06650Q | 1.8700 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | WNSC2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 1740-WNSC2D06650Q | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,7 V @ 6 A | 0 ns | 30 µA A 650 V | 175 ° C. | 6a | 198pf @ 1V, 1MHz | ||||||
![]() | WND35P08Q | 0,5644 | ![]() | 1911 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Volume | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | WND35 | Padrão | TO-220AC | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,4 V @ 35 A | 50 µA A 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 35a | - | ||||||||||
![]() | WNSC2D021200D6J | 0,3699 | ![]() | 6699 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | WNSC2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | DPAK | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,65 V @ 2 A | 0 ns | 10 µA A 1200 V | 175 ° C. | 2a | 95pf @ 1V, 1MHz | |||||||||
![]() | WB75FC65ALZ | 1.2113 | ![]() | 2969 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | Morrer | WB75 | Padrão | Wafer | - | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 650 v | 2,75 V @ 75 A | 50 ns | 10 µA A 650 V | 175 ° C. | 75a | - | |||||||||
![]() | WN3S40H100CQ | 1.0500 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | WN3S40 | Schottky | TO-220AB | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 20a | 710 mV @ 20 A | 50 µA A 100 V | 150 ° C. | |||||||||
![]() | WN3S40100CQ | 0,8900 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | WN3S40 | Schottky | TO-220AB | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 20a | 780 mV @ 20 A | 50 µA A 100 V | 150 ° C. | |||||||||
WN3S30100CXQ | 0,8700 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | WN3S301 | Schottky | TO-220F | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 15a | 770 mV @ 15 A | 50 µA A 100 V | 150 ° C. | ||||||||||
WN3S20H150CXQ | 0,7900 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | WN3S20 | Schottky | TO-220F | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 10a | 1,1 V @ 10 A | 50 µA A 150 V | 150 ° C. | ||||||||||
![]() | WNSC5D10650X6Q | - | ![]() | 1726 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | WNSC5 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-220AC | - | 1740-WNSC5D10650X6Q | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA A 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 323pf @ 1V, 1MHz | ||||||||
![]() | WNSC208006Q | - | ![]() | 5632 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Última Vez compra | Através do buraco | To-220-2 | WNSC2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-220AC | - | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 800 v | 1,7 V @ 20 A | 0 ns | 450 µA A 800 V | 175 ° C. | 20a | 655pf @ 1V, 1MHz | |||||||||
![]() | WNSC04650T6J | 1.0313 | ![]() | 1979 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | Montagem na Superfície | 4-VSFN PAD EXPOSTO | WNSC0 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | 5-DFN (8x8) | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,7 V @ 4 a | 0 ns | 25 µA A 650 V | 175 ° C (max) | 4a | 141pf @ 1V, 1MHz |
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