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Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tolerânia	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tecnologia	Poder - Máx	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Velocidade	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção	Corrente - Retificada Média (IO)	CapacitânCia @ VR, F	Tensão - Zener (NOM) (VZ)	Impedioso (máx) (ZZT)
1N5622 BK	-	RFQ	2110	Central Semiconductor Corp	-	Volume	Última Vez compra			Através do buraco	R-1, axial	1N5622	Padrão		GPR-1A	Alcançar Não Afetado				1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	1000 v	1,2 V @ 10 Ma	2 µs	500 Na @ 1000 V	-65 ° C ~ 200 ° C.	1a	35pf @ 12V, 130kHz
1N5059 BK	-	RFQ	9891	Central Semiconductor Corp	-	Volume	Última Vez compra			Através do buraco	R-1, axial	1N5059	Padrão		GPR-1A	Alcançar Não Afetado				1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	200 v	1,2 V @ 1 A		300 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	1a	15pf @ 4V, 1MHz
1N3611 Tr	-	RFQ	3795	Central Semiconductor Corp	-	Fita E CAIXA (TB)	Última Vez compra			Através do buraco	R-1, axial	1N3611	Padrão		GPR-1A	Alcançar Não Afetado				1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	200 v	1,1 V @ 1 A	2 µs	5 µA A 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	1a	25pf @ 4V, 1MHz
1N5621 Tr	-	RFQ	7882	Central Semiconductor Corp	-	Fita E CAIXA (TB)	Última Vez compra			Através do buraco	R-1, axial	1N5621	Padrão		GPR-1A	Alcançar Não Afetado				1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	800 v	1,2 V @ 10 Ma	2 µs	500 Na @ 800 V	-65 ° C ~ 200 ° C.	1a	18pf @ 5V, 1MHz
1N4247 BK	-	RFQ	3089	Central Semiconductor Corp	-	Volume	Última Vez compra			Através do buraco	R-1, axial	1N4247	Padrão		GPR-1A	Alcançar Não Afetado				1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	600 v	1,2 V @ 1 A	5 µs	1 µA A 600 V	-65 ° C ~ 200 ° C.	1a	-
1N5619 BK	-	RFQ	3249	Central Semiconductor Corp	-	Volume	Última Vez compra			Através do buraco	R-1, axial	1N5619	Padrão		GPR-1A	Alcançar Não Afetado				1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	600 v	1,2 V @ 1 A	250 ns	500 Na @ 600 V	-65 ° C ~ 200 ° C.	1a	27pf @ 5V, 1MHz
1N3981 BK	-	RFQ	3973	Central Semiconductor Corp	-	Volume	Última Vez compra					1N3981				Alcançar Não Afetado				1
1N5623 BK	-	RFQ	5857	Central Semiconductor Corp	-	Volume	Última Vez compra			Através do buraco	R-1, axial	1N5623	Padrão		GPR-1A	Alcançar Não Afetado				1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1000 v	1,2 V @ 10 Ma	500 ns	500 Na @ 1000 V	-65 ° C ~ 200 ° C.	1a	18pf @ 5V, 1MHz
1N3611 BK	-	RFQ	1515	Central Semiconductor Corp	-	Volume	Última Vez compra			Através do buraco	R-1, axial	1N3611	Padrão		GPR-1A	Alcançar Não Afetado				1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	200 v	1,1 V @ 1 A	2 µs	5 µA A 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	1a	25pf @ 4V, 1MHz
1N5188 BK	-	RFQ	3683	Central Semiconductor Corp	-	Volume	Última Vez compra			Através do buraco	R-4, axial	1N5188	Padrão		GPR-4am	Alcançar Não Afetado				1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	400 v	1,5 V @ 10 Ma	250 ns	2 µA A 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	3a	-
CPR2-060 BK	-	RFQ	8506	Central Semiconductor Corp	-	Volume	Última Vez compra					Cpr2				Alcançar Não Afetado				1
1N5553 Tr	-	RFQ	6920	Central Semiconductor Corp	-	Fita E CAIXA (TB)	Última Vez compra			Através do buraco	R-4, axial	1N5553	Padrão		GPR-4am	Alcançar Não Afetado				1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	800 v	1,1 V @ 10 Ma	4 µs	1 µA A 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	3a	-
1n4947 tr	-	RFQ	2784	Central Semiconductor Corp	-	Fita E CAIXA (TB)	Última Vez compra			Através do buraco	R-1, axial	1N4947	Padrão		GPR-1A	Alcançar Não Afetado				1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	800 v	1,3 V @ 1 a	250 ns	1 µA A 800 V	-65 ° C ~ 200 ° C.	1a	-
CEN1277 BK	-	RFQ	5466	Central Semiconductor Corp	-	Volume	Última Vez compra					Cen1277				Alcançar Não Afetado				1
1N5551 BK	-	RFQ	1114	Central Semiconductor Corp	-	Volume	Última Vez compra			Através do buraco	R-4, axial	1N5551	Padrão		GPR-4am	Alcançar Não Afetado				1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	400 v	1 V @ 3 A	2 µs	1 µA A 400 V	-65 ° C ~ 200 ° C.	3a	-
1n4247 tr	-	RFQ	2440	Central Semiconductor Corp	-	Fita E CAIXA (TB)	Última Vez compra			Através do buraco	R-1, axial	1N4247	Padrão		GPR-1A	Alcançar Não Afetado				1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	600 v	1,2 V @ 1 A	5 µs	1 µA A 600 V	-65 ° C ~ 200 ° C.	1a	-
1N3614 BK	-	RFQ	8458	Central Semiconductor Corp	-	Volume	Última Vez compra			Através do buraco	R-1, axial	1N3614	Padrão		GPR-1A	Alcançar Não Afetado				1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	800 v	1,1 V @ 1 A	2 µs	5 µA A 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	1a	25pf @ 4V, 1MHz
1N5554 tr	-	RFQ	4102	Central Semiconductor Corp	-	Fita E CAIXA (TB)	Última Vez compra			Através do buraco	R-4, axial	1N5554	Padrão		GPR-4am	Alcançar Não Afetado				1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	1000 v	1,1 V @ 10 Ma	4 µs	1 µA A 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	3a	-
CPR3F-040 BK	-	RFQ	5255	Central Semiconductor Corp	-	Volume	Última Vez compra					Cpr3f				Alcançar Não Afetado				1
1n5618 tr	-	RFQ	8016	Central Semiconductor Corp	-	Fita E CAIXA (TB)	Última Vez compra			Através do buraco	R-1, axial	1N5618	Padrão		GPR-1A	Alcançar Não Afetado				1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	600 v	1,2 V @ 1 A	2 µs	500 Na @ 600 V	-65 ° C ~ 200 ° C.	1a	35pf @ 12V, 130kHz
1N5552 Tr	-	RFQ	8681	Central Semiconductor Corp	-	Fita E CAIXA (TB)	Última Vez compra			Através do buraco	R-4, axial	1N5552	Padrão		GPR-4am	Alcançar Não Afetado				1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	600 v	1 V @ 10 Ma	2 µs	1 µA A 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	3a	-
CPR5U-040 TR	-	RFQ	8517	Central Semiconductor Corp	-	Fita E CAIXA (TB)	Última Vez compra			Através do buraco	R-4, axial	CPR5U	Padrão		GPR-4am	Alcançar Não Afetado				1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	400 v	1,25 V @ 10 mA	50 ns	5 µA A 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	3a	100pf @ 4V, 1MHz
CPR4F-060 BK	-	RFQ	2482	Central Semiconductor Corp	-	Volume	Última Vez compra			Através do buraco	R-4, axial	CPR4F	Padrão		GPR-4am	Alcançar Não Afetado				1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	600 v	1,3 V @ 10 Ma	250 ns	5 µA A 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	3a	50pf @ 4V, 1MHz
CPR1U-040 TR	-	RFQ	2935	Central Semiconductor Corp	-	Fita E CAIXA (TB)	Última Vez compra			Através do buraco	R-1, axial	CPR1U	Padrão		GPR-1A	Alcançar Não Afetado				1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	400 v	1,6 V @ 1,5 A	35 ns	5 µA A 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	1.5a	35pf @ 4V, 1MHz
CPZ58X-BZX55C6V8-WN	-	RFQ	3540	Central Semiconductor Corp	-	Volume	Ativo	± 5,88%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	Morrer				Morrer		1514-CPZ58X-BZX55C6V8-WN	Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 100 Ma		100 Na @ 3 V				6,8 v	8 ohms
CPZ58X-1N4099-CT	-	RFQ	7523	Central Semiconductor Corp	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial			250 MW	DO-35		1514-CPZ58X-1N4099-CT	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 mA		10 µA a 5,2 V				6,8 v	200 ohms
CPZ59X-1N968B-WN	-	RFQ	3730	Central Semiconductor Corp	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	Morrer			500 MW	Morrer		1514-CPZ59X-1N968B-WN	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 200 mA		5 µA A 15,2 V				20 v	25 ohms
CPZ58X-1N4692-CT	-	RFQ	2645	Central Semiconductor Corp	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	Morrer				Morrer		1514-CPZ58X-1N4692-CT	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 100 Ma		10 µA a 5,1 V				6,8 v
CPZ58X-BZX55C3V3-CM	-	RFQ	8009	Central Semiconductor Corp	-	Volume	Ativo	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	Morrer				Morrer		1514-CPZ58X-BZX55C3V3-CM	Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 100 Ma		2 µA @ 1 V				3,3 v	85 ohms
CPZ58X-BZX55C3V3-CT	-	RFQ	7968	Central Semiconductor Corp	-	Volume	Ativo	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	Morrer				Morrer		1514-CPZ58X-BZX55C3V3-CT	Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 100 Ma		2 µA @ 1 V				3,3 v	85 ohms

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