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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Número básico do produto | Tecnologia | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Configuração de diodo | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Máx.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BYQ28E-200E,127 | 0,7200 | ![]() | 4801 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-220-3 | PORQ28 | padrão | PARA-220AB | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 200 V | 10A | 1,25 V a 10 A | 25 ns | 10 µA a 200 V | 150°C (máx.) | ||||||||
![]() | WNSC2D101200WQ | 4.7000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-247-2 | WNSC2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-247-2 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1740-WNSC2D101200WQ | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,65 V a 10 A | 0 ns | 110 µA a 1200 V | 175ºC | 10A | 490pF @ 1V, 1MHz | |||||||
![]() | BYV410-600.127 | 1.6000 | ![]() | 10 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-220-3 | BYV410 | padrão | PARA-220AB | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 600V | 20A | 2,1 V a 10 A | 35 ns | 50 µA a 600 V | 150°C (máx.) | ||||||||
![]() | WDMF75M16T | 25.7984 | ![]() | 2484 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em chassi | Módulo | WDMF75 | padrão | WMM01 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | 1,25 V a 75 A | 50 µA a 1600 V | 75A | Trifásico | 1,6 kV | ||||||||||
![]() | WNSC2D06650Q | 1.8700 | ![]() | 3 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | WNSC2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 1740-WNSC2D06650Q | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 6 A | 0 ns | 30 µA a 650 V | 175ºC | 6A | 198pF @ 1V, 1MHz | |||||||
| WN3S40H100CXQ | 1.1200 | ![]() | 5 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado | WN3S40 | Schottky | TO-220F | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 100V | 20A | 710 mV a 20 A | 50 µA a 100 V | 150ºC | |||||||||||
![]() | WNSC5D10650B6J | - | ![]() | 5688 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | WNSC5 | SiC (carboneto de silício) Schottky | DPAK | - | 1740-WNSC5D10650B6JTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 10A | 323pF @ 1V, 1MHz | |||||||||
![]() | BYC30WT-600PSQ | 1.3879 | ![]() | 4791 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Volume | Ativo | Através do furo | PARA-247-3 | PORC30 | padrão | PARA-247-3 | download | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600V | 2,75 V a 30 A | 35 ns | 10 µA a 600 V | 175ºC | 30A | - | ||||||||||
![]() | BYC10B-600.118 | 0,5445 | ![]() | 4641 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | PORC10 | padrão | D2PAK | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 500 V | 2,9 V a 10 A | 55 ns | 200 µA a 600 V | 150°C (máx.) | 10A | - | ||||||||
![]() | BYC100W-1200PQ | 4.3904 | ![]() | 2829 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | EPPP™ | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-247-2 | PORC100 | padrão | PARA-247-2 | download | Não aplicável | 934072041127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 450 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1200 V | 3,3 V a 100 A | 90 ns | 250 µA a 1200 V | 175°C (máx.) | 100A | - | ||||||||
![]() | BYC60W-1200PQ | 3.3854 | ![]() | 3177 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Volume | Ativo | Através do furo | PARA-247-2 | PORC60 | padrão | PARA-247-2 | download | EAR99 | 8541.10.0080 | 450 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1200 V | 3,3 V a 60 A | 96 ns | 250 µA a 1200 V | 175ºC | 60A | - | ||||||||||
![]() | NXPLQSC106506Q | 2.1450 | ![]() | 4977 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Última compra | Através do furo | PARA-220-2 | NXPLQSC | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220AC | download | 1 (ilimitado) | 934072074127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,85 V a 10 A | 0 ns | 230 µA a 650 V | 175°C (máx.) | 10A | 250pF @ 1V, 1MHz | ||||||||
![]() | WN3S40100CQ | 0,8900 | ![]() | 5 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-220-3 | WN3S40 | Schottky | PARA-220AB | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 100V | 20A | 780 mV a 20 A | 50 µA a 100 V | 150ºC | ||||||||||
![]() | NXPSC04650XQ | - | ![]() | 3816 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Última compra | Através do furo | TO-220-2 Pacote Completo, Guia Isolado | NXPSC | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220F | download | 1 (ilimitado) | 934070151127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 4 A | 0 ns | 170 µA a 650 V | 175°C (máx.) | 4A | 130pF @ 1V, 1MHz | ||||||||
![]() | BYQ72EK-200Q | 1.0905 | ![]() | 3189 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | TO-3P-3, SC-65-3 | PORQ72 | padrão | PARA-3P | download | 1 (ilimitado) | 934068786127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 450 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 200 V | 15A | 900 mV a 15 A | 25 ns | 20 µA a 600 V | 150°C (máx.) | ||||||||
![]() | NXPSC06650BJ | - | ![]() | 1904 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Carretel (TR) | Última compra | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | NXPSC | SiC (carboneto de silício) Schottky | D2PAK | download | 1 (ilimitado) | 934070003118 | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 6 A | 0 ns | 200 µA a 650 V | 175°C (máx.) | 6A | 190pF @ 1V, 1MHz | ||||||||
![]() | NUR460P/L04U | - | ![]() | 4737 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Volume | Obsoleto | Através do furo | DO-201AD, Axial | NUR460 | padrão | DO-201AD | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 934067362112 | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600V | 1,05 V a 3 A | 75ns | 10 µA a 600 V | 175°C (máx.) | 4A | - | |||||||
![]() | WNSC5D30650CW6Q | - | ![]() | 9895 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Volume | Ativo | Através do furo | PARA-247-3 | WNSC5 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-247-3 | - | 1740-WNSC5D30650CW6Q | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 650 V | 30A | 1,7 V a 15 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | |||||||||
![]() | BYV32E-200.127 | 1.3500 | ![]() | 17 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-220-3 | BYV32 | padrão | PARA-220AB | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 200 V | 20A | 1,15 V a 20 A | 25 ns | 30 µA a 200 V | 150°C (máx.) | ||||||||
![]() | BYV29X-500.127 | 0,4290 | ![]() | 8271 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | TO-220-2 Pacote Completo, Guia Isolado | PORV29 | padrão | TO-220FP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 500 V | 1,25 V a 8 A | 60 ns | 50 µA a 500 V | 150°C (máx.) | 9A | - | ||||||||
![]() | WNSC2D021200D6J | 0,3699 | ![]() | 6699 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | WNSC2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | DPAK | download | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,65 V a 2 A | 0 ns | 10 µA a 1200 V | 175ºC | 2A | 95pF @ 1V, 1MHz | ||||||||||
![]() | PORC10-600CT,127 | 0,5280 | ![]() | 1616 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-220-3 | PORC10 | padrão | PARA-220AB | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 1.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 600V | 10A | 2,9 V a 5 A | 50 ns | 100 µA a 600 V | 150°C (máx.) | ||||||||
![]() | PORV34-500.127 | 1.6700 | ![]() | 4 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-220-3 | BYV34 | padrão | PARA-220AB | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 500 V | 20A | 1,35 V a 20 A | 60 ns | 50 µA a 500 V | 150°C (máx.) | ||||||||
![]() | BYV25G-600.127 | 0,4455 | ![]() | 4329 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | PORV25 | padrão | I2PAK (TO-262) | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 934063968127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600V | 1,3 V a 5 A | 60 ns | 50 µA a 600 V | 150°C (máx.) | 5A | - | |||||||
![]() | BYV30-600PQ | 0,9405 | ![]() | 2050 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | PORV30 | padrão | TO-220AC | download | 1 (ilimitado) | 934071198127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600V | 1,55 V a 30 A | 75ns | 10 µA a 600 V | 175°C (máx.) | 30A | - | ||||||||
![]() | PORV29-500.127 | 0,9300 | ![]() | 7 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | PORV29 | padrão | TO-220AC | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 500 V | 1,25 V a 8 A | 60 ns | 50 µA a 500 V | 150°C (máx.) | 9A | - | ||||||||
| NXPSC06650DJ | - | ![]() | 5576 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Carretel (TR) | Última compra | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | NXPSC | SiC (carboneto de silício) Schottky | DPAK | download | 1 (ilimitado) | 934070007118 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 6 A | 0 ns | 200 µA a 650 V | 175°C (máx.) | 6A | 190pF @ 1V, 1MHz | |||||||||
![]() | WNSC5D04650D6J | - | ![]() | 6469 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | WNSC5 | SiC (carboneto de silício) Schottky | DPAK | - | 1740-WNSC5D04650D6JTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 4 A | 0 ns | 20 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 4A | 138pF @ 1V, 1MHz | |||||||||
![]() | WND35P08Q | 0,5644 | ![]() | 1911 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Volume | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | WND35 | padrão | TO-220AC | download | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 800V | 1,4 V a 35 A | 50 µA a 600 V | -40°C ~ 150°C | 35A | - | |||||||||||
![]() | PORC20-600.127 | 0,8580 | ![]() | 2011 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | PORC20 | padrão | TO-220AC | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 500 V | 2,9 V a 20 A | 55 ns | 200 µA a 600 V | 150°C (máx.) | 20A | - |

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