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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SF34GHB0G | - | ![]() | 4580 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SF34 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 3 a | 35 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 80pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | SF36G B0G | - | ![]() | 9267 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | Através do buraco | Do-201D, axial | SF36 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 3 A | 35 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | SF37G B0G | - | ![]() | 4726 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SF37 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 1,7 V @ 3 A | 35 ns | 5 µA A 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | SF41G B0G | - | ![]() | 5910 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SF41 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1 V @ 4 a | 35 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 100pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | SF43G B0G | - | ![]() | 6487 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SF43 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 1 V @ 4 a | 35 ns | 5 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 100pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | SF47GHB0G | - | ![]() | 2233 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SF47 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 1,7 V @ 4 a | 35 ns | 5 µA A 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 80pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | SF62G B0G | - | ![]() | 1616 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SF62 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 975 mV @ 6 a | 35 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 100pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | SF64GHB0G | - | ![]() | 8516 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SF64 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 975 mV @ 6 a | 35 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 100pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | SF65G B0G | - | ![]() | 2542 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SF65 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,3 V @ 6 A | 35 ns | 5 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | SF65GHB0G | - | ![]() | 8421 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SF65 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,3 V @ 6 A | 35 ns | 5 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | SF68GHB0G | - | ![]() | 9581 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SF68 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 6 A | 35 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | SR002 B0G | - | ![]() | 7217 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SR002 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 550 mV a 500 mA | 500 µA A 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 500mA | 110pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | SR004 B0G | - | ![]() | 2567 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SR004 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 550 mV a 500 mA | 500 µA A 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 500mA | 110pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | SR009 B0G | - | ![]() | 1437 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SR009 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 850 mV a 500 mA | 100 µA A 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500mA | 65pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | SR009HB0G | - | ![]() | 8680 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SR009 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 850 mV a 500 mA | 100 µA A 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500mA | 65pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | SR010 B0G | - | ![]() | 2628 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SR010 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 850 mV a 500 mA | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500mA | 65pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | SR010HB0G | - | ![]() | 7051 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Descontinuado no sic | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SR010 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 850 mV a 500 mA | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500mA | 65pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | SR102HB0G | - | ![]() | 5630 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SR102 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 550 mV @ 1 a | 500 µA A 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | |||||||
![]() | SR103 B0G | - | ![]() | 3671 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SR103 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 550 mV @ 1 a | 500 µA A 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | |||||||
![]() | SR106HB0G | - | ![]() | 2831 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SR106 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 1 a | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||||||
![]() | 1N4757AHB0G | - | ![]() | 6331 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4757 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 5 µA a 38,8 V | 51 v | 95 ohms | |||||||||
![]() | 1N4758AHB0G | - | ![]() | 7451 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4758 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 5 µA a 42,6 V | 56 v | 110 ohms | |||||||||
![]() | 1N4759A B0G | - | ![]() | 1652 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4759 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 5 µA a 47,1 V | 62 v | 125 ohms | |||||||||
![]() | 1N4759AHB0G | - | ![]() | 3578 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4759 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 5 µA a 47,1 V | 62 v | 125 ohms | |||||||||
![]() | 1N4761A B0G | - | ![]() | 6848 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4761 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 5 µA @ 56 V | 75 v | 175 ohms | |||||||||
![]() | 1N4937G B0G | - | ![]() | 1931 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4937 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,2 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | 1N5391G B0G | - | ![]() | 2906 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 1N5391 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,1 V @ 1,5 A | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | 1N5395GHB0G | - | ![]() | 7308 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 1N5395 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1 V @ 1,5 A | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | 1N5397G B0G | - | ![]() | 9958 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 1N5397 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1 V @ 1,5 A | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | 1N5397GHB0G | - | ![]() | 7401 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 1N5397 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1 V @ 1,5 A | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 15pf @ 4V, 1MHz |
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